research centers


Search results: Found 9

Listing 1 - 9 of 9
Sort by

Article
The structure and optical properties of CdSe:Cu Thin Films
الخواص التركيبية والبصرية للأغشيةالرقيقة CdSe:Cu

Authors: Ikbal S. Naji اقبال سهام ناجي --- Tariq. J. Alwan طارق جعفر علوان --- Eman M.N.Al-Fawadi ايمان مزهر ناصر الفوادي
Journal: Baghdad Science Journal مجلة بغداد للعلوم ISSN: 20788665 24117986 Year: 2009 Volume: 6 Issue: 1 Pages: 141-149
Publisher: Baghdad University جامعة بغداد

Loading...
Loading...
Abstract

A polycrystalline CdSe thin films doped with (5wt%) of Cu was fabricated using vacuum evaporation technique in the substrate temperature range(Ts=RT-250)oC on glass substrates of the thickness(0.8μm). The structure of these films are determined by X-ray diffraction (XRD). The X-ray diffraction studies shows that the structure is polycrystalline with hexagonal structure, and there are strong peaks at the direction (200) at (Ts=RT-150) oC, while at higher substrate temperature(Ts=150-250) oC the structure is single crystal. The optical properties as a function of Ts were studied. The absorption, transmission, and reflection has been studied, The optical energy gap (Eg)increases with increase of substrate temperature from (1.65-1.84)eV due to improvement in the structure. The amorphousity of the films decreases with increasing Ts. The films have direct energy gap and the absorption edge was shift slightly towards smaller wavelength for CdSe:Cu thin film with increase of substrate temperature.it was found that the absorption coefficient was decreased with increasing of substrate temperature due to increases the value of(Eg). The CdSe:Cu films showed absorption coefficient in the range (0.94 x104-0.42x104)cm-1at Ts=RT-250 oC. Also the density of state decreases with increasing of substrate temperatures from (0.20-0.07)eV, it is possibly due to the recrystallization by the heating substrate temperatures.. Also the extinction coefficient, refractive index and dielectric constant have been studied.

حضرت الأغشية الرقيقة CdSe:Cu المتعددة البلورات والمطعمة بالنحاس بنسبة (5wt%) بأستعمال تقنية التيخير الفراغي بمدى درجة حرارة اساس (Ts=RT-250)oC على قواعد زجاجية. حدد تركيب تلك الاغشية بواسطة الفحص بالأشعة السينية (XRD) . بينت دراسات حيود الاشعة السينية بان التركيب يكون من النوع المتعدد البلورات السداسي, وهناك قمة قوية بالاتجاه (200) عند(Ts=RT-250) oC بينما عند درجات حرارة الأساس العالية(Ts=150-250) oC يتحول التركيب الى البلورة المفردة . درست الخصائص البصرية كدالة لدرجة حرارة الأساس(Ts) ودرست النفاذية والأمتصاصية والأنعكاسية. فجوة الطاقة تزداد بزيادة درجة حرارة الأساس من(1.65-1.84)eV وتقل العشوائية نتيجة للتحسن بالتركيب البلوري. تمتلك الأغشية فجوة طاقة مباشرة و تزاح حافة الأمتصاص بأتجاه الأطوال الموجية القصيرة لأغشية CdSe:Cu بزيادة درجة حرارة الأساس وجد بأن معامل الأمتصاص يقل بزيادة درجة حرارة الأساس من(0.94 x104-0.42x104)cm-1at Ts=RT-250 oC, كذلك تقل كثافة الحالات بزيادة درجة حرارة الأساس (0.20-0.07)eV ذلك نتيجة لاعادة التبلور بواسطة التسخين بدرجة حرارة الأساس..كذلك درس معامل الخمود ومعامل الأنكسار وثوابت العزل كدالة لدرجة حرارة الأساس .


