Abstract | Keywords | Fulltext | Export | TOC

In the present paper CdO/Si heterojunction has been prepared by spray pyrolysismethod , electrical characteristics include I-V , C-V , were studied the build-inpotentialequal 1.7 eV and optoelectronic characteristics include I-V illuminationcondition, photovoltaic, responsivity , quantum efficiency were studied . theideality factor to be 2.93 and short circuit photocurrent 170μA, open circuitphotovoltge 120mV at AM1 condition and two peaks responsivity were found ,first peak at region 600±20nm this peak due to absorb of light in CdO throughband-to-band absorption while second region at 800±30nm which due to the Sibandgap.

بطريقة الرش الكيميائي الحراري تم دراسة CdO/Si في هذا البحث تم تحضير المفرق الهجين1.7 وتم دراسة eV الخواص الكهربائية المتضمنة تيار-جهد، سعة-جهد ووجد جهد البناء الداخلي يساويالخواص الكهروبصرية المتضمنة تيار-جهد في حالة إضاءة والخواص الفولتائية والاستجابية الطيفية170 وفولتية الدائرة μA والكفاءة الكمية وقد وجد ان عامل المثالية يساوي 2.93 وتيار دائرة القصر600±20 بسبب امتصاص nm ووجد قمتي استجابية الأولى عند AM 120 عند حالة 1 mV المفتوحة800±30 بسبب فجوة طاقة السليكون . nm حزمة الى حزمة في الغشاء والثانية

Cadmium oxide --- heterojunction --- thermal oxide --- Transparent conducting oxides --- spray pyrolysis.