Fulltext

Electrical and Optoelectronic Characterization of CdTe¬1-xSex/ZnTe Heterojunction

Mohsin.K.Abd --- Boraq.Y.Kadhum --- Raheem G.Kadhu

journal of kerbala university مجلة جامعة كربلاء
ISSN: 18130410 Year: 2011 Volume: 9 Issue: 3 Pages: 353-362
Publisher: Kerbala University جامعة كربلاء

Abstract

Electrical and optoelectronic properties of CdTe¬1-xSex/ZnTe Heterojunctions(x=0.1,0.2,and 0.3) have been investigated .C-V characteristics suggest that the fabricated heterojunction was abrupt type, built in potential determined by extrapolation from C2 V curve to the point (V=0). Also from C-V measurements, we deduced that the built- in potential and the depletion layer width increases with increasing the value of x,while the charge carrier concentration decreases. The current-voltage characteristics of CdTe¬1-xSex/ZnTe Heterojunction for the forward bias at dark condition shows that the ideality factor values varies with varing the value of x. Both the short circuit current and the open circuit voltage increases with increasing the value of x.The spectral responsively has peak at (840)nm wavelength

تمت دراسة الخصائص الكهربائية و الكهربصريه للمفارق الهجينة CdTe¬1-xSex/ZnTe عند قيم x مختلفة (x=0.1, 0.2 and 0.3 ) . أظهرت خصائص السعه – الجهد بان المفا رق ألمصنعه هي من النوع المفاجئ . إن جهد البناء الداخلي يمكن تحديده من تقاطع محور C2 عند V=0)). كذلك من قياسات السعه- الجهد تمكنا من معرفة بان جهد البناء الداخلي وعرض منطقة النضوب تزداد مع زيادة نسبة x بينما يقل تركيز حاملات ألشحنه . من خصائص تيار- جهد للمفارق ألهجينه عند الانحياز الأمامي في الظلام لاحظنا ان قيم عامل المثالية تتغير بتغير x ، كذلك يزداد كلا من تيار الدائرة القصيرة وفولتية الدائرة المفتوحة بزيادة قيمة x . إن طيف الاستجابيه لهذه المفارق تظهر قمة واحده عند الطول ألموجي 840 nm