Fulltext

Study the effect of CdCl2 heat treatment on CdS/CdTe photovoltaic Heterojunction properties

Muhammad. A. Razooqi محمد عبد الوهاب رزوقي

Tikrit Journal of Pure Science مجلة تكريت للعلوم الصرفة
ISSN: 18131662 Year: 2008 Volume: 13 Issue: 2 Pages: 96-99
Publisher: Tikrit University جامعة تكريت

Abstract

CdS/CdTe heterojunction has been fabricated by thermal evaporation technique. Polycrystalline CdTe and CdS films have been prepared by thermal evaporation technique on glass substrate with heating substrate of 423 K of 1 and 0.1 m thicknesses respectively. The heterojunction annealed at 573 K. The current – voltage under illumination showed that the photocurrent increased with increasing the incident illumination intensity for CdS/CdTe heterojunction, and no photovoltaic effect was observed. The CdS/CdTe heterojunction has been heat treated after evaporated CdCl2 film at 573 K under vacuum for 30 min., the heterojunction has better photovoltaic properties. The open circuit voltage (Voc) and the short circuit current (Isc) increased with increasing the incident illumination intensities, and the efficiency is 1.24 % at 78 mW/cm2.

حضر المفرق الهجيني CdS/CdTe بتقنية التبخير الحراري .حيث حضرت اغشية CdTe وCdS المتعددة البلورات بتقنية التبخير الحراري على ارضية من الزجاج عند درجة حرارة أساس 423 مطلقة وبسمك و 0.1مايكرون للمادتين على التوالي. عومل المفرق حرارياً بدرجة حرارة تلدين(Ta) 573 مطلقة.بينت قياسات تيار-جهد عند الاضاءه ان التيار الضوئي يزداد مع زيادة شدة الأضاء الساقطة على المفرق الهجيني CdS/CdTe, ولم يلاحظ اي تأثير فوتوفولتائي لكن اظهر النموذج المعامل حرارياً بعد تبخير غشاء من CdCl2 بدرجة حرارة 573 مطلقة لمدة ثلاثون دقيقة خواص فوتوفولتائية افضل, حيث تزداد كل من فولتية الدائرة االمفتوحة(Voc) و تيار الدائرة القصيرة(Isc) مع زيادة شدة الإضاءة الساقطة. تمتلك الخلية الشمسية كفاءة تحويل قيمتها 1.24% لشدة إضاءة ساقطة قيمتها 78 mW/cm2 .