research centers


Search results: Found 9

Listing 1 - 9 of 9
Sort by

Article
Effect of Thickness on the Electrical Conductivity and Hall Effect Measurementsof (CIGS) Films
تأثير السمك على التوصيلية الكهربائية وقياسات تأثير هول لأغشية(CIGS)

Loading...
Loading...
Abstract

The influence of different thickness (500, 1000, 1500, and 2000) nm on the electrical conductivity and Hall effect measurements have been investigated on the films of copper indium gallium selenide CuIn1-xGaxSe2 (CIGS) for x= 0.6.The films were produced using thermal evaporation technique on glass substrates at R.T from (CIGS)alloy. The electrical conductivity (σ), the activation energies (Ea1, Ea2), Hall mobility and the carrier concentration are investigated and calculated as function of thickness. All films contain two types of transport mechanisms of free carriers, and increase films thickness was fond to increase the electrical conductivity whereas the activation energy (Ea) would vary with films thickness. Hall Effect analysis results of CIGS films show all films were (p-type) and both Hall mobility and the carrier concentration increase with the increase of films thickness.

حسب تأثير الاسماك المختلفة (500, 1000, 1500, and 2000) nmفي التوصيلية الكهربائية وقياسات تأثير هول لأغشية نحاس انديوم كاليوم سيلينيوم CuIn1-xGaxSe2 (CIGS),إذx= 0.6. حضرت الاغشية باستعمال تقنية التبخير الحراري على ارضيات من الزجاج عند درجة حرارة الغرفة من سبيكة (CIGS). حسبت التوصيلية الكهربائية (σ) وطاقات التنشيط (Ea1, Ea2) وتحركية هول وتركيز الحاملات دالة لتغير السمك.وقد أظهرت كل الاغشية آليتين للانتقال الالكتروني لحاملات الشحنة ولوحظ زيادة التوصيلية الكهربائية, بينما تنوعت طاقات التنشيط بزيادة سمك الاغشية المحضرة . وبينت نتائج قياسات تأثير هول ان جميع أغشية CIGS كانت من نوع (p-type) . كما لوحظ زيادة كل من تركيز وتحركية حاملات الشحنة بزيادة سمك الاغشية.


Article
Electrical Conductivity and Hall Effect Measurements of (CuInTe2) Thin Films
التوصيلية الكهربائية وقياسات تأثير هول لأغشية (CuInTe) الرقيقة

Loading...
Loading...
Abstract

In this research, the electrical conductivity and Hall effect measurements have beeninvestigated on the CuInTe2 (CIT) thin films prepared by thermal evaporation technique onglass substrate at room temperature as a function of annealing temperature (R.T,473,673)Kfor different thicknesses (300 and 600) nm. The samples were annealed for one hour.The electrical conductivity analysis results demonstrated that all samples prepared have twotypes of transport mechanisms of free carriers with two values of activation energy (Ea1, Ea2),and the electrical conductivity increases with the increase of annealing temperature whereas itshowed opposite trend with thickness , where the electrical conductivity would decrease asthe films thickness increases.The results of Hall effect measurements of CuInTe2 films show that all films were (p-type) ,the carrier concentration and Hall mobility are strongly dependent on the annealingtemperature and film thickness.

الرقيقة والمحضرة CuInTe2 (CIT) تم في هذا البحث حساب التوصيلية الكهربائية وقياسات تأثير هول لأغشيةباستعمال تقنية التبخير الحراري على ارضيات من الزجاج عند درجة حرارة الغرفة كدالة لدرجة حرارة التلدين300,600 ) ولدنت النماذج لمدة ساعة واحدة. )nm ولسمك مختلف (R.T,473,673)Kاوضحت نتائج تحليل التوصيلية الكهربائية ان جميع الاغشية المحضرة تمتلك آليتين للانتقال الالكتروني لحاملات الشحنةولوحظ زيادة التوصيلية الكهربائية مع زيادة درجة حرارة التلدين واظهرت سلوكا (Ea1, Ea وقيمتين لطاقات التنشيط ( 2معاكسا مع السمك اذ تناقصت قيم التوصيلية الكهربائية مع زيادة سمك الغشاء.واعتمدت قيم كل من تركيز . (p-type) كانت من نوع CuInTe وبينت نتائج قياسات تأثير هول ان جميع أغشية 2حاملات الشحنة وتحركية هول على درجة حرارة التلدين وسمك الاغشية