Article
The Optical and Electrical Properties of CdSe Thin Films Prepared by CBD Technique
الخواص البصرية والكهربائية لأغشية CdSe المحضرة بطريقة ترسيب الحمام الكيميائي (CBD)

Authors: Nawfal Y. Jamil نوفل يوسف جميل --- Marwa T. Mahmood مروة ثامر الشماع --- Noor A. Mustafa نور عبد السلام الرضواني
Journal: Rafidain journal of science مجلة علوم الرافدين ISSN: 16089391 Year: 2012 Volume: 23 Issue: 1E Pages: 116-125
Publisher: Mosul University جامعة الموصل

Loading...
Loading...
Abstract

In this work thin films of CdSe were deposited on glass substrate by chemical bath deposition technique at different deposition temperatures 298, 318, and 328 K. The effects of deposition temperature on the optical properties have been studied as well as the effect of annealing at different temperatures (373, 473, 573 and 673 K) for one hour. The optical properties of CdSe were studied from transmittance measurements as a function of a range of wave lengths (320-1000 nm). Optical band gap has been decreased from 2 to 1.7 eV after annealing. CdSe/p-Si was prepared by depositing CdSe film on the p-type Si substrate. The I-V characteristics showed a diode behavior.

في هذا البحث تم تحضير أغشية CdSe بطريقة ترسيب الحمام الكيميائي(CBD) عند درجات حرارة مختلفة (298, 318 and 328 K)، ودراسة تأثير درجات حرارة الترسيب على الخواص البصرية وتأثير التلدين بدرجات حرارة (373, 473, 573 and 673 K) ولزمن ساعة واحدة على طاقة الفجوة لغشاء (CdSe)، إذ تم قياس النفاذية بوصفها دالة للطول الموجي ضمن المدى (320-1000 nm)ووجد أن طاقة الفجوة البصرية تقل من 2 إلى 1.7 الكترون- فولت بعد التلدين. تم تحضير CdSe/p-Si بترسيب غشاء CdSe على نماذج من السليكون نوع p-type ودراسة خواصها الكهربائية وأظهرت النتائج الحصول على نبيطة ثنائي من خلال قياسات I-V.


Article
The Effect of γ-Irradiation on the Structural and Physical Properties of CdSe Thin Films
تأثير تشعيع γ على الخواص التركيبية والبصرية لأغشية CdSe الرقيقة

Authors: Nawfal Y. Jamil نوفل يوسف جميل --- Suha A. Najim سهى عبد الله نجم --- Abid Al-karem M. Muhammed عبد الكريم مخلف محمد
Journal: Rafidain journal of science مجلة علوم الرافدين ISSN: 16089391 Year: 2014 Volume: 25 Issue: 3E Pages: 90-98
Publisher: Mosul University جامعة الموصل

Loading...
Loading...
Abstract

Thin film of CdSe has been deposited on to the clean glass substrate by using CBD technique at room temperature. The samples are irradiated by γ-ray with various doses (0.25,0.5,1.0,1.5) Gy. These films are characterized by XRD, which indicated that as-deposited CdSe layers and irradiated films at 0.25 and 0.5 Gy of γ- ray grow in cubic phase having preferred orientation along (111) plane in c-direction. Further, the irradiated films at 1.0 and 1.5 Gy of γ- ray show polycrystalline in nature with a mixture of cubic along with hexagonal structures. Optical absorption spectra of these thin films have been recorded using spectrophotometer. The energy band gap has been determined using these spectra. It is found that the energy band gap of CdSe film is 2.09 eV and it is increased with the increase of γ- irradiation dose. The electrical conductivity measurements gave a decrease in conductivity with the increase of γ- irradiation dose.

رُسبت أغشية CdSe الرقيقة على أرضية نظيفة من الزجاج باستخدام تقنية الترسيب بالحمام الكيميائي Chemical Bath Deposition CBD)) عند درجة حرارة الغرفة. العينات تم تشعيعها بواسطة أشعة γ عند جرعات مختلفة Gy(1.5,1.0,0.5,0.25). هذه الأغشية تم وصفها بواسطة XRD التي تشير إلى أن طبقات أغشية CdSe الرقيقة المرسبة والمشععة عند 0.25 و0.5 كراي لأشعة γ تنمو في الطور المكعبي وبالاتجاه المفضل عند المستوي (111) وبالاتجاه العمودي c. الأغشية المشععة عند 1.0و1.5 كراي لأشعة γ تبين أنها متعددة البلورات في طبيعتها وخليط من التراكيب المكعبة والسداسية. طيف الامتصاص البصري لهذه الأغشية الرقيقة تم تحليله باستخدام المطياف. فجوة الطاقة تم تحديدها بهذا الطيف. ووجد أن فجوة الطاقة لغشاء CdSe 2.09 الكترون فولت وتزداد بزيادة جرعة تشعيع γ. القياسات الكهربائية للتوصيلية أعطت نقصاناً في التوصيلية مع زيادة جرعة تشعيع γ.


