research centers


Search results: Found 30

Listing 1 - 10 of 30 << page
of 3
>>
Sort by

Article
Behavior of A.C conductivity and Complex dielectric constant of ZnS Thin Films
سلوك التوصيلية الكهربائية AC وثابت العزل الكهربائي للاغشية لكبريتيد الخارصين الرقيقة ZnS

Authors: Zainab Taha A --- Khitam S. Shaker --- Suaad S. Shaker --- Raghdaa Hameed Hani
Journal: Engineering and Technology Journal مجلة الهندسة والتكنولوجيا ISSN: 16816900 24120758 Year: 2015 Volume: 33 Issue: 4 Part (B) Scientific Pages: 745-752
Publisher: University of Technology الجامعة التكنولوجية

Loading...
Loading...
Abstract

The effect of temperature on dielectric properties of the prepared ZnS thin films by chemical bath deposition at film thickness (200) nm deposited at substrate temperature 333 K, was measured at frequency range (0.04-10 MHz) in the temperature range (298- 473) K .The temperature – dependent of electrical conductivity, the real and imaginary parts of the complex dielectric constant are calculated at the selected frequencies. The frequency exponent n, and the activation energy, Ea, are determined. The a.c. conduction mechanism of ZnS films has been explained on the basis of hopping of charge carriers.

تأثير درجة الحرارة على خصائص العازلة للكهربائيةللأغشية الرقيقة ZnSالمرسبة بطريقة الترسيب الحمام الكيميائيلغشاء ذات سماكة (200) نانومتر ومرسب على ركيزة في درجة حرارة 333 K، تم القياس في مدى التردد (0،04 حتي 10 ميغاهيرتز) في نطاق درجات الحرارة (298- 473 ) K. تم حساب درجة الحرارة -المعتمدةعلى التوصيلية الكهربائية، والأجزاء حقيقية والخيالية لثابت العزل الكهربائي المعقد في ترددات محددة. كما وتم تحديد مركبة التردد، وطاقة التنشيط،. تم توضيح ميكانكية التوصيل الكهربائي المتناوب للاغشية الرقيقة على أساس التنقل من حاملات الشحنة.


Article
Effect of Annealing Temperature on The Some Electrical Properties of InSb:Bi Thin Films
تأثيردرجة حرارة التلدين في بعض الخصائص الكهربائية لأغشيةInSb:Bi

Author: Zeinab Jassim Shanan زينب جاسم شنان
Journal: Baghdad Science Journal مجلة بغداد للعلوم ISSN: 20788665 24117986 Year: 2010 Volume: 7 Issue: 4 Pages: 1416-1420
Publisher: Baghdad University جامعة بغداد

Loading...
Loading...
Abstract

InSb alloy was prepared then InSb:Bi films have been prepared successfully by thermal evaporation technique on glass substrate at Ts=423K. The variation of activation energies(Ea1,Ea2)of d.c conductivity with annealing temperature (303, 373, 423, 473, 523 and 573)K were measured, it is found that its values increases with increasing annealing temperature. To show the type of the films, the Hall and thermoelectric power were measured. The activation energy of the thermoelectric power is much smaller than for d.c conductivity and increases with increasing annealing temperature .The mobility and carrier concentration has been measured also.

تم في هذا البحث تحضير سبيكة InSb ثم حضرت أغشيةInSb:Bi بنجاح باستعمال طريقةالتبخير الحراري على ارضية من الزجاج وبدرجة حرارة 423K Ts=وتم حساب طاقات التنشيط للتوصيلية المستمرة (Ea1,Ea2) للاغشية المحضرة عند درجات حرارة تلدينK ,473,423,373,303)523 (573, بينت النتائج ازدياد طاقات التنشيط مع زيادة درجة حرارة التلدين. أجريت قياسات هول والقدرة الكهروحرارية لمعرفة نوع الاغشية وكذلك تم حساب طاقة التنشيط للقدرة الكهروحرارية ووجد أنها اقل بكثير مما للتوصيلية المستمرة (d.c) كما أنها تزداد بزيادة درجة حرارة التلدين وكما تم حساب تحركية وتركيز حاملات الشحنة.