Article
The Influence of Annealing and Doping by Copper on Electrical Conductivity of CdTe Thin Films
تأثير التلدين والتشويب بالنحاس فى التوصيلية الكهربائية لأغشية CdTeالرقيقة

Author: Bushra. K.H.Al-Maiyaly بشرى كاظم حسون الميالي
Journal: Ibn Al-Haitham Journal For Pure And Applied Science مجلة ابن الهيثم للعلوم الصرفة والتطبيقية ISSN: 16094042 Year: 2015 Volume: 28 Issue: 1 Pages: 33-42
Publisher: Baghdad University جامعة بغداد

Loading...
Loading...
Abstract

In this research CdTe and CdTe: Cu thin films with different doping ratios (1, 2, 3, 4 and5) %, were deposited by thermal evaporation technique under vacuum on glass substrates atroom temperature in thickness 450 nm.The measurements of electrical conductivity (σ), and activation energies (Ea1, Ea2), havebeen investigated on (CdTe) thin films as a function of doping ratios, as well as the effect ofthe heat treatment at (373, 423, and 473) K° for one hour on these measurements werecalculated and all results are discussed.The electrical conductivity measurements show all films prepared contain two types oftransport mechanisms, and the electrical conductivity (σ) increases whereas the activationenergy (Ea) would decrease as the increasing (Cu) percentage in the sample except 5%. It isalso noticed that the electrical conductivity (σ) showed a decreasing trend with increasingannealing temperature, while the activation energies (Ea1, Ea2) showed opposite trend, wherethe activation energies increased with annealing temperature. Also the electrical conductivityvalues was found increased about 3- 4 orders when pure CdTe films are doped with (3, 4) %Cu and annealing at 473 K°.

في هذا البحث حضرت اغشية CdTe الرقيقة غير المشوبة والمشوبة بالنحاس بنسب تشويب مختلفة (1,2,3,4, 5) %بتقنية التبخير الحراري بالفراغ على ارضيات من الزجاج وبسمك 450nm عند درجة حرارة الغرفة . وحسبتقياسات التوصيلية الكهربائية (σ),وطاقات التنشيط(Ea1, Ea2) لاغشية (CdTe)دالة لتغيرنسب التشويب.وكذلك حسب تاثير المعاملة الحرارية بدرجات (373, 423, and 473) K° ومدة ساعة واحدة على هذه القياسات ونوقشت جميع هذه النتائج.وقد أظهرت قياسات التوصيلية الكهربائية ان لكل الاغشية المحضرة آليتين للانتقال الالكتروني ولوحظ زيادة التوصيلية الكهربائية مع نقصان طاقات التنشيط بزيادة نسبة (Cu) بالانموذج ماعدا النسبة 5%. كما لوحظ نقصان التوصيلية الكهربائية مع زيادة درجات حرارة التلدين ، بينما أظهرت طاقات التنشيط سلوكاُ معاكساُ,إذ أزدادت طاقات التنشيط مع زيادة درجة حرارة التلدين. كذلك وجد ان قيم التوصيلية الكهربائية تزداد بمقدار 3- 4 مراتب عند تطعيم اغشية CdTe النقية بنسبة (3, 4) % Cu وتلدينها عند درجة حرارة 473 K°.


