research centers


Search results: Found 2

Listing 1 - 2 of 2
Sort by

Article
Structural and morphological study of nanostructured n-type silicon
دراسة الخصائص التركيبية النانوية للسيليكون المسامي من النوع المانح

Loading...
Loading...
Abstract

In this study, investigations of structural properties of n-type porous silicon prepared by laser assisted-electrochemical etching were demonstrated. The Photo- electrochemical Etching technique, (PEC) was used to produce porous silicon for n-type with orientation of (111). X-ray diffraction studies showed distinct variations between the fresh silicon surface and the synthesized porous silicon surfaces. Atomic force microscopy (AFM) analysis was used to study the morphology of porous silicon layer. AFM results showed that root mean square (RMS) of roughness and the grain size of porous silicon decreased as etching current density increased. The chemical bonding and structure were investigated by using fourier transformation infrared spectroscopy (FTIR). Porosity of the porous silicon layer and thickness were determined gravimetrically. Increasing the etching current density led to increase the surface porosity and thickness. Porosity between77% and 82% were observed for current densities between 24 mA/cm2 and 116 mA/cm2.

لقد تم في هذا البحث دراسة الخصائص التركيبية لطبقة السيليكون المسامي على القواعد السيليكونية من النوع المانح المحضر بطريقة التنميش الكهروكيميائي بمساعدة اشعة الليزر .لقد اوضحت نتائج حيود الاشعة السينية XRD ان طيف التركيب المسامي يختلف عن نظيره البلوري. تم استخدام تقنية مجهر القوة الذرية(AFM) لدراسة طبوغرافية السليكون المسامي . لقد اوضحت النتائج العملية ان مقدار الجذر التربيعي لمعدل خشونه سطح السليكون قد ازداد مع زيادة كثافة تيار التنميش. ان التركيب والتأصر الكميائي للسليكون المسامي تم فحصه بواسطة تقنية FTIR . ان النسبة المئوية للمسامية وسمك الطبقة المسامية تم تحديدها بالطريقة الوزنية . لقد وجد ان كل من سمك الطبقة المسامية والنسبة المئوية للمسامية قد ازدادت مع زيادة كثافة تيار التنميش. ان قيم المسامية للطبقة المقاسة بالطريقة الوزنية تزداد من 77% الى 82% عندما يكون كثافة تيار التنميش مابين 24mA/cm2 و 116mA/cm2 .


Article
Formation and Characterization of Co2O3 and Co2O3(1-x):Cux Thin Films
تحضير وتوصيف أغشية Co2O3 و Co2O3:Cuالرقيقه

Loading...
Loading...
Abstract

Co2O3 and Co2O3(1-x):Cux films have been deposited by using spray pyrolysis technique on a glass substrates. The optical properties of the cobalt oxide have been studied as a function of doping concentration with Cu. Changes in direct optical band gap energy of cobalt oxide films were confirmed after doping, Eg increased from 1.48 and 1.95 eV for the undoped Co2O3 to 1.55 and 2.05 eV with increasing the doping concentration to 5%. The effect of doping on the optical parameters of Co2O3 thin films such as transmittance, reflectance, absorption coefficient, refractive index, extinction coefficient, and real and imaginary parts of dielectric constant has been reported.

تم ترسيب أغشية رقيقة من أوكسيد الكوبلت Co2O3 وأوكسيد الكوبلت المشوب بالنحاس Co2O3:Cu على قواعد زجاجية بأستخدام تقنية التحلل الكيميائي الحراري. تم دراسة الخواص البصرية لأغشية Co2O3 كداله لنسب التشويب بCu. تم تأكيد التغييرات الحاصله في فجوة الطاقة البصريه بعد التشويب.حيث أزدادت Eg من 1.48 وeV1.95 لغشاء أوكسيد الكوبلت غير المشوب الى 1.55 وeV2.05 لغشاء أوكسيد الكوبلت المشوب بنسبة 5% من النحاس. تم دراسة تأثير التشويب على المعلمات البصريه لأغشيةCo2O3 الرقيقة مثل: النفاذية، الانعكاسية، معامل الامتصاص, معامل الأنكسار، معامل الخمود، ثابت العزل الحقيقي وثابت العزل الخيالي.

Listing 1 - 2 of 2
Sort by
Narrow your search

Resource type

article (2)


Language

English (2)


Year
From To Submit

2013 (1)

2012 (1)