Article
The Effect of Ag Doping on the Structural, Optical and Electrical Properties of CdSe Thin Films
تأثير التطعيم بالفضة على الخواص الكهربائية والبصرية التركيبية لأغشيه CdSe

Authors: Nawfal Y. Jamil نوفل يوسف جميل --- Ammar Y. Burjus عمار ياسين برجس --- Heba M.T. Khalil هبة محمد طاهر
Journal: Rafidain journal of science مجلة علوم الرافدين ISSN: 16089391 Year: 2018 Volume: 27 Issue: 3E Pages: 146-152
Publisher: Mosul University جامعة الموصل

Loading...
Loading...
Abstract

This work includes a study of the effect of Ag doping in CdSe on optical, structural and Electrical properties, through changing the ratio of the added Ag with (0, 1, 5, 10) % to the final prepared CdSe solution. Measurements of the transmittance, absorption of the prepared samples of CdSe for wave lengths in the band (400nm-750nm) is carried out. It is found that the band gap decreased (Eg=(1.97,1.92,168,152)eV) respectively as Ag concentration increased. X-ray diffraction (XRD) measurements shows that the deposited pure CdSe thin film is polycrystalline with hexagonal structure, whereas doped films with Ag shows cubic structure in the[111] direction. Electrical conductivity measurement of the films showed an increase with increasing the Ag concentration, also an increase in crystal alignment found.

يتضمن هذا البحث دراسة تأثير التطعيم بعنصر الفضة Ag لأغشية CdSe الرقيقة على الخواص التركيبية والبصرية والكهربائية وذلك من خلال تغيير نسب الحجوم الخاصة بنترات الفضة وبالنسب (0,1,5,10)% عند تحضير اغشية CdSe، وتضمن البحث اجراء قياسات النفوذية والامتصاصية للأطوال الموجية (400-750)nm وتم حساب قيمة طاقة الفجوة وقد وجد انها تتغير حسب القيم التالية (Eg=(1.97,1.92,1.68,1.52 )eV)، وهذا يعني ان قيمة فجوة الطاقة تقل مع زيادة تركيز Ag ومن قياسات حيود الاشعة السينية (XRD) لدراسة التركيب البلوري وجد بان التركيب من النوع المتعدد البلورات السداسي للنماذج التي لا تحتوي على عنصر الفضة اما في حالة النماذج المطعمة عنصر الفضة وجد التركيب من النوع المكعبي ويمتلك اتجاهيه مفضلة عند المستوي (111)، أظهرت قياسات التوصيلية الكهربائية زيادة جيدة في التوصيلية مع زيادة التركيز بعنصر الفضة، وكذلك زيادة في الرص البلوري


Article
The Effect of Al Doping on Structural, Electrical and Optical Properties of CdSe Films
تأثير تطعيم Al على الخواص التركيبية، الكهربائية والبصرية لأغشية CdSe

Authors: Suha A. Najim سهى عبد الله نجم --- Nawfal Y. Jamil نوفل يوسف جميل
Journal: Rafidain journal of science مجلة علوم الرافدين ISSN: 16089391 Year: 2018 Volume: 27 Issue: 3E Pages: 164-172
Publisher: Mosul University جامعة الموصل

Loading...
Loading...
Abstract

CdSe thin films were deposited on glass substrates by chemical bath deposition technique. The deposited CdSe thin films were annealed by thermal evaporation for (1h) at 250 ˚C. The samples were then coated with a different thicknesses of thin Al films (50, 100, 150, 200) Å by thermal evaporation method which then annealed at (1h,250˚C). The structural, optical, and electrical properties of deposited and doped samples were studied. The X-ray diffraction analysis showed that the films have polycrystalline structure of hexagonal type. From optical properties, the band gap energy of undoped CdSe thin film was 2 eV and it is decreased by increasing of Al doping. Electrical resistivity of the doped films showed a decrease with the increase of the Al concentration. The doped and undoped samples revealed that the conductivity was n-type

