research centers


Search results: Found 7

Listing 1 - 7 of 7
Sort by

Article
Conjugated Polymer (MEH-PPV:MWCNTs) Organic Nanocomposite for Photodetector Application
المركب النانوي العضوي للبوليمر المترافق MEH-PPV المدمج مع الانابيب الكاربونية متعددة الجدران لتطبيقات الكاشف الضوئي

Authors: Isam M. Ibrahim عصام محمد ابراهيم --- Abeer H. Khalid عبير حازم خالد
Journal: Baghdad Science Journal مجلة بغداد للعلوم ISSN: 20788665 24117986 Year: 2018 Volume: 15 Issue: 4 Pages: 441-448
Publisher: Baghdad University جامعة بغداد

Loading...
Loading...
Abstract

Fabrication of a photodetector consists of the conjugated polymer "MEH-PPV"- poly (2-methoxy-5-(2'-ethylhexyloxy)-1,4-phenlenevinylene) and MEH-PPV:MWCNT nanocomposite thin film. The volume ratio investigated was 0.75:0.25. MEH-PPV was dissolved in chloroform solvent and doped with MWCNTs. The spin coating method was used to achieve a facile and low cost photodetector. The absorption spectrum decreases by adding the CNTs. The PL spectrum detected recombination curve results by doping the polymer with CNTs, and AFM measurement showed an increase of roughness average from (0.168 to 2.43nm) of "MEH-PPV" and "MEH-PPV:CNTs", respectively. The doping ratio 0.25, which has a higher photoresponsivity, was evaluated at 1.70 A/W and 2.14 A/W of the UV and Vis. wavelength range. Time-dependent photocurrent analysis showed that the higher sensitivity was 176.56 % at 350nm and 290.99% at 500 nm of the "MEH-PPV:MWCNTs" thin films, while I-V characteristics showed a rectifying behavior.

لقد تم التحقيق من تصنيع كاشف ضوئي يتكون الغشاء الرقيق من البوليمر المترافق poly(2-methoxy-5-(2'-ethylhexyloxy)-1,4-phenlenevinylene) و من المركب النانوي MEH-PPV:MWCNT و بنسبة حجمية 0.75 للبوليمر: 0.25 للكاربون متعدد الانابيب . اذيب البوليمر المترافق MEH-PPV بمذيب الكلوروفورم وطعم بالانابيب الكاربونية متعددة الجدران. طريقة الطلاء البرمي استخدمت للوصول الى كاشف ضوئي سهل وسعره منخفض . طيف الامتصاص ينخفض مع اضافة الكاربون نانو تيوب . طيف الاستضائية PL يكشف منحني اعادة الاتحاد ينتج من تطعيم البوليمر مع الكاربون نانو تيوب وقياسات مجهر القوة الذرية AFM يظهر زيادة بمعدل خشونة السطح من 0.168 الى 2.43 للبوليمر المترافق MEH-PPV و MEH-PPV: CNT بالتتابع . نسبة التطعيم 0.25 لها أعلى استجابية ضوئية وتقدر1.70A/W و 2.14A/W لمدى الاطوال الموجية الفوق بنفسجي والمدى المرئي. تحليل التيار الضوئي المعتمد على الزمن يظهر بان التحسسية الاعلى كانت 176.56% عند الطول الموجي 350nm و 290.99% عند الطول الموجي 500 nm للاغشية الرقيقة MEH-PPV:MWCNTs ، خصائص I-V تظهر سلوك المقوم.


Article
The effect of current density on the structures andphotoluminescence of n-type porous silicon
تاثير كثافة التيارعلى الخصاﺋص التركيبية وطيف اللمعان الضوﺋﻲ للسيليكون المسامي من النوع n

Authors: Nada K. Abbas ندى خضير عباس --- Isam M. Ibrahim عصام محمد ابراهيم --- Manal A. Saleh منال علي صالح
Journal: Iraqi Journal of Physics المجلة العراقية للفيزياء ISSN: 20704003 Year: 2017 Volume: 15 Issue: 34 Pages: 15-28
Publisher: Baghdad University جامعة بغداد