Article
The Structural and Optical Properties of Zinc Telluride Thin Films by Vacuum Thermal Evaporation Technique
لخواص التركيبية والبصرية لاغشية ZnTe والمحضرة بتقنية التبخير الحراري في الفراغ

Authors: Samir A. Maki سمير عطا مكي --- Hanan K. Hassun حنان كاظم حسون
Journal: Ibn Al-Haitham Journal For Pure And Applied Science مجلة ابن الهيثم للعلوم الصرفة والتطبيقية ISSN: 16094042 Year: 2016 Volume: 29 Issue: 2 Pages: 70-80
Publisher: Baghdad University جامعة بغداد

Loading...
Loading...
Abstract

Different thicknesseses of polycrystalline ZnTe films have been deposited on to glasssubstrates by vacuum evaporation technique under vacuum 2.1x10-5 mbar. The structuralcharacteristics studied by X-ray diffraction (XRD) showed that the films are polycrystallineand have a cubic (zinc blende ) structure. The calculated microstructure parameters revealedthat the crystallite size increases with increasing film thicknesses. The optical measurementson the deposited films were performed in different thicknesseses [ 400 , 450 and 500]nm, todetermine the transmission spectrum and the absorption spectra as a function of incidentwavelength. The optical absorption coefficient (α) of the films was determined fromtransmittance spectra in the range of wavelength (400-1100) nm. The dependence ofabsorption coefficient, on the photon energy showed the occurrence of a direct transition withband gap energy from 2.24eV to 1.92eV (for ZnTe films of different thicknesseses), wherewith high film thicknesses there are several energy levels resulting in several overlappingenergy bands in the band gap of these films. The overlapping energy bands therefore tend toreduce the energy band gap, resulting in lower band gaps for thicker films.

المتعددة التبلور على ارضية من الزجاج وباسماك مختلفة باستعمال تقنية التبخير الحراري بالفراغ ZnTe رسبت اغشية2.1 وبدرجة حرارة الغرفة . تم دراسة الخواص التركيبية من خلال حيود الاشعة السينية قد x10-5 mbar تحت ضغطوهوالتركيب (Zinc-blende structure) اظهرت النتائج بأن الاغشية متعددة التبلور وهي من نوع ركاز الزنكالمكعبي. وكشفت الحسابات التركيبية للحجم الحبيبي بأنه يزداد مع زيادة سمك الاغشية .وحددت القياسات البصرية للاغشية400 ] طيف النفاذية والامتصاصية كدالة للطول الموجي ,ومن طيف , 450 and 500 ]nm المرسبة باسماك مختلفة400-1100 ) تم تحديد معامل الامتصاص البصري . وكان الانتقال المباشر لفجوة ) nm النفاذية لمدى الاطوال الموجيةوللاسماك المختلفة ) التأثير في اعتماد معامل الامتصاص في فجوة ZnTe 1.92 ( لاغشية eV 2.24 الى eV الطاقة منالطاقة والاستدلال على فجوة الطاقة من سمك الغشاء .


Article
Study The Effect of Thickness on The Structural and Optical constant of CdSe Thin Films
دراسة تاثير السمك على الخواص التركيبية والثوابت البصرية لاغشية سيلينايد الكادميوم (CdSe)الرقيقة

Authors: T.H.Mahmoud طاهر حمد محمود --- B.K.Hassun بشرى كاظم حسون --- S.A.Make سمير عطا مكي
Journal: Journal of College of Education مجلة كلية التربية ISSN: 18120380 Year: 2017 Issue: 1 Pages: 249-264
Publisher: Al-Mustansyriah University الجامعة المستنصرية

Loading...
Loading...
Abstract

In this research , pure (CdSe) thin films with a different thickness ( 300 , 500 ,700 ,900) ± 20 nm was deposited on glass substrate in room temperature ( 300K ) with deposition rate (0.7±0.01) nm /sec by thermal evaporation under vacuum technique , and then studies their structure and optical properties .The resultant of the structural analysis showed that all films with all thickness prepared were polycrystalline in nature and have hexagonal type structure with atomic growth in three crystal orientation which it [002] , [102] and [103] with Preferred orientation along [002] plane for all Prepared films.The optical analysis measurement showed that all prepared films have absorption coefficient with a value larger than (∝ > 〖10〗^4 〖cm〗^(-1)) and this value was increased when increasing the film thickness especially in the visible range of electromagnetic spectrum , the optical energy gap was founded in the range ( 1.70 -1.72 ) eV.

