research centers


Search results: Found 14

Listing 1 - 10 of 14 << page
of 2
>>
Sort by

Article
The structure and optical properties of CdSe:Cu Thin Films
الخواص التركيبية والبصرية للأغشيةالرقيقة CdSe:Cu

Authors: Ikbal S. Naji اقبال سهام ناجي --- Tariq. J. Alwan طارق جعفر علوان --- Eman M.N.Al-Fawadi ايمان مزهر ناصر الفوادي
Journal: Baghdad Science Journal مجلة بغداد للعلوم ISSN: 20788665 24117986 Year: 2009 Volume: 6 Issue: 1 Pages: 141-149
Publisher: Baghdad University جامعة بغداد

Loading...
Loading...
Abstract

A polycrystalline CdSe thin films doped with (5wt%) of Cu was fabricated using vacuum evaporation technique in the substrate temperature range(Ts=RT-250)oC on glass substrates of the thickness(0.8μm). The structure of these films are determined by X-ray diffraction (XRD). The X-ray diffraction studies shows that the structure is polycrystalline with hexagonal structure, and there are strong peaks at the direction (200) at (Ts=RT-150) oC, while at higher substrate temperature(Ts=150-250) oC the structure is single crystal. The optical properties as a function of Ts were studied. The absorption, transmission, and reflection has been studied, The optical energy gap (Eg)increases with increase of substrate temperature from (1.65-1.84)eV due to improvement in the structure. The amorphousity of the films decreases with increasing Ts. The films have direct energy gap and the absorption edge was shift slightly towards smaller wavelength for CdSe:Cu thin film with increase of substrate temperature.it was found that the absorption coefficient was decreased with increasing of substrate temperature due to increases the value of(Eg). The CdSe:Cu films showed absorption coefficient in the range (0.94 x104-0.42x104)cm-1at Ts=RT-250 oC. Also the density of state decreases with increasing of substrate temperatures from (0.20-0.07)eV, it is possibly due to the recrystallization by the heating substrate temperatures.. Also the extinction coefficient, refractive index and dielectric constant have been studied.

حضرت الأغشية الرقيقة CdSe:Cu المتعددة البلورات والمطعمة بالنحاس بنسبة (5wt%) بأستعمال تقنية التيخير الفراغي بمدى درجة حرارة اساس (Ts=RT-250)oC على قواعد زجاجية. حدد تركيب تلك الاغشية بواسطة الفحص بالأشعة السينية (XRD) . بينت دراسات حيود الاشعة السينية بان التركيب يكون من النوع المتعدد البلورات السداسي, وهناك قمة قوية بالاتجاه (200) عند(Ts=RT-250) oC بينما عند درجات حرارة الأساس العالية(Ts=150-250) oC يتحول التركيب الى البلورة المفردة . درست الخصائص البصرية كدالة لدرجة حرارة الأساس(Ts) ودرست النفاذية والأمتصاصية والأنعكاسية. فجوة الطاقة تزداد بزيادة درجة حرارة الأساس من(1.65-1.84)eV وتقل العشوائية نتيجة للتحسن بالتركيب البلوري. تمتلك الأغشية فجوة طاقة مباشرة و تزاح حافة الأمتصاص بأتجاه الأطوال الموجية القصيرة لأغشية CdSe:Cu بزيادة درجة حرارة الأساس وجد بأن معامل الأمتصاص يقل بزيادة درجة حرارة الأساس من(0.94 x104-0.42x104)cm-1at Ts=RT-250 oC, كذلك تقل كثافة الحالات بزيادة درجة حرارة الأساس (0.20-0.07)eV ذلك نتيجة لاعادة التبلور بواسطة التسخين بدرجة حرارة الأساس..كذلك درس معامل الخمود ومعامل الأنكسار وثوابت العزل كدالة لدرجة حرارة الأساس .


Article
Effect of Annealing Temperature and Thickness on the Structural and Optical Properties of CdSeThin Films
ثأثير درجة حرارة التلدين والسمك في الخصائص التركيبية والبصرية لأغشية CdSe الرقيقة

Author: Hanaa I. M. Abdullah هناء إبراهيم محمد عبد الله
Journal: Ibn Al-Haitham Journal For Pure And Applied Science مجلة ابن الهيثم للعلوم الصرفة والتطبيقية ISSN: 16094042 Year: 2015 Volume: 28 Issue: 1 Pages: 43-53
Publisher: Baghdad University جامعة بغداد