Loading...
Loading...
Abstract

Porous silicon (PS) layers were formed on n-type silicon (Si) wafers using Photo- electrochemical Etching technique (PEC) was used to produce porous silicon for n-type with orientation of (111). The effects of current density were investigated at: (10, 20, 30,40, and50) mA/cm2with etching time: 10min. X-ray diffraction studies showed distinct variations between the fresh silicon surface and the synthesized porous silicon. The maximumcrystal size of Porous Silicon is(33.9nm) and minimum is (2.6nm) The Atomic force microscopy (AFM) analysis andField Emission Scanning Electron Microscope (FESEM) were used to study the morphology of porous silicon layer. AFM results showed that root mean square (RMS) of roughness and the grain size of porous silicon decreased as etching current density increased and FESEM showed that a homogeneous pattern and confirms the formation of uniform porous silicon. The chemical bonding and structure were investigated by using Fourier transformation infrared spectroscopy (FTIR). The band gap of the samples obtained from photoluminescence (PL). These results showed that the band gap of porous silicon increase with increasing porosity.

ﺗﻢ ﺗﺸﻜﯿﻞ طﺒﻘﺎت اﻟﺴﯿﻠﻜﻮن اﻟﻤﺴﺎﻣﻲ ﻋﻠﻰ ﺷﺮاﺋﺢ اﻟﺴﯿﻠﻜﻮن ﻧﻮعn وذو اتجاهية (111) ﺑﺄﺳﺘﺨﺪام طﺮﯾﻘﺔ اﻟﻘﺸﻂ اﻟﻜﮭﺮوﻛﯿﻤﯿﺎئي ودراسة ﺗﺄﺛﯿﺮ أﺧﺘﻼف كثافة التيار (mA 10,20,30,40 and 50)ﻋﻠﻰ اﻟﺨﺼﺎﺋﺺ اﻟﺘﺮﻛﯿﺒﯿﺔ واﻟﺒﺼﺮﯾﮫ ﻟﻠﺴﯿﻠﻜﻮن اﻟﻤﺴﺎﻣﻲ وثبوت زمن القشط (10 ثواني). لقد اوضحت نتاﺋج حيود الاشعة السينية XRD ان طيف التركيب المسامي يختلف عن نظيره البلوري حيث كان اعلى حجم بلوري nm 33.9 واقل حجم بلوري 2.6 nm تم استخدام تقنية مجهر القوة الذرية AFM ودراسة طﺒﻮﻏﺮاﻓﯿﺔ السطح ﺑﺄﺳﺘﺨﺪام اﻟﻤﺠﮭﺮ اﻟﻤﺎﺳﺢ اﻷﻟﻜﺘﺮوﻧﻲFESEMحيث اوضحت نتائج AFMانمقدار الجذر التربيعي لمعدل خشونة السطح والحجم الحبيبي لسطح السيليكون المسامي قد يقل مع زيادة كثافة تيار التنميش. ان التركيب والتآصر الكيميائي للسيليكون المسامي تم فحصه بواسطة تقنية .FTIR اظهرت دراﺳﺔ طﯿﻒاﻟﻠﻤﻌﺎن اﻟﻀﻮﺋﻲ للسيليكون اﻟﻤﺴﺎﻣﻲ بان فجوة الطاقة للسيلكون المسامي تزداد بزيادة المسامية.


Article
Sensitivity of Ce doped CuO for NO2 gas
تحسسية أوكسيد النحاس المطعم بالسيريوم لغاز ثاني أوكسيد النتروجين (NO2)

Authors: Isam M. Ibrahim عصام محمد ابراهيم --- Jobair A. Najim جبير عبدالله نجم --- Aws M. Rakea أوس موفق راكع
Journal: Iraqi Journal of Physics المجلة العراقية للفيزياء ISSN: 20704003 Year: 2017 Volume: 15 Issue: 35 Pages: 64-74
Publisher: Baghdad University جامعة بغداد

Loading...
Loading...
Abstract

In this work the structural, optical and sensitive properties of Cerium - Copper oxide thin film prepared on silicon and glass substrate by the spray pyrolysis technique at a temperature of (200, 250, 300 °C). The results of (XRD) showed that all the prepared films were of a polycrystalline installation and monoclinic crystal structure with a preferable directions was (111) of CuO. Optical characteristics observed that the absorption coefficient has values for all the prepared CuO: Ce% (104 cm-1) in the visible spectrum, indicating that all the thin films prepared have a direct energy gap. Been fabrication of gas sensors of (CuO: Ce %) within optimum preparation conditions and study sensitivity properties were examined her exposed to nitrogen dioxide (NO2) with concentration ratio of 3 %, at operating temperatures (R.T, 200 and 300 °C). It is found that the maximum sensitivity at concentration value (Ce=50 %) which it is equal to (39.15 %) at operating temperature (300 °C).