تم في هذا البحث ترسيب اغشية سيلينايد الكادميوم النقية بطريقـــة التبخير الحراري فــي الفراغ عـلى قواعد من الزجاج بــدرجة حـرارة الغرفــــــة ( 300k) وبسمــك مـختلف 20 nm±) 900 ،700 ، 500 ، 300 ) وبـمعـدل تــرسيب sec / 0.7nm ووجد بـان الاغشيـة النـاتجة كـانت ذات جـودة عالية مــن حيــث تجانس الغشاء والتصاقيته بالارضيات الزجاجية، ودرسـت خواصها التركيبية والبصرية. اظهرت نتائـج الفحوصــات التركيبية بـان جميع الاغشيــة الرقيقة ,والمحضرة بسمك مختلف كانت متعددة التبلور ومـن النـوع السداسـي مع نمو ذري بثلاثة اتجاهات بلورية هـي [103] و[102] و[002] كان المميز والسائد منها في الاتجاه [002] وللنماذج المحضرة كافة .امـــا نتائج الفحوصات البصريــة فـقـد بــيـنت بـان مـعامـل الامتصـاص للاغـشية المحــضرة كـــان ذو قــيمة اكــبر من (〖cm〗^(-1) α >〖10〗^4 ) وان هـذه الـقيمة تـزداد بشكل عام بزيادة السمك لاسيما عند الطاقات الفوتونية الواطئة ، اما بالنسبة الى قيمة فجوة الطاقة البصرية فلقد كانت ضمن المدى eV(1.70-1.72) .


Article
Effect of Doping Cu on the Structural and Optical Properties of (CdTe) Thin Films
تأثير التشويب بالنحاس على الخواص التركيبية والبصرية لأغشية تيليرايد الكادميوم الرقيقة

Loading...
Loading...
Abstract

In this research we studied the structural and optical properties of (CdTe) thin films which have been prepared by thermal evaporation deposition method on the glass substrate at R.T with thickness (450  25) nm., as a function of doping ratio with copper element in (1,3,5) % rate .The structure measurement by X-ray diffraction (XRD) analyses shows that the single phase of (CdTe) with polycrystalline structure with a preferred orientation [111]. The optical measurement shows that the (CdTe)films have a direct energy gap, and they decrease with the increase of doping ratio reaching to 5% . The optical constants are investigated and calculated, such as absorption coefficient (α), refractive index (n) , extinction coefficient (k) and the dielectric constants (Є) with both parts real and imaginary for the wavelengths in the range (300-1100) nm, before and after doping processes.

تناول هذا البحث دراسة الخواص التركيبية والبصرية لأغشية تيليرايد الكادميوم(CdTe ) الرقيقة والمحضرة بطريقة التبخير الحراري بالفراغ ,وبسمك450±25)nm ) والمرسبة على قواعد من الزجاج بدرجة حرارة الغرفة (R.T) , دالة لتغير نسب التشويب بعنصر النحاس (Cu ) بالنسب (1,3,5 % ).لقد اظهرت نتائج الفحوصات التركيبية بحيود الأشعة السينية (X-ray ) ان تركيب الأغشية المحضرة هو من النوع المتعدد التبلور وبالاتجاه السائد[111] .ومن خلال القياسات البصرية تبين ان لأغشية تيليرايد الكادميوم فجوة طاقة مباشره تقل قيمتها بزيادة نسب التشويب وصولا للنسبة (5% ).حُسبت الثوابت البصرية مثل معامل الامتصاص (α),ومعامل الانكسار(n),ومعامل الخمود (k),وثابت العزل (ϵ) بجزأيه الحقيقي والخيالي ضمن الطول الموجي 300-1100) nm ) قبل عملية التشويبوبعدها.