Loading...
Loading...
Abstract

CdSe alloy has been prepared successfully from its high purity elements. Thin films of thisalloy with different thicknesses (300,700)nm have been grown on glass substrates at roomtemperature under very low pressure (10-5)Torr with rate of deposition (1.7)nm/sec bythermal evaporation technique, after that these thin films have been heat treated under lowpressure (10-2)Torr at (473,673)K for one hour. X-ray patterns showed that both CdSe alloyand thin films are polycrystalline and have the hexagonal structure with preferentialorientation in the [100] and [002] direction respectively. The optical measurements indicatedthat CdSe thin films have allowed direct optical energy band gap, and it increases from (1.77-1.84) eV and from (1.6-1.65)eV with the increase in temperature from (R.T-673)K forthicknesses. (300,700)nm, respectively. The optical constants (refractive index, extinctioncoefficient and the real, imaginary parts of dielectric constant) were also studie

حضرت سـبيـكة CdSeبنـجاح من عناصرها عالـية النقـاوه. ورسـبت الأغـشيـة الرقـيقـة لهذه السبـيكة بأسماك مخـتـلفة (300,700)nm على ارضيـات زجاجـيـة بـدرجـة حرارة الغـرفة وتحت ضغط واطئ جدا 10-5)Torr) بمعدل تبخير (1.7)nm/sec بواسطة تقانة التبخير الحراري ، وبعد ذلك تمت معاملة الأغشيه حراريا تحت ضغط واطئ(10-2) Torr عند درجات حرارة (473,673)K لمدة سـاعـة. أظـهرت فحوصات الاشعة السـينيـة بأن كلاً من السبـيـكـة والأغــشـية المحضرة هي متـعـددة البـلورات, وانـها تـمتلـك التـركـيـب السـداســي بـتـوجـيـه مـفـضـل بالاتـجـاه [100],][002 على التـوالـي.وبـينـت القيـاسـات البـصـرية لأغـشـية CdSe أنـها تــمتـلك فجـوة طاقـة بصرية مبـــاشـــره تـزداد مـــن(1.77- 1.84)eV ومــــن(1.6 -1.65)eV بــــزيـــادة درجـــــة الحــــرارة مــــــــن (R.T- 673)K لـلأســمــاك (300,700)nm علــــى التــــوالي. كما دُرست الثوابت البصرية (معامل الانكسار ومعامل الخمود,وثابت العزل بجزأيه الحقيقي والخيالي).


Article
Measure of Thermoelectric Power of CdSe Thin Films that Prepared with Different Depositions Rate.
قياس القدرة الكهروحرارية لأغشية CdSe المحضرة بمعدلات ترسيب مختلفة.

Author: Raad Saedon Sabri رعد سعدون صبري
Journal: Journal of university of Anbar for Pure science مجلة جامعة الانبار للعلوم الصرفة ISSN: ISSN: 19918941 Year: 2009 Volume: 3 Issue: 1 Pages: 103-107
Publisher: University of Anbar جامعة الانبار

Loading...
Loading...
Abstract

In this paper CdSe thin films have been prepared deposited on galas substrate by thermalevaporation technique at thickness 250 nm with different depositions rate ( 0.2,0.4,0.6,0.8,1,1.2) nm/sand substrate temperatures ( Ts) (300,373,423,473)K . Thermoelectric power were measured to thisfilms ,Seebak coefficient and activation energy were evaluated, the results shows that all films wereof n-type conductivity and activation energy increases with dispositions rate and substrate temperaturefilms prepared at 0.8 nm/s with 425 K and 1.2 nm/s with Ts (425 ,475 ) K , except that they wereof p-type conductivity .

:في هذا البحث تم تحضير أغشية CdSe على قواعد زجاجية بطريقة التبخير الحراري في الفراغ وبسمك nm 2.50 وبمعدلات ترسيب s / nm ( 0.2,0.4,0.6,0.8,1,1.2) ودرجات حرارة أساس مختلفة K ( 300,373,433,473 ) وحساب معامل سيباك وطاقة التنشيط وقد تبين أن جميع الأغشية وبكافة معدلات الترسيب هي من نوع ( n-type ) وان طاقة التنشيط تزداد مع زيادة كل من معدل الترسيب وزيادة درجات الحرارة الأساس عدا الأغشية المحضرة بمعدل ترسيب s / nm 0.8 ودرجة حرارة أساس K 452 والأغشية المحضرة بمعدل ترسيب s /nm 1.2 ودرجات حرارة أساس K 425,475 فقد كان من نوع p-type .