تم ترسيب أغشية CdSe الرقيقة على أرضية من الزجاج باستخدام تقنية الترسيب بالحمام الكيميائي Chemical Bath Deposition CBD)). أغشية CdSe الرقيقة المرسبة تم تلدينها بالتبخير الحراري لمدة ساعة عند 250 ˚C. العينات تم تطعيمها بغشاء من الألمنيوم الرقيق وبأسماك مختلفة Å(50, 100, 150, 200) بطريقة التبخير الحراري وبعدها تم تلدينها عند (1h, 250˚C). تم دراسة الخواص التركيبية، البصرية والكهربائية للنماذج المرسبة والمطعمة. من تحليل حيود الأشعة السينية تبين بان الأغشية تمتلك تركيبا متعدد البلورات من النوع السداسي (Hexagonal). ومن الخواص البصرية، وجد أن فجوة الطاقة لأغشية CdSe غير المطعمة 2 eV وإنها تقل مع زيادة التطعيم بالألمنيوم. المقاومية الكهربائية للأغشية المطعمة تبين أنها تقل مع زيادة تركيز Al. النماذج المطعمة وغير المطعمة أظهرت توصيلية من النوع السالب (n-type).


Article
Annealing Effect on the Photoluminescence of CdTe/CdSe Thin Film Photovoltaic Devices

Authors: A.C. de Graev --- G. Manterick
Journal: Iraqi Journal of Applied Physics المجلة العراقية للفيزياء التطبيقية ISSN: 18132065 23091673 Year: 2005 Volume: 1 Issue: 3 Pages: 23-25
Publisher: iraqi society for alternative and renewable energy sources and techniques الجمعية العراقية لمصادر وتقنيات الطاقة البديلة والمستجدة

Loading...
Loading...
Abstract

The depth dependence of photoluminescence from as grown and CdCl2 treated polycrystalline CdSe/CdTe solar cells has been compared using a bevel etch technique. It has been found that the three emission bands observed at 1.59eV, 1.55eV and 1.45eV all became more intense after the treatment, with the emission at 1.55eV near the CdSe/CdTe interface being the most affected.


Article
Structural and Optical Characteristics of CdSe Thin Films Prepared by Chemical Bath Deposition Technique

Authors: J. Chandrasekaran --- S.M. Mohan --- S. Thirumalairajan --- K. Girija
Journal: Iraqi Journal of Applied Physics Letters الرسائل العراقية في الفيزياء التطبيقية ISSN: 1999656X Year: 2009 Volume: 2 Issue: 4 Pages: 21-24
Publisher: iraqi society for alternative and renewable energy sources and techniques الجمعية العراقية لمصادر وتقنيات الطاقة البديلة والمستجدة

Loading...
Loading...
Abstract

Cadmium selenide thin films were deposited on glass substrate using chemical bath technique for different bath temperatures 313K, 333K and 353K. Polycrystalline nature of the material was confirmed by X-ray diffraction technique and various structural parameters were calculated. The optical properties were revealed by UV-Visible transmittance spectra and the band gap energy was determined.


Article
Optoelectronic Properties of CdSe/Si Heterojunction
الخصائصالكھروبصریة للمفرق الھجین CdSe/Si

Author: Waseem Najeeb Ibrahim
Journal: Engineering and Technology Journal مجلة الهندسة والتكنولوجيا ISSN: 16816900 24120758 Year: 2012 Volume: 30 Issue: 12 Pages: 2138-2149
Publisher: University of Technology الجامعة التكنولوجية

Loading...
Loading...
Abstract

In this paper n-CdSe/p-Si heteroj unction photodetector was fabricated bythermal-evaporation technique of CdSe thin film grown onto single crystalline Sisubstrate . The energy gap of CdSe film was estimated from transmittance spectraand found to be (1.89 eV) . The temperature dependence of Seebeck coefficientwas studied . The conductivity of CdSe thin film is n-type and the value ofactivation energy is (0.59 eV). Heterojunction properties included dark andilluminated current-voltage (I-V) and capacitance-voltage (C-V) characteristics.From I-V plot, junction ideality factor for heterojunction was calculated to be1.43, and providing information about the current transport mechanism. The linearvariation of the experimental curve C-2 vs. V is indicative of the presence ofabrupt heterojunction and it used to determine the experimental value of built-injunctionpotential Vbi . From illuminated I-V plot at different intensity levels(90,180,240) mW/cm2 , the linearity behavior of CdSe/Si heterojunction wasinvestigated .