Article
The Optical Properties of Aluminum Doped CdO Thin Films Prepared by Vacuum Thermal Evaporation Technique
(Al) النقية و المشوبة ب(CdO)الخواص البصرية لأغشية والمحضرة بتقنية التبخير الحراري في الفراغ

Loading...
Loading...
Abstract

In this work, thin films of undoped and Al-doped CdO with (0.5, 1 and 2) wt.% were prepared by using thermal vacuum evaporation on glass substrate at room temperature. The optical absorption coefficient (α) of the films was determined from transmittance spectra in the range of wavelength (400-1100) nm. The spectral transmission and the optical energy band gap decrease from 75% and 2.24 eV to 20% and 2.1 eV respectively depending upon the Al content in the films, also our studies include the calculation of the optical constants (refractive index, extinction coefficient, real and imaginary part of dielectric constant) as a function of photon energy. It is evaluated that the optical band gap of the CdO film could be controlled by Al-doping. The width of localized states in the optical band gap of the films increases with the increase of Al content. The improvement of the optical constant of Al-doped CdO has potential applications as transparent conducting oxide for different optoelectronic device applications.

حضرت أغشية أوكسيد الكادميومCdO) ) الرقيقة النقية والمشوبة ب(Al) بنسب تشويب (0.5, 1, 2)% وبإعتماد تقنية التبخير الحراري الفراغي على أرضيات زجاجية بدرجة حرارة الغرفة, وحُسِب معامل الإمتصاص البصري(α) للأغشية الرقيقة من خلال طيف النفاذية بصفته دالة للطول الموجي ضمن المدى (400-1100) nm. ومن خلال النتائج وُجِد أن كِلا قيمتي النفاذية وفجوة الطاقة البصرية تتناقصان من 75% و2.24eV إلى 20% و2.1eV على الترتيب, وبالإعتماد على نسبة تشويب الألمنيوم Al)) في الأغشية المحضرة. وكذلك أحتوت الدراسة على حسابات الثوابت البصرية (معامل الإنكسار, معامل الخمود, وثابتي العزل الحقيقي والخيالي) بصفتها دالة لطاقة الفوتون الساقط على الغشاء. وقد وجد ان قيم فجوة الطاقة لغشاء CdO يمكن التحكم بها عن طريق نسبة التشويب بالألمنيوم بسبب زيادة عرض المستويات الموضعية في منطقة فجوة الطاقة البصرية للأغشية. وأظهرت النتائج أن تحسين الثوابت البصرية لأغشيةCdO:Al يجعل هذه الأغشية واسعة التطبيقات بصفتها أكـاسيد موصلـةشفـافة في مجال النبائط الالكتروضوئية


Article
The Effect of the (Se) percentage on Compositional, Morphological and structural properties of Bi2(Te1-xSex)3 thin films
تأثير نسبة (Se) على الخواص السطحية والتركيبية لاغشية Bi2(Te1-x Sex)3 الرقيقة

Loading...
Loading...
Abstract

Alloys of Bi2[Te1-x Sex]3 were prepared by melting technique with different values of Se percentage (x=0,0.1,0.3,0.5,0.7,0.9 and 1). Thin films of these alloys were prepared by using thermal evaporation technique under vacuum of 10-5 Torr on glass substrates, deposited at room temperature with a deposition rate (12nm/min) and a constant thickness (450±30 nm).The concentrations of the initial elements Bi, Te and Se in the Bi2 [Te1-x Sex]3 alloys with different values of Se percentage (x), were determined by XRF,The morphological and structural properties were determined by AFM and XRD techniques. AFM images of Bi2[Te1-x Sex]3 thin films show that the average diameter and the average surface roughness increase with the increase of the percentage of Se. The X–ray diffraction measurements for bulk and thin films of Bi2[Te1-xSex]3 have polycrystalline structure with rohmbohedral structure, with space group R3m, and a strong (015) preferred orientation, the crystallite increase with the increase of Se percentage .

