research centers


Search results: Found 1

Listing 1 - 1 of 1
Sort by

Article
Study the Surface topography and electrical properties of GaAs:In / c-Si Composite Thin Films
دراسة طوبوغرافية السطح والخصائص الكهربائية لأغشية المركب GaAs:In/c-Si

Loading...
Loading...
Abstract

Gallium arsenide undoped and doped thin films with 5% Indium and thick of 500 nm by flash evaporative technology on glass substrate and silicon wafers at room temperature at 10-2 mbar pressure with deposition rate of 9.25Å/s. These films were annealed at (373 and 473) K for one hour. The images of the atomic force microscopy of the films deposited on glass substrates showed that the rate of surface roughness increased at the temperature of (373)K while it was reduced at (473)K. It was also observed that the average grain size increased with the increasing in the annealing temperature. The electrical properties showed that the prepared films had an electrical conductivity of 2.05×10-3(Ω.cm)-1and that the annealing led to a decrease in the values of the electrical conductivity while there was an increase in the values of the mobility by increasing the temperature of annealing. A study of Hall's effect showed that all the prepared films have a positive type (p-type) and that the concentration of charge carriers (nH) decreased by increasing the annealing temperature and Hall's mobility (µH) increased by increasing the annealing temperature. The voltage of the open circuit (Voc) increases with the increase in the temperature of the alternation due to the increase of the short circuit current Isc. The value of the FF and the efficiency of the solar cell (η) increases with the increase of the temperature of the intercellular hybrid.

تم تحضير أغشيــــة الكاليوم أرسنايد النقية والمشوبة بالانديوم بنسبة %5 من عنصر الانديـــــومبسمك 500 (nm) بتقنية التبخير الوميضي على أرضيات من الزجاج ورقائق السليكون بدرجة حرارة الغرفـة وضغط فراغي 10-2mbar بمعدل ترسيب 9.25Å/s ثم لدنت الأغشية بدرجات حرارة 373)K،473) لمدة ساعة واحدة.أظهر تصور مجهر القوى الذرية للأغشية المرّسبة على ارضيات من الزجاج أن معدل خشونة السطح ازداد عند التلدين بدرجة حرارة ((373K بينم اقل عند التلدين بدرجة حرارة(473 K) كما لوحظ أن متوسط حجم الحبيبي يزداد مع زيادة درجة حرارة التلدين. أظهرت الخواص الكهربائية ان الأغشية المحضرة تمتلك توصيلية كهربائية بمقدار .05×10-3(.cm)-1 2 وان التلدين أدى الى انخفاض في قيم التوصيلية الكهربائية بينما كانت هناك زيادة في قيم التحركية بزيادة درجة حرارة التلدين. تبين من دراسة تأثير هول أن جميع الاغشية المحضرة هي من النوع الموجب (p-type) وان تركيز حاملات الشحنة (nH) يقل بزيادة درجة حرارة التلدين وتحركية هول (µH) تزداد بزيادة درجة حرارة التلدين. ان فولتية الدائرة المفتوحة (Voc) تزداد مع زيادة درجة حرارة التلدين ويرجع ذلك إلى زيادة تيار الدائرة القصيرة Isc كما إن قيمة عامل المليء (FF) وكفاءة الخلية الشمسية (η) تزداد بشكل عام مع زيادة درجة حرارة التلدين للمفرق الهجين.

Listing 1 - 1 of 1
Sort by
Narrow your search

Resource type

article (1)


Language

Arabic (1)


Year
From To Submit

2018 (1)