Fulltext

Structural and D.C. conductivity investigation of the ternary alloy System a-AlXGa1-x As:H films prepared by new deposition method

دراسة التركيب البلوري والتوصيلية المستمرة للمركب AlXGa1-x As:H المحضر بطريقة ترسيب جديدة

H. Kh. Al- Lamy حسين خزعل رشيد --- M.F. Alias ميسون فيصل الياس --- M. N. Makadsi متي ناصر مقادسي

Iraqi Journal of Physics المجلة العراقية للفيزياء
ISSN: 20704003 Year: 2011 Volume: 9 Issue: 16 Pages: 84-86
Publisher: Baghdad University جامعة بغداد

Abstract

In this paper Alx Ga1-x As:H films have been prepared by using new deposition method based on combination of flash- thermal evaporation technique. The thickness of our samples was about 300nm. The Al concentration was altered within the 0 £x £40.The results of X- ray diffraction analysis (XRD) confirmed the amorphous structure of all AlXGa1-x As:H films with x £ 40 and annealing temperature (Ta)<200°C. the temperature dependence of the DC conductivity GDC with various Al content has been measured for AlXGa1-x As:H films. We have found that the thermal activation energy Ea depends of Al content and Ta, thus the value of Ea were approximately equal to half the value of optical gap.

تم في هذا البحث استخدام طريقة جديدة في تحضير اغشية AlXGa1-x As:H بترسيب مزدوج حراري وميضي لاغشية بنسبة x=40 و (Ta)<200 لوحظ اعتماد التوصيلية المستمر على نسبة Al كذلك وجد اعتماد طاقة التنشيط على نسبة Al ودرجة حرارة التلدين. وجد ان قيمة فجوة الطاقة مساوية الى ضعف طاقة التنشيط تقريبا.

Keywords

ternary alloy System a-AlXGa1-x As:H films