Article
Improved Performance of ZnO/n-Si Solar Cells
تحسين أداء الخلية الشمسية نوع ZnO/n-Si

Author: Dr. Khalid Khaleel Mohamed د. خالد خليل محمد
Journal: AL Rafdain Engineering Journal مجلة هندسة الرافدين ISSN: 18130526 Year: 2010 Volume: 18 Issue: 3 Pages: 19-28
Publisher: Mosul University جامعة الموصل

Loading...
Loading...
Abstract

AbstractThis research is intended to improve the performance of ZnO/n-Si solar cells. The structures were fabricated using thermal evaporation techniques. The indium dopant at suitable heat treatment is used to enhance the electrical characteristics of ZnO layer resulting in reducing atmospheric condition to change the stiochiometry of ZnO layer. The electric properties of the fabricated samples are dependent on many parameters such as annealing temperature, ZnO layer thickness, Indium layer thickness and temperature. The indium layer were deposited at different thickness (10-30) nm during the fabrication of the ZnO/n-Si solar cells. The resultant samples has been studied and the results obtained show an improvement in the efficiency of 0.4% compared with the standard ZnO/n-Si solar cell.Keyword: ZnO/n-Si, Indium, Thermal Evaporation

يتضمن البحث إمكانية تحسين خواص الخلايا الشمسية نوع ZnO/n-Si ، حيث تم تصنيع هذه الخلايا باستخدام تقنية التبخير الفراغي. تم ترسيب مادة الإنديوم مع مادة اوكسيد الزنك لغرض زيادة كفاءة عمل الخلية الشمسية نوع ZnO/n-Si عن طريق تقليل تأثير الظروف الجويه على طبيعة واداء مادة اوكسيد الزنك . تعتمد الخواص الكهربائية للخلايا المصنعة على عدة عوامل منها سمك كل من مادتى اوكسيد الزنك والانديوم المرسبة ، معدل الترسيب ودرجة الحرارة. تم ترسيب مادة الانديوم بسمك (10-30)nm خلال عملية تصنيع خلية ZnO/n-Si In-وبينت نتائج دراسة النماذج المصنعة إمكانية تحسين كفاءة الخلايا الشمسية نوع In-ZnO/n-Si بمقدار0.4% بالمقارنة مع نمادج .ZnO/n-Si


Article
Optical Properties of Thermally-Annealed Tin-Doped Indium Oxide Thin Films

Author: A.I. Hasan
Journal: Iraqi Journal of Applied Physics Letters الرسائل العراقية في الفيزياء التطبيقية ISSN: 1999656X Year: 2009 Volume: 2 Issue: 2 Pages: 15-18
Publisher: iraqi society for alternative and renewable energy sources and techniques الجمعية العراقية لمصادر وتقنيات الطاقة البديلة والمستجدة

Loading...
Loading...
Abstract

In this work, results of thermal annealing of tin-doped indium oxide thin films were presented. The effect of thermal annealing of the optical characteristics of such films was introduced. These characteristics include transmission, absorption coefficient, absorption depth, type of band gap and the dominant absorption processes. Thermal annealing may improve the diffusion of Sn dopants in the In2O3 structure and hence affect the optical properties of the resulted structure. The Sn-doped In2O3 thin films are widely used in the optoelectronics and integrated optics architecture.


Article
On the Influence of Metal Deposition on Responsivity Peak of Cleaned Silicon Photodetector
دراسة تأثير طلاء كاشف السليكون غير المؤكسد بالمعادن على قمة الاستجابية الطيفية

Authors: Raid A. Ismail --- Khalid Z. Al-Ta'ai --- Manaf R. Ismail
Journal: Engineering and Technology Journal مجلة الهندسة والتكنولوجيا ISSN: 16816900 24120758 Year: 2005 Volume: 24 Issue: 3 Pages: 245-251
Publisher: University of Technology الجامعة التكنولوجية

Loading...
Loading...
Abstract


Article
Effect of Incident Photon Energy on the Optical Conductivity and Carrier Concentration of the Thermally Evaporated ZnO:Al Thin Film

Author: Ali J. Mohammed
Journal: Al-Mustansiriyah Journal of Science مجلة علوم المستنصرية ISSN: 1814635X Year: 2010 Volume: 21 Issue: 5 Pages: 62-66
Publisher: Al-Mustansyriah University الجامعة المستنصرية

Loading...
Loading...
Abstract

All doped ZnO thin film was prepared by thermal vacuum evaporation technique. The effect of incident photon energy on the optical (carrier concentration and conductivity ) of the prepared sample , depending on the transmission, absorption and extinction coefficient . Sharply increasing of carrier concentration and conductivity was recorded when the incident energy increased nearly the band gap region depending on the high absorption

