research centers


Search results: Found 7

Listing 1 - 7 of 7
Sort by

Article
Effect on Rapid Thermal Oxidation process on Electrical Properties of Porous Silicon
تاثير عملية الاكسدة الحرارية السريعة على الخصائص الكهربائية للسيليكون المسامي

Authors: Maysaa A.Mohamed --- Amany A. Awaad --- Khawla S. Khashan
Journal: Engineering and Technology Journal مجلة الهندسة والتكنولوجيا ISSN: 16816900 24120758 Year: 2009 Volume: 27 Issue: 4 Pages: 663-674
Publisher: University of Technology الجامعة التكنولوجية

Loading...
Loading...
Abstract

In this work, the porous silicon was prepared by using stain etching in HF-HNO3 atdifferent etching times. Then Rapid Thermal Oxidation (RTO) processes were used forsurface treatment at different temperature and oxidation time to enhancement sampleproperties. Fourier Transforms infrared (FTIR) spectrum exhibit the formation of SiHx(x=1, 2) and Si-O bonds which indicate the present of porous structure and formation ofoxidation porous layer. The Capacitance – Voltage characteristics reveal that effectivecarrier density is 36*1015 cm-3 for sample etching time at 2min, while there was achange from (37.8*1015 to 45.7*1015) cm-3 for sample oxidation at different oxidationtemperature (373 – 973)K and from (38.2*1015 to 40*1015) cm-3 for sample oxidation atdifferent oxidation time (0.5 – 3.5)min. Also the porosity was (45.56%) for PS/p-Sietching at 2min while reduce from (45% to 35.4%) with oxidation temperature, and from(44.2% to 40.5%) with oxidation time. From photocurrent characterized, that thephotosensitivity for PS/p-Si structure is better where etching time at 2min, and its 0.2545A/W at 370nm, and it increased after Rapid Thermal Oxidation (RTO) from (0.34 to0.44) A/W with different oxidation temperature, and changed from (0.35 to 0.34) A/Wwith different oxidation time, so that sandwich hetrojunction exhibit good efficiencyphotodiode.

في هذا البحث تم تحضير السليكون المسامي بواسطة الطريقة الكيميائية في خليط من حامضالهيدروفلوريك وحامض النتريك عند أزمان قشط مختلفة . ثم معالجة السطح بواسطة عملية الأكسدةFTIR الحرارية السريعة عند درجات حرارة وأزمان أكسدة مختلفة لتحسين خصائص النموذج . أطيافالتي تشير إلى تكون الطبقة المسامية للسليكون وتكون طبقة Si-O و SiHx (x= تبدي الأواصر ( 1,236 للعينة *1015 cm- الاوكسيد على السليكون المسامي. خصائص سعة-فولتية تعطي كثافة الحاملات 345.7 ) لنماذج موكسدة عند *1015 cm- 37.8 الى 3 *1015 cm- 2, بينما تتغير من ( 3 min عند زمن قشط40 ) لنماذج *1015 cm- 38.2 الى 3 *1015 cm- 973 ) , وتتغير من ( 3 – 373) K درجات حرارة مختلفة3.5 ). أيضا المسامية تكون ( 45.56 %) للسليكون – 0.5)min موكسدة عند أزمان أكسدة مختلفة2 بينما تقل من(% 45 ) الى (% 35.4 ) مع تغير درجات حرارة min المسامي عند زمن قشطالأكسدة,وتتغير من(% 44.2 ) الى (% 40.5 ) مع تغير أزمان الأكسدة. من خصائص التيار الضوئي ,370 , وزادت nm 0.2545 عند A/W 2 كانت min أفضل استجابية للسليكون المسامي عند زمن قشط0.44 ) مع درجات أكسدة مختلفة , وتغيرت من A/W 0.34 الى Aِ/W) بعد الاكسدة الحرارية السريعةمن0.34 ) مع أزمان أكسدة مختلفة , لذا فالتركيب يبدي كفاءة جيدة للدايودات A/W 0.35 إلى A/W)الضوئية.


