research centers


Search results: Found 5

Listing 1 - 5 of 5
Sort by

Article
Dispersion Parameters of Copper Sulphate Doped PMMA
معلمات التفريق للبولي مثيل ميثاكريلات المشوب بكبريتات النحاس

Authors: Zainab Al-Ramadhan زينب الرمضان --- Nadir Fadhil Habubi نادر فاضل حبوبي --- Sami Salman Chiad سامي سلمان جياد
Journal: Baghdad Science Journal مجلة بغداد للعلوم ISSN: 20788665 24117986 Year: 2010 Volume: 7 Issue: عدد خاص بمؤتمر العلمي النسوي 1 Pages: 162-167
Publisher: Baghdad University جامعة بغداد

Loading...
Loading...
Abstract

Films of PMMA and copper sulphate doped PMMA have been prepared by casting method. Absorbance and transmittance spectra were recorded in the wavelength range (300-900) nm in order to calculate, single oscillator energy, dispersion energy, average oscillator strength, the refractive index at infinite wavelength, M-1 and M -3 moments of the optical spectra, it was found that all these parameters were effected by doping.

حضرت أغشية PMMA و PMMA المشوب بكبريتات النحاس (CuSO4) بطريقة الصب. سجل طيفي النفاذية والامتصاصية لمدى الطول الموجي (300-900) nm. وذلك لغرض حساب طاقة المتذبذب المفردة، طاقة التفريق، معدل قوة المتذبذب، ومعامل الانكسار عند الطول الموجي (مالانهاية) وكذلك العزوم M-1 و. M -3 لقد وجد بان كافة المعلمات قد تاثرت بالتشويب.


Article
Extraction of Doping Profile in Substrate of MNOS capacitor Using Fast Voltage Ramp Deep Depletion C-V method

Author: A.K. Faiq
Journal: Iraqi Journal of Applied Physics المجلة العراقية للفيزياء التطبيقية ISSN: 18132065 23091673 Year: 2010 Volume: 6 Issue: 1 Pages: 35-40
Publisher: iraqi society for alternative and renewable energy sources and techniques الجمعية العراقية لمصادر وتقنيات الطاقة البديلة والمستجدة

Loading...
Loading...
Abstract

Two MNOS C-V profiling methods are presented; the conventional C-V profiling, and deep depletion (DD) C-V, the former shows a lack of information at the onset of inversion mode, while the latter can be achieved by the application of high speed voltage ramp of sweep rate equals 1MV/s on the MNOS gate, meanwhile monitoring the current response of the time varying voltage, the entire DD C-V curve is traced on CRO screen with suitable DC voltage bias. The results show that doping profile can be extended 1 micron deeper inside the silicon, i.e., ten times of Debye's length, hence more accurate results can be achieved. Interface states densities have small effect on final doping profile, and doping reaches approximately a constant value deep inside the silicon compatible with experimental part.


Article
PREPARATION AND STUDYING THE PHYSICAL AND ELECTRICAL PROPERTIES OF BARIUM TITANATE DOPED WITH STRONTUM AND EUTERIUM

Authors: Amel S. Mer --- Walaa W. Jameel --- Khalid R. Muhammed
Journal: AL-TAQANI مجلة التقني ISSN: 1818653X Year: 2010 Volume: 23 Issue: 1 Pages: 19-28
Publisher: Foundation of technical education هيئة التعليم التقني

Loading...
Loading...
Abstract

Barium titanate (BaTiO3) have been prepared by mixing equimolares of titanium dioxide (TiO2) and barium carbonate .Identification of the calcined powder achieved by using X-ray diffraction technique to know the purity of the powder and the crystal phase. Sintering is done at different temperature (11000C,12000C,13000C) .The best sintering temperature is 13000C ,it gives the higher bulk density (5.36g/cm3) , minimum percentage porosity (6%) ,and maximum linear shrinkage (18%). The prepared barium titanate doped with different ratios of rare earth oxides{Strontium oxide (SrO)and Europium oxide(Eu2O3)} . It appears that the addition of these oxides in ratio of (0.3%) gives an increase in density to reach a maximum value of (5.56g/cm3 for SrO and 5.53 g/cm3 for Eu2O3 ), and reduction in porosity to reach a minimum value of (5% for SrO and 4.5% for Eu2O3 ) . The oxide addition leads to increase the dielectric constant to reach a maximum value (2775.3 for Eu2O3 and 3867.5 for SrO ) ,then decreases with increasing the oxides concentration at temperature (300C) and frequency 1kHz. Addition of (SrO) and (Eu2O3) at ratio 0.3% leads to decreasing the electrical resistivity to reach a minimum value (0.78*1010 ) for Eu2O3 and 0.69*1010 for SrO then increased with increasing the oxide concentration at 300C.

