research centers


Search results: Found 3

Listing 1 - 3 of 3
Sort by

Article
The structure and optical properties of CdSe:Cu Thin Films
الخواص التركيبية والبصرية للأغشيةالرقيقة CdSe:Cu

Authors: Ikbal S. Naji اقبال سهام ناجي --- Tariq. J. Alwan طارق جعفر علوان --- Eman M.N.Al-Fawadi ايمان مزهر ناصر الفوادي
Journal: Baghdad Science Journal مجلة بغداد للعلوم ISSN: 20788665 24117986 Year: 2009 Volume: 6 Issue: 1 Pages: 141-149
Publisher: Baghdad University جامعة بغداد

Loading...
Loading...
Abstract

A polycrystalline CdSe thin films doped with (5wt%) of Cu was fabricated using vacuum evaporation technique in the substrate temperature range(Ts=RT-250)oC on glass substrates of the thickness(0.8μm). The structure of these films are determined by X-ray diffraction (XRD). The X-ray diffraction studies shows that the structure is polycrystalline with hexagonal structure, and there are strong peaks at the direction (200) at (Ts=RT-150) oC, while at higher substrate temperature(Ts=150-250) oC the structure is single crystal. The optical properties as a function of Ts were studied. The absorption, transmission, and reflection has been studied, The optical energy gap (Eg)increases with increase of substrate temperature from (1.65-1.84)eV due to improvement in the structure. The amorphousity of the films decreases with increasing Ts. The films have direct energy gap and the absorption edge was shift slightly towards smaller wavelength for CdSe:Cu thin film with increase of substrate temperature.it was found that the absorption coefficient was decreased with increasing of substrate temperature due to increases the value of(Eg). The CdSe:Cu films showed absorption coefficient in the range (0.94 x104-0.42x104)cm-1at Ts=RT-250 oC. Also the density of state decreases with increasing of substrate temperatures from (0.20-0.07)eV, it is possibly due to the recrystallization by the heating substrate temperatures.. Also the extinction coefficient, refractive index and dielectric constant have been studied.

حضرت الأغشية الرقيقة CdSe:Cu المتعددة البلورات والمطعمة بالنحاس بنسبة (5wt%) بأستعمال تقنية التيخير الفراغي بمدى درجة حرارة اساس (Ts=RT-250)oC على قواعد زجاجية. حدد تركيب تلك الاغشية بواسطة الفحص بالأشعة السينية (XRD) . بينت دراسات حيود الاشعة السينية بان التركيب يكون من النوع المتعدد البلورات السداسي, وهناك قمة قوية بالاتجاه (200) عند(Ts=RT-250) oC بينما عند درجات حرارة الأساس العالية(Ts=150-250) oC يتحول التركيب الى البلورة المفردة . درست الخصائص البصرية كدالة لدرجة حرارة الأساس(Ts) ودرست النفاذية والأمتصاصية والأنعكاسية. فجوة الطاقة تزداد بزيادة درجة حرارة الأساس من(1.65-1.84)eV وتقل العشوائية نتيجة للتحسن بالتركيب البلوري. تمتلك الأغشية فجوة طاقة مباشرة و تزاح حافة الأمتصاص بأتجاه الأطوال الموجية القصيرة لأغشية CdSe:Cu بزيادة درجة حرارة الأساس وجد بأن معامل الأمتصاص يقل بزيادة درجة حرارة الأساس من(0.94 x104-0.42x104)cm-1at Ts=RT-250 oC, كذلك تقل كثافة الحالات بزيادة درجة حرارة الأساس (0.20-0.07)eV ذلك نتيجة لاعادة التبلور بواسطة التسخين بدرجة حرارة الأساس..كذلك درس معامل الخمود ومعامل الأنكسار وثوابت العزل كدالة لدرجة حرارة الأساس .


Article
Measure of Thermoelectric Power of CdSe Thin Films that Prepared with Different Depositions Rate.
قياس القدرة الكهروحرارية لأغشية CdSe المحضرة بمعدلات ترسيب مختلفة.

Author: Raad Saedon Sabri رعد سعدون صبري
Journal: Journal of university of Anbar for Pure science مجلة جامعة الانبار للعلوم الصرفة ISSN: ISSN: 19918941 Year: 2009 Volume: 3 Issue: 1 Pages: 103-107
Publisher: University of Anbar جامعة الانبار

Loading...
Loading...
Abstract

In this paper CdSe thin films have been prepared deposited on galas substrate by thermalevaporation technique at thickness 250 nm with different depositions rate ( 0.2,0.4,0.6,0.8,1,1.2) nm/sand substrate temperatures ( Ts) (300,373,423,473)K . Thermoelectric power were measured to thisfilms ,Seebak coefficient and activation energy were evaluated, the results shows that all films wereof n-type conductivity and activation energy increases with dispositions rate and substrate temperaturefilms prepared at 0.8 nm/s with 425 K and 1.2 nm/s with Ts (425 ,475 ) K , except that they wereof p-type conductivity .

:في هذا البحث تم تحضير أغشية CdSe على قواعد زجاجية بطريقة التبخير الحراري في الفراغ وبسمك nm 2.50 وبمعدلات ترسيب s / nm ( 0.2,0.4,0.6,0.8,1,1.2) ودرجات حرارة أساس مختلفة K ( 300,373,433,473 ) وحساب معامل سيباك وطاقة التنشيط وقد تبين أن جميع الأغشية وبكافة معدلات الترسيب هي من نوع ( n-type ) وان طاقة التنشيط تزداد مع زيادة كل من معدل الترسيب وزيادة درجات الحرارة الأساس عدا الأغشية المحضرة بمعدل ترسيب s / nm 0.8 ودرجة حرارة أساس K 452 والأغشية المحضرة بمعدل ترسيب s /nm 1.2 ودرجات حرارة أساس K 425,475 فقد كان من نوع p-type .


Article
Structural and Optical Characteristics of CdSe Thin Films Prepared by Chemical Bath Deposition Technique

Authors: J. Chandrasekaran --- S.M. Mohan --- S. Thirumalairajan --- K. Girija
Journal: Iraqi Journal of Applied Physics Letters الرسائل العراقية في الفيزياء التطبيقية ISSN: 1999656X Year: 2009 Volume: 2 Issue: 4 Pages: 21-24
Publisher: iraqi society for alternative and renewable energy sources and techniques الجمعية العراقية لمصادر وتقنيات الطاقة البديلة والمستجدة

Loading...
Loading...
Abstract

Cadmium selenide thin films were deposited on glass substrate using chemical bath technique for different bath temperatures 313K, 333K and 353K. Polycrystalline nature of the material was confirmed by X-ray diffraction technique and various structural parameters were calculated. The optical properties were revealed by UV-Visible transmittance spectra and the band gap energy was determined.

Listing 1 - 3 of 3
Sort by
Narrow your search

Resource type

article (3)


Language

English (2)

Arabic (1)


Year
From To Submit

2009 (3)