Article
The Effect Of Thermal Oxidation Time On The Structure And Influence On Optical Properties For Porous Silicon Prepared By Photo Electrochemical Etching
تاثير زمن الاكسدة الحرارية على الخصائص التركيبية وتاثيرها على الخصائص البصرية للسيلكيون المسامي المحضر بطريقة الكهروكيميائية

Authors: Narges Z.Abd alzahra --- Alwan M.Alwan
Journal: Engineering and Technology Journal مجلة الهندسة والتكنولوجيا ISSN: 16816900 24120758 Year: 2009 Volume: 27 Issue: 4 Pages: 727-735
Publisher: University of Technology الجامعة التكنولوجية

Loading...
Loading...
Abstract

The morphological properties of the freshly and oxidized porous silicon atoxidation time (60, 90) sec were studied. A blue emission from PSi can be seen witheyes after thermal oxidation because the increasing of energy gab due to decreasedsilicon column (nano particles).Pore size and shape of n-type wafers are estimate andcorrelated with optical properties before and after rapid thermal oxidation (RTO).

في هذا البحث تم دراسة تأثير الأكسدة الحرارية السريعة على السليكون المسامي المحضر بطريقة القشط الكهروضوئيكيميائي على طبوغرافية السليكون المسامي . وقد تم من خلال صور الماسح الالكتروني حساب قطر وتوزيع المسامات وحسابحجم العمود الفاصل بين المسامات قبل وبعد عملية الأكسدة الحرارية كما تم قياس الخصائص البصرية والكهربائية قبل وبعدالمعالجة الحرارية


Article
Study of Some Structural Properties of Porous Silicon Preparing by Photochemical Etching
دراسة بعض الخصائص التركيبية للسليكون المسامي و المحضر بأستخدام طريقة التنميش الكيميائي –الضوئي

Authors: Ghaida.S.M غيداء سلمان --- N.A.A.AL-Temeeme نذيرة عباس التميمي
Journal: Iraqi Journal of Physics المجلة العراقية للفيزياء ISSN: 20704003 Year: 2009 Volume: 7 Issue: 8 Pages: 49-52
Publisher: Baghdad University جامعة بغداد

Loading...
Loading...
Abstract

Porous Silicon (PSi) has been produced in this work by using Photochemical (PC) etching process by using a hydrofluoric acid (HF) solution. The irradiation has been achieved using quartz- tungsten halogen lamp. The influence of various irradiation times on the properties of PSi اmaterial such as layer thickness, etching rate and porosity was investigated in this work too.The XRD has been studied to determine the crystal structure and the crystalline size of PSi material

في هذا البحث، تم تحضير السيلكون المسامي بأستخدام طريقة التنميش الكيميائي –الضوئي وباستخدام حامض (HF). لقد تم استخدام المصدرالضوئي(كوارتز-تنكستن هالوجين) . وكذلك تم في هذا البحث دراسة تأثير زمن التشعيع على بعض خصائص السيلكون المسامي مثل سمك طبقة السيلكون المسامي ,معدل التنميش والمسامية . وكذلك تم دراسة حيود الأشعة السينية لمعرفة البناء البلوري لكل من السليكون والسليكون المسامي.


Article
THE ANALYTICAL STUDY OF THE POROUS SILICON ELECTRICALCONDUCTIVITY

Author: Adawiya J. Haider
Journal: Al-Nahrain Journal of Science مجلة النهرين للعلوم ISSN: (print)26635453,(online)26635461 Year: 2009 Volume: 12 Issue: 3 Pages: 45-50
Publisher: Al-Nahrain University جامعة النهرين

Loading...
Loading...
Abstract

Abstract
In this approach we review the electrical conductivity of porous silicon (PS) within this frame
work, we study the variation of (PS) conductivity as a function to the limiting parameters such as
porosity and temperature. We interpret such conductivity and mobility depended on the properties
of the PS layer and the quantum confinements effect in (PS).


Article
THE INFLUENCE OF HEATING TREATMENT ON PHYSICALPROPERTIES OF POROUS SILICON

Authors: Narges Z.Abd alzahra --- Alwan M.Alwan
Journal: Al-Nahrain Journal of Science مجلة النهرين للعلوم ISSN: (print)26635453,(online)26635461 Year: 2009 Volume: 12 Issue: 2 Pages: 76-81
Publisher: Al-Nahrain University جامعة النهرين

Loading...
Loading...
Abstract

In this work we studying the effect of thermal treatment on the electrical and conduction properties of metal /porous silica /n-si /metal prepared by photo electro chemical etching for etching time (15 min. Oxidation occur in oxidation time (15-150)sec at 750Ċ.After investigated current–voltage (J-V)measurement we found increase in rectification ratio ,barrier height increase with oxidation time, the rectification ration was 5 before oxidation will be 21 after 30 s oxidation time, barrier height value was (0.756eV) will be( 0.85eV) at oxidation time 30 s ,the ideality factor after oxidation was 15 will be 2.75 at 30 sec of oxidation time mean that the device approach from the ideality characteristics.