في هذا البحث تم تحضير غشاء اوكسيد الخارصين المشوب بالالمنيوم بتقنية التبخير الحراري .تم دراسة تاثير طاقة الفوتون الساقط على بعض الخصائص البصرية ( اعتمادا على قياس النفاذية ) وبالذات على تركيز حاملات الشحن والتوصيلية الضوئية , وحساب معامل الامتصاص ومعامل الخمود . الدراسة بينت زيادة حادة في تركيز حاملات الشحن والتوصيلية الضوئية خصوصا لطاقة الفوتون ضمن المنطقة القريبة من حافة الامتصاص وبحدود طاقة الفجوة , وبسبب حصول اعلى امتصاص في هذه المنطقة وكذلك فان ادنى مقدار للنفاذية هو في المنطقة ادنى من حافة الامتصاص


Article
Nanostructure Cadmium Oxide Thin Film Prepared by Vacuum Evaporation Thermal Technique
اغشية اوكسيد الكادميوم ذات التركيب النانوي المحضرة بتقنية التبخيرالحراري بالفراغ

Author: Wafaa K.Khale
Journal: Engineering and Technology Journal مجلة الهندسة والتكنولوجيا ISSN: 16816900 24120758 Year: 2014 Volume: 32 Issue: 5 Part (B) Scientific Pages: 1009-1018
Publisher: University of Technology الجامعة التكنولوجية

Loading...
Loading...
Abstract

Cadmium Oxide films have been prepared by vacuum evaporation technique on a glass substrate at room temperature. Structural optical and morphological properties of the films are studied at different oxidation temperatures (573 To 773) K, for the thickness (300) nm at 30 mint. XRD pattern confirm the films shows the polycrystalline nature of the film with preferential orientation along (111) plane. The film deposited with higher oxidation temperatures shows higher transmittance compared to others. Direct energy band gap of CdO thin film increases with increases of oxidation temperature. From AFM measurement, the average grain size is in the range of nanometer and it shows the faceted columnar microstructure of the film is perpendicular to the surface.

تم تحضير اغشية اوكسيد الكادميوم بواسطة بواسطة تقنية التبخير بالفراغ على قواعد زجاجية بدرجة حرارة الغرفة .الخصائص التركيبية ,البصرية والسطحية للاغشية المحضرة شخصت بدرجات حراريه مختلفة ( 573الى 773 ) كلفن عند سمك غشاء (300) نانوميتر . تقنية حيود الاشعة السينية شخصت اغشية اوكسيد الكادميوم بمتعدد البلورات وذو اتجاهية مفضلة ( 111). لقد وجد ان الاغشية الموكسدة عند درجات حرارةعالية تمتلك اعلى نفاذية ,اضافة الى ذلك قيمة فجوة الطاقة تزداد مع زيادة درجة حرارة الاكسدة .من خلال قياس مجهر القوه الذري وجد ان ابعاد جسيمات الغشاء بالنانوميترو ذات بنية الاعمدة المايكروية العمودية على سطح الغشاء .


Article
Behavior of Optical Parameters of CuZnSnO4Thin Films
سلوك العوامل البصرية لاغشيةCuZnSnO4 الرقيقة

Author: Salma M. Shaban
Journal: journal of kerbala university مجلة جامعة كربلاء ISSN: 18130410 Year: 2015 Issue: المؤتمر العلمي الثالث لكلية العلوم Pages: 59-67
Publisher: Kerbala University جامعة كربلاء

Loading...
Loading...
Abstract

A compound (CuZnSnO4) as thin films is deposited by thermal evaporation method at room temperature onto glass substrates at film thicknesses (100 & 300) nm. The structure of CuZnSnO4films is amorphous as indicated by X-ray diffraction pattern. Optical parameters like, transmittance, energy gap, constants of direct transition, Urbach energy, refractive index, extinction coefficient, and complex dielectric constant are studied. A good property for this compound, it can be used as window layer or absorbance layer with the variation of film thickness.

رسب مركب (CuZnSnO4) كاغشية رقيقة بطريقة التبخير الحراري في درجة حرارة الغرفة على قواعد زجاجية ولاسماك غشاء (100 &300) nm . التركيب عشوائي لاغشية (CuZnSnO4) كما بين نموذج حيود الاشعة السينية . درست العوامل البصرية مثل النفاذية, فجوة الطاقة, ثابت الانتقال المباشر, طاقة اورباخ, معامل الانكسار, معامل الخمود وثابت العزل المركب. خاصية جيدة لهذا المركب حيث يمكن استخدامه كطبقة نافذة او ماصة بتغير السمك.


