Fulltext

Effect of Pb dopant On A.C mechanism of ZnS thin films

تأثير المطعم Pb على الميكانيكية المتناوبة A.C لأغشية ZnS الرقيقة

Salma M. Shaban سلمى مهدي شعبان

Iraqi Journal of Physics المجلة العراقية للفيزياء
ISSN: 20704003 Year: 2014 Volume: 12 Issue: 25 Pages: 80-88
Publisher: Baghdad University جامعة بغداد

Abstract

Vacuum evaporation technique was used to prepare pure and doped ZnS:Pb thin films at10% atomic weight of Pb element onto glass substrates at room temperature for 200 nm thickness. Effect of doping on a.c electrical properties such as, a.c conductivity, real, and imaginary parts of dielectric constant within frequency range (10 KHz - 10 MHz) are measured. The frequency dependence of a.c conductivity is matched with correlated barrier hoping especially at higher frequency. Effect of doping on behavior of a.c mechanism within temperature range 298-473 K was studied.

استخدمت طريقة التبخير الفراغي لتحضير اغشية رقيقة نقية ومطعمة من ZnS:Pb ل 10% من الوزن الذري لعنصر Pb على قواعد زجاجية عند درجة حرارة الغرفة ولسمك 200 nm. درس تاثير التطعيم على الخواص الكهربائية المتناوبة مثل التوصيلية المتناوبة, ثابت العزل الحقيقي والخيالي ضمن مدى تردد (10 KHz – 10 MHz). طبق نموذج Correlated Barrier hoping لاعتماد التوصيلية المتناوبة على التردد خصوصا بالتردد العالي. درس تاثير التطعيم على سلوك ميكانيكية a.c ضمن مدى درجات حرارة 473 – 298 K.

Keywords

Thin Films --- A.C. Conductivity --- ZnS Compound.