Spectral Gain-Carrier Density Distribution of SQW GaAs/AlGaAs Laser

Abstract

الخلاصة
توزيع طيف حاملات الشُحن لجهد البئر المفرد لِليزر GaAs/AlGaAs .
هذا البحث أجرى على موديل الكسب لليزر بئر الجهد ذات الجدار المفرد نوع GaAs/AlGaAsبأستخدام قاعدة فيرمي الذهبي (Fermi- Golden) مع تغير سمك الجدار المكمم Lz =(100,75) Ǻ , عند درجة حرارة T=300oK عند فجوة طاقة مقطعة ΔEc = 0.1 eV , هذه الحسابات انجزت بأستخدادم نموذجين البسيط و موديل الاستقطاب المعززعند كثافة حقن N=3.348*1018 cm-3.
Abstract:
In this work, the modal gain of SQW GaAs/AlGaAs has been calculated using the Fermi-Golden Rule with varying the quantum well thickness Lz =(100,75) Ǻ, at a temperature of T=300oK, at a bandgap discontinuity of ΔEc of 0.1 eV , this calculation was achieved using two models, the simplified and the polarization enhancement model at a carrier injection condition of N=3.348*1018 cm-3.