Article
Properties of Inclined Silicon Carbide Thin Films Deposited By Vacuum Thermal Evaporation
خواص أغشية كاربيد السليكون الرقيقة المرسبة بشكل مائل باستخدام التبخير الحراري في الفراغ

Authors: Khalid Z. Yahiya --- Ammar H. Jraiz --- Najem Abdu Al-Kazem
Journal: Engineering and Technology Journal مجلة الهندسة والتكنولوجيا ISSN: 16816900 24120758 Year: 2008 Volume: 26 Issue: 8 Pages: 938-943
Publisher: University of Technology الجامعة التكنولوجية

Loading...
Loading...
Abstract

In this work, thermal evaporation system was employed to deposit thin films of SiC onglass substrates in order to determine the parameters of them. Measurements includedtransmission, absorption, Seebak effect, resistivity and conductivity, absorption coefficient,type of energy band-gap, extinction coefficient as functions of photon energy and the effectof increasing film thickness on transmittance. Results explained that SiC thin film is an ntypesemiconductor of indirect energy and-gap of ~3eV,cut-off wavelength of 448 nm,absorption coefficient of 3.4395x104cm-1 and extinction coefficient of 0.154. Theexperimental measured values are in good agreement with the typical values of SiC thinfilms prepared by other advanced deposition techniques.

هذا البحث ، استخدمت منظومة التبخير الحراري لترسيب أغشية رقيقة من كاربيد السليكون علىقواعد زجاجية من اجل تحديد معاملات هذه الأغشية . تضمنت القياسات التي تم أجراؤه ا قياس طيفالنفاذية والامتصاص وتأثير سيباك والمقاومية والتوصيلة ومعامل الامتصاص ونوع فجوة الطاقة ومعاملالتخميد كدالة لطاقة الفوتون الساقط وكذلك تأثير زيادة سمك الغشاء على نفاذية العينات . أظهرت النتائجالتي تم الحصول عليها أن أغشية كاربيد السليكون الرقيقة هي مادة من النوع المانح ذات فجوة طاقة غير(3.439x104 cm- 448 ) ومعامل الامتصاص nm) 3) وكانت قيم الطول الموجي القاطع eV) مباشرة مقداره1 ومعامل التخميد ( 0.154 ) . تبدو القيم المستحصلة عمليا متفقة بشكل جيد مع القيم النموذجية لأغشية )كاربيد السليكون الرقيقة المحضرة باستخدام تقنيات متقدمة للترسيب .


Article
The Role of Annealing Temperature on the Optical Properties of Thermally Deposited CdTe Films
دور درجة حرارة التلدين على الخصائص البصرية لاغشيةCdTe المرسبة حراريا

Loading...
Loading...
Abstract

A polycrystalline CdTe film has been prepared by thermal evaporation technique on glass substrate at substrate temperature 423 K with 1.0 m thicknesses. The film was heated at various annealing temperature under vacuum (Ta =473, 523 and K). Some of physical properties of prepared films such as structural and optical properties were investigated. The patterns of X-ray diffraction analysis showed that the structure of CdTe powder and all films were polycrystalline and consist of a mixture of cubic and hexagonal phases and preferred orientation at (111) direction. The optical measurements showed that un annealed and annealed CdTe films had direct energy gap (Eg). The Eg increased with increasing Ta. The refractive index and the real part of dielectric constant for films were observed to decrease with increasing Ta, while the extinction and the imaginary part of dielectric were increased. Our result is good candidate for manufacturing optoelectronic device such as solar cells.

حضرت أغشية CdTe متعددة التبلور بتقنية التفريغ الحراري على قواعد زجاجية بدرجة حرارة اساس 423كلفن وبسمك واحد مايكروميتر.لدنت الاغشية بدرجات حرارة تلدين مختلفة وتحت الفراغ ((Ta =473, 523 & 573 كلفن. درست بعض الخصائص الفيزيائية لاغشية CdTe المحضرة كالخصائص التركيبية والبصرية .أظهرت نتائج حيود الاشعة السينية بان تركيب المسحوق والاغشية المحضرة ذات تركيب متعدد التبلور متضمنا خليطا من الاطوار السداسية والمكعبة باتجاه ( 111). بينت الخصائص البصرية امتلاك الاغشية الغير ملدنة والملدنة فجوة طاقة مباشرة.تزداد فجوة الطاقة بزيادة درجة حرارة التلدين.لوحظ بان معامل الانكسار وثابت العزل الحقيقي يقل بزيادة درجة حرارة التلدين بينما يزداد معامل الخمود والجزء الخيالي لثابت العزل. أظهرت النتائح ملائمة هذه الاغشية لصناعة النبائط الالكتروبصرية كالخلايا الشمسية.

Listing 1 - 10 of 30 << page
of 3
>>
Sort by
Narrow your search

Resource type

article (30)


Language

English (30)


Year
From To Submit

2019 (2)

2018 (4)

2017 (1)

2016 (3)

2015 (5)

More...