تم في هذا البحث مناقشة الخصائص التركيبية، البصرية والتحسسية لأغشية أوكسيد السيريوم - أوكسيد النحاس الرقيقة المرسبة على قواعد من السليكون والزجاج بواسطة تقنية التحلل الكيميائي الحراري في درجات حرارة مختلفة ( ̊C300 ،250 ،200) وأظهرت نتائج حيود الاشعة السينية (XRD) أن جميع الاغشية المحضرة تمتلك تركيب متعدد التبلور (polycrystalline) أحادية الميل (monoclinic) وان الاتجاه المفضل هو (111). ولوحظ من الخصائص البصرية ان قيمة معامل الامتصاص لجميع اغشية (CuO:Ce) هي (104 cm-1) في منطقة الطيف المرئي وهذا يعني ان جميع الاغشية الرقيقة المحضرة تمتلك فجوة طاقة مباشرة. تم تصنيع خلية متحسس غاز من اغشية (CuO:Ce) ضمن ظروف التحضير المثلى وتم دراسة الخواص التحسسية لها بتعريضها لغاز ثاني اوكسيد النتروجين ((NO2 بنسبة 3 %، و ان افضل درجة حرارة تشغيل للمتحسس هي 300 °C) و(200 . وجد ان اعظم قيمة للحساسية عند نسبة اضافة (Ce=50%) والتي تساوي (39.15%) عند درجة حرارة (300 °C).


Article
In2O3-ZnO pyramids like structure prepared by Spray-pyrolysis Technique for gas Sensing Applications
المركب In2O3-ZnO الشبيه بالاهرامات والمحضر بتقنية الرش الكيميائي لتطبيقات المتحسسات الغازية

Authors: Ismaail K. Jasim اسماعيل خليل جاسم --- Isam M. Ibrahim عصام محمد ابراهيم --- Marwan K. Alyas مروان خزعل الياس
Journal: Iraqi Journal of Science المجلة العراقية للعلوم ISSN: 00672904/23121637 Year: 2018 Volume: 59 Issue: 1A Pages: 67-74
Publisher: Baghdad University جامعة بغداد

Loading...
Loading...
Abstract

Polycrystalline Indium oxide (In2O3) and Indium oxide-zinc oxide (IZO) thin films mixed with 10% ZnO content were prepared by spray-pyrolysis technique at relatively low substrate temperature (150 ˚C).Field emission scanning electron microscope (FE-SEM) shows that the nanostructure at 10% ZnO content has pyramid like structure. The hall effect measurements show that the prepared samples have n-type charge carriers .The films were examined as gas sensor against H2S gas at different operating temperatures (200, 250 and 300) oC, and it was found that the IZO sample a good sensitivity to H2S gas ~ 572 % at operating temperature 200 oC, with relatively fast response time of 19 s and recovery time of 17 s.

حضرت اغشية رقيقة بتركيب متعدد التبلور من اوكسيد الانديومIn2O3 واوكسيد الانديوم-اوكسيد الزنك IZOبنسبة 10% ZnO بطريقة الرش الكيميائي الحراري على قواعد من الزجاج وعند درجة حرارة قاعدة (oC150 ) . اظهرت صور المجهر الالكتروني الماسح FE-SEMان التركيب النانوي عند اضافة 10% ZnO يكون ذو تركيب شبيه بالاهرام.اظهرت قياسات هول ان العينات المحضرة لها نوع حاملات شحنة من نوع n-type . تم اجراء فحوصات للاغشية كمتحسس للغازات السامة ومنها كبريتييد الهيدروجين عند درجات حرارة تشغيل تتراوح بين ( oC250,200 و300) ووجد ان عينه ال IZO لها تحسسية عالية لغاز كبريتيد الهيدروجين تتراوح 572% عند درجة حرارة oC200 , وبزمن سرعة استجابة 19 ثانية وزمن اعادة 17 ثانية.