Article
The Optical and Electrical Properties of CdSe Thin Films Prepared by CBD Technique
الخواص البصرية والكهربائية لأغشية CdSe المحضرة بطريقة ترسيب الحمام الكيميائي (CBD)

Authors: Nawfal Y. Jamil نوفل يوسف جميل --- Marwa T. Mahmood مروة ثامر الشماع --- Noor A. Mustafa نور عبد السلام الرضواني
Journal: Rafidain journal of science مجلة علوم الرافدين ISSN: 16089391 Year: 2012 Volume: 23 Issue: 1E Pages: 116-125
Publisher: Mosul University جامعة الموصل

Loading...
Loading...
Abstract

In this work thin films of CdSe were deposited on glass substrate by chemical bath deposition technique at different deposition temperatures 298, 318, and 328 K. The effects of deposition temperature on the optical properties have been studied as well as the effect of annealing at different temperatures (373, 473, 573 and 673 K) for one hour. The optical properties of CdSe were studied from transmittance measurements as a function of a range of wave lengths (320-1000 nm). Optical band gap has been decreased from 2 to 1.7 eV after annealing. CdSe/p-Si was prepared by depositing CdSe film on the p-type Si substrate. The I-V characteristics showed a diode behavior.

في هذا البحث تم تحضير أغشية CdSe بطريقة ترسيب الحمام الكيميائي(CBD) عند درجات حرارة مختلفة (298, 318 and 328 K)، ودراسة تأثير درجات حرارة الترسيب على الخواص البصرية وتأثير التلدين بدرجات حرارة (373, 473, 573 and 673 K) ولزمن ساعة واحدة على طاقة الفجوة لغشاء (CdSe)، إذ تم قياس النفاذية بوصفها دالة للطول الموجي ضمن المدى (320-1000 nm)ووجد أن طاقة الفجوة البصرية تقل من 2 إلى 1.7 الكترون- فولت بعد التلدين. تم تحضير CdSe/p-Si بترسيب غشاء CdSe على نماذج من السليكون نوع p-type ودراسة خواصها الكهربائية وأظهرت النتائج الحصول على نبيطة ثنائي من خلال قياسات I-V.


Article
The Effect of γ-Irradiation on the Structural and Physical Properties of CdSe Thin Films
تأثير تشعيع γ على الخواص التركيبية والبصرية لأغشية CdSe الرقيقة

Authors: Nawfal Y. Jamil نوفل يوسف جميل --- Suha A. Najim سهى عبد الله نجم --- Abid Al-karem M. Muhammed عبد الكريم مخلف محمد
Journal: Rafidain journal of science مجلة علوم الرافدين ISSN: 16089391 Year: 2014 Volume: 25 Issue: 3E Pages: 90-98
Publisher: Mosul University جامعة الموصل

Loading...
Loading...
Abstract

Thin film of CdSe has been deposited on to the clean glass substrate by using CBD technique at room temperature. The samples are irradiated by γ-ray with various doses (0.25,0.5,1.0,1.5) Gy. These films are characterized by XRD, which indicated that as-deposited CdSe layers and irradiated films at 0.25 and 0.5 Gy of γ- ray grow in cubic phase having preferred orientation along (111) plane in c-direction. Further, the irradiated films at 1.0 and 1.5 Gy of γ- ray show polycrystalline in nature with a mixture of cubic along with hexagonal structures. Optical absorption spectra of these thin films have been recorded using spectrophotometer. The energy band gap has been determined using these spectra. It is found that the energy band gap of CdSe film is 2.09 eV and it is increased with the increase of γ- irradiation dose. The electrical conductivity measurements gave a decrease in conductivity with the increase of γ- irradiation dose.

رُسبت أغشية CdSe الرقيقة على أرضية نظيفة من الزجاج باستخدام تقنية الترسيب بالحمام الكيميائي Chemical Bath Deposition CBD)) عند درجة حرارة الغرفة. العينات تم تشعيعها بواسطة أشعة γ عند جرعات مختلفة Gy(1.5,1.0,0.5,0.25). هذه الأغشية تم وصفها بواسطة XRD التي تشير إلى أن طبقات أغشية CdSe الرقيقة المرسبة والمشععة عند 0.25 و0.5 كراي لأشعة γ تنمو في الطور المكعبي وبالاتجاه المفضل عند المستوي (111) وبالاتجاه العمودي c. الأغشية المشععة عند 1.0و1.5 كراي لأشعة γ تبين أنها متعددة البلورات في طبيعتها وخليط من التراكيب المكعبة والسداسية. طيف الامتصاص البصري لهذه الأغشية الرقيقة تم تحليله باستخدام المطياف. فجوة الطاقة تم تحديدها بهذا الطيف. ووجد أن فجوة الطاقة لغشاء CdSe 2.09 الكترون فولت وتزداد بزيادة جرعة تشعيع γ. القياسات الكهربائية للتوصيلية أعطت نقصاناً في التوصيلية مع زيادة جرعة تشعيع γ.