بتقنی ة التبخی ر n-CdSe/p-Si في ھ ذا البح ث ت م تص نیع كاش ف ض وئي م ن المف رق الھج یناحادي التبلور . ان قیم ة Si المنماة على قواعد من السیلیكون CdSe الحراري في الفراغ لأغشیةالمحضرة حددت من خلال دراسة طیف النفاذیة للأغشیة والتي بلغ ت CdSe فجوة الطاقة لأغشیة1.89 ) . من خلال دراسة تغیر معامل سیبك مع درجة الحرارة تبین ان نوع التوصیلیة eV) حواليوان قیمة طاق ة التنش یط لھ ذه الأغش یة ھ ي ( 0.59 n-type ھي من النوع المانح CdSe لأغشیةتضمنت خصائص المفرق الھجین دراسة خصائصتیار- جھ د ف ي ح التي الظ لام والاض اءة .(eVوخصائص سعة – جھد . بینت خصائصتیار- جھ د ان قیم ة عام ل المثالی ة للمف رق الھج ین كان ت1.43 ) ، اضافة الى توض یح الی ة نق ل التی ار عن د من اطق الفولتی ات الواطئ ة والعالی ة . ان العلاق ة )اوضحت ان المفرق الھجین غیر V وفولتیة الانحیاز العكسي C- الخطیة مابین مقلوب مربع السعة 2المتماثل من النوع الحاد وأستخدمت ھذه العلاق ة ف ي تحدی د قیم ة جھ د البن اء ال داخلي للمف رق . م نmW/cm خ لال دراس ة خص ائصتی ار- جھ د ف ي حال ة الاض اءة عن د ق درات ض وئیة مختلف ة 2یعطي خصائص خطیة جی دة لم دیات الق درة CdSe/Si 90,180,240 ) وجد ان المفرق الھجین )الضوئیة الساقطة


Article
Structural and Optical Properties of Cadimium Selenide Thin Films Prepared via Direct Current Sputtering Technique
الخواص التركيبيه والبصريه لأغشيه الكادميوم سيلينايد المحضره بالترذيذ المستمر

Loading...
Loading...
Abstract

The influence of preparation condition on the structural and optical properties of Cadmium Selenide (CdSe) thin films deposited onto glass substrates was studied. The structural investigations performed by means of X-ray diffraction (XRD) technique showed that the films have polycrystalline, hexagonal structure, Moreover, the AFM study showed that the film of uniform nano-grain size about 10nm. Transmission spectra in the spectral domain (200-1200nm), were investigated. The values of some important parameters of the studied films (absorption coefficient, optical energy band gap and refractive index) were determined from these spectra. The values of the energy gap, Eg (allowed direct transitions), calculated from the absorption spectra, ranged between 2 and 2.2eV.

درس في هذا البحث تأثير ظروف التحضير على الخواص التركيبية والبصرية لأغشية كادميوم سيلينايد المرسبة على قواعد زجاجية بطريقة الترذيذ. الخواص التركيبية لهذه الأغشية درست باستخدام فحوص حيود الأشعة السينية (XRD) والتي بينت أن هذه الأغشية لها تركيب متعدد التبلور وبالشكل السداس، وأظهرت نتائج مجهر القوة الذرية AFM أن الأغشية المحضرة ذات سطوح متجانسة وحجم حبيبي بأبعاد نانوية بحدود 10nm، قيس طيف النفاذية للمدى الطيفي (200-1200nm)ومن خلاله حسبت بعض المعلمات المهمة مثل:(معامل الأمتصاص، فجوة الطاقة البصرية ومعامل الأنكسار). وكذلك حسبت فجوة الطاقة (Eg) للانتقال المباشر المسموح من قياس طيف الامتصاص ووجدت ان قيمها تراوحت بين (2-2.2eV).

Listing 1 - 9 of 9
Sort by
Narrow your search

Resource type

article (9)


Language

English (9)


Year
From To Submit

2018 (2)

2015 (1)

2014 (1)

2012 (2)

2009 (2)

More...