Article
The effect of gold nanoparticles on WO3 thin film
تاثير الجزيئات النانوية للذهب على الاغشية الرقيقة للتنكستن

Loading...
Loading...
Abstract

Chemical spray pyrolysis technique was used at substrate temperature 250 ˚C with annealing temperature at 400 ˚C (for 1hour) to deposition tungsten oxide thin film with different doping concentration of Au nanoparticle (0, 10, 20, 30 and 40)% wt. on glass substrate with thickness about 100 nm. The structural, optical properties were investigated. The X-ray diffraction shows that the films at substrate temperature (250 ˚C) was amorphous while at annealing temperature have a polycrystalline structure with the preferred orientation of (200), all the samples have a hexagonal structure for WO3 and Au gold nanoparticles have a cubic structure. Atomic force microscopy (AFM) was used to characterize the morphology of the films. The optical properties of the films were studied using UV-Vis spectrophotometer within the wavelength in the range (300-1100) nm. The optical energy gap of the films was (2.80) eV for WO3 and it decreased at annealing temperature (400 ˚C) equal to (2.65) eV. And finally the optical constants such as refractive index, real and imaginary dielectrics, absorption coefficient, absorption, transmission, and extinction coefficient were investigated.

اُستخدامت طريقة التحليل الكيميائي الحراري عند حرارة 250 ˚Cو لدنت هذه الاغشية لمدة ساعة بحرارة 400 ˚C, لترسيب اغشية رقيقة من اوكسيد التنكستن بتراكيز تطعيم مختلفة من جزيئات الذهب النانوية (0, 10, 20, 30 و 40) % wt., على قواعد زجاجية وبسمك حوالي 100 nm, اُجريت الفحوصات التركيبية والبصرية, بينت من الخصائص التركيبية للاغشية المحضرة على الارضيات الزجاجية باستخدام حيود الاشعة السينية XRD انها تمتلك طور غير متبلور عند حرارة 250 ˚C, وتمتلك تركيب متعدد البلورات وبالطور السداسي لاوكسيد التنكستن وبالاتجاه المفضل 200)) وان اغشية WO3 المشوبة بالذهب لها تركيب في الطور مكعب عند حرارة تلدين 400 ˚C اُستخدم المجهر القوة الذرية لتعيين طبيعة السطح كما درست الخصائص البصرية باستخدام مطياف الاشعة فوق البنفسجية والاشعة المرئية مع طول موجي يتراوح بين nm 300-1100)). وكانت فجوة الطاقة البصرية لاغشية التنكستن (2.80) eV تناقصت مع حرارة التلدين الى .(2.65) eV وتم حساب الثوابت البصریه الاخرى مثل معامل الانكسار, النفاذية, الامتصاصية, معامل الخمود وثابت العزل الحقیقي والخیالي, ومعامل الامتصاص للاغشیه المحضره.


Article
Structural and Optical Properties of Ce-Cupric Oxide Thin Films
الخصائص التركيبية والبصرية لأغشية اوكسيد السيريوم-النحاس الرقيقة

Loading...
Loading...
Abstract

This work focuses discusses the structural and optical properties of Cerium- Cupric oxide thin film prepared on silicon and glass substrate by the spray pyrolysis technique at a temperature of 200,250,300 ̊C. The results of (XRD) tests showed that all the prepared films were of a polycrystalline installation and monoclinic crystal structure with a preferable direction was (11-1) of CuO. Morphology analysis studied by atomic force microscopy (AFM) and reveals that the grain size of the prepared thin film is approximately (64.69-101.26)nm , with a surface roughness of (0.238– 0.544) nm as well as root mean square of (0.280-0.636)nm for CuO Ce-doping, Optical characteristics were studied by UV/VIS Spectrophotometer at (300- 1100 nm) and observed that the transmission value was more than 80 % at the visible wavelength range. The direct energy gap (Eg) ranged between (1.70-3.00) eV at temperature 200 ̊C and then the values of the energy gap decreases with increasing temperature of substrate when, is measured by UV/VIS.

