research centers


Search results: Found 2

Listing 1 - 2 of 2
Sort by

Article
Fabrication and Characterization of Cu2S /Si Heterojunction Photodetector Based on Spray Pyrolysis of Cu2S on Si
تصنيع ودراسة خصائص كاشف المفرق الهجين Cu2S/Si بطريقة الرش الكيميائي الحراري

Authors: Khaled Z. Yahiya --- Yasmeen, Z. Daood --- Saria D. Ahmed
Journal: Engineering and Technology Journal مجلة الهندسة والتكنولوجيا ISSN: 16816900 24120758 Year: 2007 Volume: 25 Issue: 2 Pages: 176-182
Publisher: University of Technology الجامعة التكنولوجية

Loading...
Loading...
Abstract

In the present work fabrication and characterization of Cu2S/Siheterojunction photodiodes made by spray pyrolysis method using aqueoussolution of CuCl2.2H2O onto n-type silicon substrates made. The externalquantum efficiency of heterojunction was ٣7% at wavelength of 850nm. Theexperimental results show peak relative responsivity around 100mA/w , andmaximum value of detectivity D* (2*1011cm.Hz1/2.w-1).

المصنع Cu2S/Si في هذا البحث جرى تصنيع ودراسة خصائص كاشف المفرق الهجينبطريقة الرش الكيميائي الحراري , وبكفاءة كمية قصوى تصل إلى ٣٧ % عند الطول الموجي850 . تم دراسة الاستجابة الطيفية كدالة للطول الموجي عند درجة حرارة الغر فة . لقد nm850 والتي تصل إلى nm أوضحت النتائج إن قمة الاستجابة الطيفية كانت عند الطول الموجي.(D*=2*1011cm.Hz1/2.w- 100 وأعلى قيمة للكشفية حوالي ( 1 mA/w


Article
THE EFFECT OF Cu AND Sn ON SOME PHYSICAL PROPERTIES OF CdS THIN FILMS PREPARED BY SPRAY PYROLYSIS
تأثير النحاس والقصدير على بعض الخصائص الفيزيائيه للأغشية الرقيقة المحضرة بطريقة الرش الحراريCdS

Author: HAMID S. AL- JUMAILI حامد صالح الجميلي
Journal: Journal of university of Anbar for Pure science مجلة جامعة الانبار للعلوم الصرفة ISSN: ISSN: 19918941 Year: 2007 Volume: 1 Issue: 3 Pages: 70-79
Publisher: University of Anbar جامعة الانبار

Loading...
Loading...
Abstract

In this investigation, thin films of CdS doped with Cu and Sn were prepared on glass substrate using spray pyrolysis techniques. The X-ray diffraction results obtained that the films are polycrystalline and having many phases depends on the doping type. The optical properties of the prepared films were studied in the range of wavelength (300-800)nm. The analysis of the absorption spectra of these films indicates that the films are of direct energy gape of values in the range (1.3-2.5)eV, depending on the type and concentration of the doping .The measurement of refractive index (n) and extinction coefficient (K) obtained that, they were having a changed values in the VIS region with doping concentration. The electrical properties of the prepared films were also studied, it is found that the films having a two activation energies. For 7mass%Sn E1act equal 0.164eVat the temperature interval (295-325)K and E2act equal 0.861 eV in the temperature range (325-425)K. Whereas at 25 mass%Sn,E1act equal 0.108eVin the range (295-370)K and E2act equal 0.542eV in the range (370-450)K. from Hall experiment found that all thin films which doped by Cu and Sn are given P-type.

الخلاصة:الرقيقة بالنحاس والقصدير والتي حضرت على شرائح CdS في هذه الدراسة تم تطعيم أغشيةزجاجية بتقنية الرش الحراري .أظهرت نتائج حيود الاشعة السينيه بان الاغشيه متعددة التبلور وتمتلك عدةأطوار معتمدة على نوع التطعيم. تم دراسة الخصائص البصريه للاغشيه المحضرة في مدى الطول الموجي300-800 ) ز ومن تحليل طيف الامتصاصيه لهذه الاغشيه تبين بانها ذات فجوة طاقه مباشرة وتمتلك قيم nm)1.3-2.5 ) بالاعتماد على مادة التطعيم . قياسات معامل الانكسار ومعامل الخمود اظهرت بانهما eV ) تقع بينيمتلكان قيم متغيرة ضمن منطقة الطيف المرئي مع تغير تركيز التطعيم. لقد تم دراسة الخصائص الكهربائيه7 فان mass%Sn للاغشية المحضرة واظهرت النتائج بأنها تمتلك طاقتي تنشيط . فعند التركيزE1act=0.108eV 25 فان mass%Sn 325-425 ) بينما في تركيز K) في المدى الحراري E1act=0.164eV370-450 ) . من قياس تجربة هول K) في المدى الحراري E2act=0.542eV 295-370 ) وان K) في مدى. P-type وجد ان جميع الاغشيه المطعمه بالنحاس والقصدير هي من نوع

Listing 1 - 2 of 2
Sort by
Narrow your search

Resource type

article (2)


Language

English (2)


Year
From To Submit

2007 (2)