Fulltext

Carrier Life Time, Time Constant, And Other Related Detector Parameter For Porous Silicon /Silicon Heterojunction Detector

تحديد فترة حياة الحاملات الاقليه ، الثابت الزمني ومعلمات الكاشف الاخرى لكاشف المفرق الهجيني نوع السليكون المسامي سليكون

Evan T. Salem

Engineering and Technology Journal مجلة الهندسة والتكنولوجيا
ISSN: 16816900 24120758 Year: 2010 Volume: 28 Issue: 18 Pages: 5660-5673
Publisher: University of Technology الجامعة التكنولوجية

Abstract

In the present work, Porous silicon constituting silicon nanostructures layerhave been produce on crystal silicon using different preparation condition in laserinduced electrical etching process. Were a (800 nm) , (1watt) semiconductor laserhas been used with the electrochemical etching process to prepare the porous layeron the surface of (111) n- type silicon substrate. Two different Silicon resistivitiesof (0.564,4.29) W.cm was employed to prepared (Ps/ Si) heterojunction at differentpreparation condition. The characteristic of the prepared device has been found todepend directly on the formation current density and substrate resistivity. Theobtained device has good parameter to work as a detector in the (V- NIR) region .

في هذا البحث، تم تحظير السليكون المسامي مشتملا على السليكون ذو التركيب النانويعلىقاعده متمثله ببلوره سليكون عند شروط تحظير مختلفة. حيث تم استخدام جهاز ليزر شبة1) مع جهاز التنميش watt) 800 ) وبقدره لاتتجاوز nm) الموصل ذي الطول الموجيالكهروكيميائي للحصول على طبقه السليكون المسامي ، وبالتالي تحظير المفرق الهجيني نوعتم قياس زمن النهوض للنبيطه المصنعه ووجد ليكون معتمدا على مقدار تيار . (Ps/Si)التكوين. كما وجد بان النبيطه المصنعه ذات معلمات جيده للعمل ككاشف ضوئي عند المكطقةالرئيه وتحت الحمراء القريبه

Keywords

porous silicon --- heterojunction --- carrier life time --- detector parameter