تم في هذا البحث مناقشة الخصائص التركيبية والبصرية لأغشية أوكسيد السيريوم- أوكسيد النحاس الرقيقة المرسبة على قواعد من السيليكون والزجاج بواسطة تقنية التحلل الكيميائي الحراري في درجات حرارة مختلفة ̊ C300،250، 200، وأظهرت نتائج حيود الاشعة السينية (XRD) أن جميع الاغشية المحضرة تمتلك تركيب متعدد التبلور (polycrystalline) أحادية الميل (monoclinic) وان الاتجاه المفضل هو (11-1). درست طبوغرافية السطح من خلال مجهر القوة الذرية (AFM) وقد تبين أن الحجم الحبيبي للأغشية الرقيقة المحضرة حوالي(64.69-101.26)nm ، مع خشونة السطح(0.238– 0.544) nm وكذلك متوسط الجذر التربيعي (RMS)(0.280-0.636)nm لأغشية أوكسيد النحاس- سيريوم الرقيقة المحضرة، وقد تمت دراسة الخصائص البصرية بواسطة ﻣﻄﯿﺎف اﻟﻨﻔﺎذﯾﺔ ﻟﻼﺷﻌﺔ اﻟﻤﺮﺋﯿﺔ –ﻓﻮق اﻟﺒﻨﻔﺴﺠﯿﺔ (UV-VIS)عند طول موجي ,(300 - 1100 nm) ولوحظ أن قيمة النفاذية كانت أكثر من 80% في نطاق الطول الموجي المرئي وان فجوة الطاقة المباشرة تمتلك قيم متدرجة بين (1.70-3.00) eV عند درجة حرارة C 200 ̊، ثم تنخفض قيم فجوة الطاقة مع زيادة درجة حرارة القاعدة.


Article
Influence of Nd and Ce doping on the structural, optical and electrical properties of V2O5 thin films
تأثير التطعيم بالنديميوم والسيريوم على الخصائص التركيبية والبصرية والكهربائية لأغشية اوكسيد الفناديوم

Loading...
Loading...
Abstract

Nano-structural of vanadium pentoxide (V2O5) thin films were deposited by chemical spray pyrolysis technique (CSPT). Nd and Ce doped vanadium oxide films were prepared, adding Neodymium chloride (NdCl3) and ceric sulfate (Ce(SO4)2)of 3% in separate solution. These precursor solutions were used to deposit un-doped V2O5 and doped with Nd and Ce films on the p-type Si (111) and glass substrate at 250°C. The structural, optical and electrical properties were investigated. The X-ray diffraction study revealed a polycrystalline nature of the orthorhombic structure with the preferred orientation of (010) with nano-grains. Atomic force microscopy (AFM) was used to characterize the morphology of the films. Un-doped V2O5 and doped with 3% concentration of Nd and Ce films have direct allowed transition band gap.The mechanisms of dc-conductivity of un-doped V2O5 and doped with Nd and Ce filmsat the range 303Kto 473K have been discussed.

اغشية اوكسيد الفناديوم الرقيقة ذات التركيب النانوي قد تم ترسيبها بتقنية الرش الكيميائي، كما تم تطعيم اغشية اوكسيد الفناديوم بالنيديميوم Ndوالسيريوم Ceبإضافة كلوريد النيديميوم وكبريتات السيريوم بنسبة 3% لكل من Nd و Ce في محلولين منفصلين. ورسبت الاغشية على ارضية من السليكون نوع N ذات التوجه بلوري (111) وارضيات من الزجاج وبدرجة حرارة اساس °C 250. تم اجراء الفحوصات التركيبية والبصرية والكهربائية حيث اظهرت نتائج فحوصات الاشعة السينية ان العينات لها تركيب متعدد التبلور ومعيني قائم وبدورانية (010) وبحجم نانوي. كما تمت معرفة خواص السطح بإجراء فحوصات مجهر القوة الذرية. تمتلك اغشية V2O5 النقية والمطعمة بالنيديميوم Ndوالسيريوم Ceفجوة طاقة مباشرة مسموحة كما نوقشت ميكانيكيه التوصيلية المباشرة للأغشية المحضرة.

Listing 1 - 7 of 7
Sort by
Narrow your search

Resource type

article (7)


Language

English (7)


Year
From To Submit

2018 (4)

2017 (2)

2016 (1)