Article
The Effect of Ag Doping on the Structural, Optical and Electrical Properties of CdSe Thin Films
تأثير التطعيم بالفضة على الخواص الكهربائية والبصرية التركيبية لأغشيه CdSe

Authors: Nawfal Y. Jamil نوفل يوسف جميل --- Ammar Y. Burjus عمار ياسين برجس --- Heba M.T. Khalil هبة محمد طاهر
Journal: Rafidain journal of science مجلة علوم الرافدين ISSN: 16089391 Year: 2018 Volume: 27 Issue: 3E Pages: 146-152
Publisher: Mosul University جامعة الموصل

Loading...
Loading...
Abstract

This work includes a study of the effect of Ag doping in CdSe on optical, structural and Electrical properties, through changing the ratio of the added Ag with (0, 1, 5, 10) % to the final prepared CdSe solution. Measurements of the transmittance, absorption of the prepared samples of CdSe for wave lengths in the band (400nm-750nm) is carried out. It is found that the band gap decreased (Eg=(1.97,1.92,168,152)eV) respectively as Ag concentration increased. X-ray diffraction (XRD) measurements shows that the deposited pure CdSe thin film is polycrystalline with hexagonal structure, whereas doped films with Ag shows cubic structure in the[111] direction. Electrical conductivity measurement of the films showed an increase with increasing the Ag concentration, also an increase in crystal alignment found.

يتضمن هذا البحث دراسة تأثير التطعيم بعنصر الفضة Ag لأغشية CdSe الرقيقة على الخواص التركيبية والبصرية والكهربائية وذلك من خلال تغيير نسب الحجوم الخاصة بنترات الفضة وبالنسب (0,1,5,10)% عند تحضير اغشية CdSe، وتضمن البحث اجراء قياسات النفوذية والامتصاصية للأطوال الموجية (400-750)nm وتم حساب قيمة طاقة الفجوة وقد وجد انها تتغير حسب القيم التالية (Eg=(1.97,1.92,1.68,1.52 )eV)، وهذا يعني ان قيمة فجوة الطاقة تقل مع زيادة تركيز Ag ومن قياسات حيود الاشعة السينية (XRD) لدراسة التركيب البلوري وجد بان التركيب من النوع المتعدد البلورات السداسي للنماذج التي لا تحتوي على عنصر الفضة اما في حالة النماذج المطعمة عنصر الفضة وجد التركيب من النوع المكعبي ويمتلك اتجاهيه مفضلة عند المستوي (111)، أظهرت قياسات التوصيلية الكهربائية زيادة جيدة في التوصيلية مع زيادة التركيز بعنصر الفضة، وكذلك زيادة في الرص البلوري


Article
The Effect of Al Doping on Structural, Electrical and Optical Properties of CdSe Films
تأثير تطعيم Al على الخواص التركيبية، الكهربائية والبصرية لأغشية CdSe

Authors: Suha A. Najim سهى عبد الله نجم --- Nawfal Y. Jamil نوفل يوسف جميل
Journal: Rafidain journal of science مجلة علوم الرافدين ISSN: 16089391 Year: 2018 Volume: 27 Issue: 3E Pages: 164-172
Publisher: Mosul University جامعة الموصل

Loading...
Loading...
Abstract

CdSe thin films were deposited on glass substrates by chemical bath deposition technique. The deposited CdSe thin films were annealed by thermal evaporation for (1h) at 250 ˚C. The samples were then coated with a different thicknesses of thin Al films (50, 100, 150, 200) Å by thermal evaporation method which then annealed at (1h,250˚C). The structural, optical, and electrical properties of deposited and doped samples were studied. The X-ray diffraction analysis showed that the films have polycrystalline structure of hexagonal type. From optical properties, the band gap energy of undoped CdSe thin film was 2 eV and it is decreased by increasing of Al doping. Electrical resistivity of the doped films showed a decrease with the increase of the Al concentration. The doped and undoped samples revealed that the conductivity was n-type

تم ترسيب أغشية CdSe الرقيقة على أرضية من الزجاج باستخدام تقنية الترسيب بالحمام الكيميائي Chemical Bath Deposition CBD)). أغشية CdSe الرقيقة المرسبة تم تلدينها بالتبخير الحراري لمدة ساعة عند 250 ˚C. العينات تم تطعيمها بغشاء من الألمنيوم الرقيق وبأسماك مختلفة Å(50, 100, 150, 200) بطريقة التبخير الحراري وبعدها تم تلدينها عند (1h, 250˚C). تم دراسة الخواص التركيبية، البصرية والكهربائية للنماذج المرسبة والمطعمة. من تحليل حيود الأشعة السينية تبين بان الأغشية تمتلك تركيبا متعدد البلورات من النوع السداسي (Hexagonal). ومن الخواص البصرية، وجد أن فجوة الطاقة لأغشية CdSe غير المطعمة 2 eV وإنها تقل مع زيادة التطعيم بالألمنيوم. المقاومية الكهربائية للأغشية المطعمة تبين أنها تقل مع زيادة تركيز Al. النماذج المطعمة وغير المطعمة أظهرت توصيلية من النوع السالب (n-type).