في هذا البحث تم دراسة تأثير المعالجة الحرارية السريعة على الخصائص الكهربائية وميكانيكية التوصيل للسليكون المسامي المحضر بطريقة تشعيع الليزر أثناء عملية القشط الكهروكيميائي بزمن ( 15 دقيقة ) عملية الأكسدة جرت بزمن ( 15-150 ثانية ) عند درجة حرارة (Ċ750) من خلال دراسة الخصائص الكهربائية أن نسبة التقويم و حاجز الجهد تزداد بزيادة زمن الأكسدة الحرارية الأكسدة الحرارية . قيمة حاجز الجهد كانت eV) 0.756 ( أصبحت eV) 0.85 (عند زمن أكسدة 30 ثانية,عامل المثالية وجد انه قبل عملية الأكسدة 15اصبحت قيمته 2.75 عند زمن الأكسدة 30 ثانية مما يعني اقتراب الجهاز من الخصائص المثالية.


Article
Physical Properties of MOS Porous Silicon Detector Fabricated under RTO Method
الخصائصا لفیزیائیة لكاشف السلیكون المسامي MOS المحضر بطریقة الأكسدة الحراریة السریعة

Authors: Narges Z. Abdulzahra --- Wafaa K. Khalaf --- Alwan M. Alwan
Journal: Engineering and Technology Journal مجلة الهندسة والتكنولوجيا ISSN: 16816900 24120758 Year: 2009 Volume: 27 Issue: 11 Pages: 2286-2291
Publisher: University of Technology الجامعة التكنولوجية

Loading...
Loading...
Abstract

In this research we studying the sensitivity of a porous silicon photo detector, wefound it improved through rapid thermal oxidation processes. Under our optimumpreparation conditions, photocurrent can reach about 3408 μA (under power density 100mW/cm2 tungsten lamp illumination) and dark current is about 300μA(at reverse bias of 5V).


Article
Formation and Characteristics Study of Nanostractured Solar Cell
تصنيع ودراسة خصائص خلية شمسية ذات تراكيب نانوية

Authors: Yasmeen Z. Dawood --- Bassam G. Rasheed --- Ali H. Al-Hamdani
Journal: Engineering and Technology Journal مجلة الهندسة والتكنولوجيا ISSN: 16816900 24120758 Year: 2009 Volume: 27 Issue: 15 Pages: 2844-2852
Publisher: University of Technology الجامعة التكنولوجية

Loading...
Loading...
Abstract

Electrochemical and photoelectrochemical etching technique have beenemployed to produce nanostructured solar cell. Various preparation conditions were examined. The I-V characteristics measurements were adopted to study effects of these parameters on the solar cell efficiency. We found that when shorter laser wavelength used to illuminate the porous layer during the etching process, the conversion efficiency of the solar cell increases . While doping the porous layer with phosphorous increases the nanostructured solar cell efficiencyby 30 %

تم الاعتماد على تقنية التنميش الكهروكيميائي والكهروكيميائي الضوئي لانتاج خلية شمسية ذات تراكيب نانوية بظروف تصنيع مختلفة. تم دراسة الخصائص الكهربائية تيار- جهد للخلية الشمسية, ودراسة تاثير عملية الاشابة على الخلية الشمسية النانوية. تم ملاحظة عند استخدام اطوال موجية قصيرة اثناء عملية التنميش يؤدي الى زيادة في قيمة الكفاءة للخلية الشمسية. كما ان اشابة الطبقة المسامية بمادة الفسفور يؤدي الى زيادة في . كفاءة الخلية الشمسية الى %30

Listing 1 - 7 of 7
Sort by
Narrow your search

Resource type

article (7)


Language

English (7)


Year
From To Submit

2009 (7)