تم تحضير سبائك المركب Bi2(Te1-x Sex)3 بعملية صهر المواد الاولية وفق نسب مختلفة لنسبة السيلينيوم (x=0 , 0.1 ,0.3 ,0.5 ,0.7,0.9 and 1). الاغشية الرقيقة لهذا المركب تم تحضيرها باستخدام تقنية التبخير الحراري تحت ضغط فراغ يصل الى 10-5 torr)) حيث تم ترسيب المادة على قواعد زجاجية نظيفة في درجة حرارة الغرفة بمعدل ترسيب((12nm/min بسمك ((450±30 nm. . قد تم التأكد من نسب المواد الأولية (Bi ,Te and Se) باستخدام جهاز فلورة الاشعة السينينة XRF , اما الخواص التركيبية للسبائك والاغشية الرقيقة لمركب Bi2(Te1-x Sex)3 باختلاف نسبة السيلينوم فيها بواسطة جهاز حيود الاشعة السينية XRD اما الخواص السطحية للاغشية الرقيقة تم فحصها باستعمال جهاز AFM وقد وجد ان اقطار الحبيبات تزداد بزيادة نسبة السيلينيوم فيها وكذلك يزداد معدل الخشونة فيها ان قياس حيود الاشعة السينية وجد ان السبائك والاغشية الرقيقة لها تركيب متعدد التبلور ذو تركيب سداسي وفسحة مجموعة R3m وكانت القمة السائدة والاقوى هي (015) وكذلك بينت ان حجم البلوريات يزداد بزيادة نسبة السيلينيوم في المركب .


Article
Characterization of n-CdO:Mg /p-Si Heterojunction Dependence on Annealing Temperature
اعتماد خصائص المفرق الهجيه n-CdO:Mg /p-Si علي درجت حرارة التلذيه

Loading...
Loading...
Abstract

In this research, thin films of CdO: Mg and n-CdO: Mg/ p-Si heterojunction with thickness (500±50) nm have been deposited at R.T (300 K) by thermal evaporation technique. These samples have been annealed at different annealing temperatures (373 and 473) K for one hour. Structural, optical and electrical properties of {CdO: Mg (1%)} films deposited on glass substrate as a function of annealing temperature are studied in detail.The C-V measurement of n-CdO: Mg/ p-Si heterojunction (HJ) at frequency (100 KHz) at different annealing temperatures have shown that these HJ were of abrupt type and the built-in potential (Vbi) increase as the annealing temperature increases.The I-V characteristics of heterojunction prepared under dark case at different annealing temperatures show that the values of ideality factor and potential barrier height increase with the increase of annealing temperature.

حى ف هزا انبحث ححض شٍ اغش تٍ CdO: Mg انشق قٍت وان فًشق انهد n-CdO:Mg/p- Si وبس كً (500±50) nmػ ذُ دسخت حشاسة انغشفت 300 K) ( باسخؼ اًل حق تٍُ انخبخ شٍ انحشاسي. ونذ جَ ان اًُرج ن ذًة ساػت واحذة ػ ذُ دسخاث حشاسةحهذ يخخهفت . (373,473)K% حى دساست انخىاص انخشك بٍ تٍ وانبصش تٌ وانكهشبائ تٍ لاغش تٍ ) 1 (CdO: Mg وان شًسبت ػهى اسض اٍث ي انضخاج كذانتنذسخت حشاسة انخهذ بانخفص مٍ.اوضحج خَائح ق اٍساث C-V نه فًشق انهد n-CdO:Mg/p- Si ػ ذُ حشدد 100KHz وػ ذُ دسخاث حشاسة حهذ يخخهفت ا ان فًشق ي ان ىُع انحاد وا خهذ انب اُء انذاخه ضٌداد يغ ص اٌدة دسخت حشاسة انخهذ .ٌٍو اوضحج خصائض I-V ف حانت انظلاو نه فًشق انهد ان حًضش وػ ذُ دسخاث حشاسة حهذ يخخهفت ا كم ي ق ىٍ ػايمان ثًان تٍ واسحفاع حاخض اندهذ حضداد يغ ص اٌدة دسخت حشاسة انخهذ .ٌٍ

Listing 1 - 9 of 9
Sort by
Narrow your search

Resource type

article (9)


Language

Arabic and English (9)


Year
From To Submit

2017 (2)

2016 (3)

2015 (1)

2014 (3)