Article
Annealing Effect on the Photoluminescence of CdTe/CdSe Thin Film Photovoltaic Devices

Authors: A.C. de Graev --- G. Manterick
Journal: Iraqi Journal of Applied Physics المجلة العراقية للفيزياء التطبيقية ISSN: 18132065 23091673 Year: 2005 Volume: 1 Issue: 3 Pages: 23-25
Publisher: iraqi society for alternative and renewable energy sources and techniques الجمعية العراقية لمصادر وتقنيات الطاقة البديلة والمستجدة

Loading...
Loading...
Abstract

The depth dependence of photoluminescence from as grown and CdCl2 treated polycrystalline CdSe/CdTe solar cells has been compared using a bevel etch technique. It has been found that the three emission bands observed at 1.59eV, 1.55eV and 1.45eV all became more intense after the treatment, with the emission at 1.55eV near the CdSe/CdTe interface being the most affected.


Article
The Effect of Cadmium Selenide Thin Film Thickness on Carbon Monoxide Gas Sensing Properties prepared by Plasma DC-Sputtering Technique

Author: Baha'a A. M. Al-Hilli
Journal: Iraqi Journal of Science المجلة العراقية للعلوم ISSN: 00672904/23121637 Year: 2018 Volume: 59 Issue: 4C Pages: 2234-2241
Publisher: Baghdad University جامعة بغداد

Loading...
Loading...
Abstract

Cadmium Selenide (CdSe) thin films have been deposited on a glass substrate utilizing the plasma DC-sputtering method at room temperature at different deposition time in order to achieve different films thickness, and studied its sensitivity to the carbon monoxide CO gas which are show high response as the film thickness increases, the DC-conductivity and photoconductivity are also studied and which are increased too as the film thickness increases, that indicates the good semiconducting behavior at room temperature and light environments.


Article
Studying the effective of conductor polymer substrate on the electrical properties of semiconductors
دراسة تأثير قاعدة بوليمر موصل على الخواص الكهربائية لأشباه الموصلات

Author: Afrah Abdul Hussain Jabor افراح عبد الحسين جبر
Journal: Baghdad Science Journal مجلة بغداد للعلوم ISSN: 20788665 24117986 Year: 2017 Volume: 14 Issue: 1 Pages: 60-67
Publisher: Baghdad University جامعة بغداد

Loading...
Loading...
Abstract

This research includes depositionof thin film of semiconductor, CdSe by vaccum evaporation on conductor polymers substrate to the poly aniline where, the polymer deposition on the glass substrats by polymerization oxidation tests polymeric films and studied the structural and optical properties through it,s IR and UV-Vis , XRD addition to thin film CdSe,on of the glass substrate and on the substrate of polymer poly-aniline and when XRD tests was observed to improve the properties of synthetic tests as well as the semiconductor Hall effect proved to improve the electrical properties significantly

يتضمن متن البحث ترسيب اغشية رقيقة لشبه الموصل سلينايد الكادميوم ,CdSeبطريقة التبخير بالفراغ على قواعد بوليمرات البولي انيلين الموصلة، رسب البوليمر ببلمرة الأكسدةعلى قواعد زجاجية وشخصت الاغشية البوليمرية ثم درست الخواص التركيبية والبصرية لها من خلال فحوصات UV-Vis ,XRD, IR بالأضافة لأغشيةCdSe , على قواعد زجاجية وعلى قواعد بوليمر البولي انيلين وعند اجراء فحوصات XRD لوحظ تحسين الخواص التركيبية لشبه الموصل بالاضافة فحوصات تأثير هول اثبتت تحسين الخواص الكهربائية بشكل ملحوظ

Listing 1 - 10 of 14 << page
of 2
>>
Sort by
Narrow your search

Resource type

article (14)


Language

English (9)

Arabic (2)

Arabic and English (2)


Year
From To Submit

2018 (3)

2017 (1)

2015 (3)

2014 (1)

2012 (2)

More...