حضرت مادة تيتانات الباريوم BaTiO3 بواسطة الخلط المتوازن لمركبي ثنائي اوكسيد التيتانيوم((TiO2 وكاربونات الباريوم (BaCO3) بنسبة مولية{1:1} .استخدمت تقنية حيود الاشعة السينية لتحديد نقاوة المسحوق الناتج بعد الكلسنة الاولية ومعرفة الطور البلوري.تم التلبيد بعدة درجات حرارية ( (11000C,12000C,13000C.وجد ان افضل درجة حرارة تلبيد هي 13000C حيث اعطت اكبر كثافة(5.36g/cm3) واكبر انكماش خطي(18%) وادنى مسامية(6%). شوبت مادة تيتانات الباريوم المحضرة بنسب مختلفة من الاكاسيد النادرة مثل اوكسيد السترونتيوم((SrOواوكسيد اليتريوم(Eu2O3) . اتضح من النتائج ان اضافة نسبة(0.3%) من كلا الاوكسيدين اعطى زيادة في الكثافة وصلت الى((5.53g/cm3 في حالة (Eu2O3) و( 5.56g/cm3) في حالة ( (SrOوأدنى مسامية 4.5% في حالة (Eu2O3 ) و 5% في حالة (. (SrO أدت الزيادة الى رفع قيمة ثابت العزل الكهربائي النسبي لتصل إلى اكبر قيمة ( ( 2775.37في حالة (Eu2O3) و3867,56 في حالة( SrO) ثم تقل مع زيادة تركيز المادة المشوبة عند درجة حرارة(300c) وتردد 1kHz. اضافة اوكسيد السترونشيوم((SrOواوكسيد اليتريوم(Eu2O3) بنسبة 0.3 ادت الى نقصان الممانعة الكهربائية لتصل الى ادنى قيمة لها ( (0.78*1010في حالة (Eu2O3)و (0.69*1010 ) في حالة ((SrO ثم تزداد مع زيادة تركيز المشوبة عند درجة حرارة (300c) .


Article
-radiation Effect on Some Electrical Properties and Optical Energy Gap of a - Ge1-xSbx Thin Films
تأثير أشعة كاما على بعض الخواص الكهربائية وفجوة الطاقة البصرية لأغشية a - Ge1-xSbx الرقيقة

Authors: عبد الله سعيد عاشور --- فيصل علي مصطفى --- إكرام عطا عجاج
Journal: journal of kerbala university مجلة جامعة كربلاء ISSN: 18130410 Year: 2010 Volume: 8 Issue: 1 Pages: 282-291
Publisher: Kerbala University جامعة كربلاء

Loading...
Loading...
Abstract

The a-Ge1-xSbx thin films of (250±20) nm thickness were fabricated according to the weight percentages (x = 0.5, 1, 1.5, 2)%wt, by using the thermal evaporation technique under vacuum (10-6mbar) and (2.7±0.05)Ao/s. The specimens have been exposed to(500rad) -ray. The D.C. electrical measurement were carried out in a range of 0 -3Vol. The effect of -radiation on Hall parameters and optical energy gap were investigated for determining the no. of carriers and controlling on optical energy gap of semiconductors. The examination x-ray diffraction showed that all the films have amorphous nature. There are two activation energies for all films of n-type at (493-305)K that the carriers increase to (41.67 x 1019 cm-3)by increasing the percent to x=2,and they showed a decrease after exposed to radiation to(29.76 x 1019 cm-3) at the same value of x. But the mobility decrease to (0.140 x 10-3 cm2/V.s)by increasing of x to 2 percentage and they are increasing after exposure to  - rays with (0.170 x 10-3 cm2/V.s). The optical energy gap is (0.840eV) for a-Ge(unexposed to -rays), but becomes (0.872eV) after exposure , but it is increasing from (0.786eV) to (0.815eV)after exposed to radiation at x=2. This indicates an absorption edge shift towards high energies due to the effect of radiation.

حضرت أغشية الجرمانيوم النقية والمطعمة بالأنتيمون( (a - Ge1-xSbx في ضوء النسبة الوزنية (x=0.5, 1, 1.5, 2)% wt باستخدام تقنية التبخير الحراري تحت تفريغ ضغط Torr 6-10 ، ثم عرضت النماذج الى جرعة rad500 من أشعة كاما وفحصت بحيود الأشعة السينية قبل التشعيع وبعده وتبين أنها ذات طبيعة عشوائية، وان لجميع الأغشية المحضرة طاقتي تنشيط عند درجة حرارة , (493-305)K وأنها نوعn وتركيز حاملات الشحنة قد ازداد الى قيمة( (41.67 x 1019 cm-3 بزيادة نسبة التطعيم الى 2% ,وتقل بعد التعرض للإشعاع الى قيمة (29.76 x 1019 cm-3) ، لكن التحركية قد قلت الى قيمة 0.140 x 10-3 cm2/V.s بزيادة النسبة الى 2 لكنها تزداد بعد التعرض للإشعاع الى قيمة (0.170 x 10-3 cm2/V.s). . أما قيمة فجوة الطاقة البصرية لغشاء الجرمانيوم النقي العشوائي فكانت (0.840eV) وأصبحت (0.872)eV بعد التعرض للإشعاع.لكنها تزداد من قيمة (0.786eV) الى قيمة (0.815eV) عند النسبة 2 = x ،وهذا يعني انحراف حافات فجوة الطاقة نحو قيمة الطاقة العليا.


Article
Studying the effect of doping and radiation on the optical properties of ZnS thin films prepared by chemical spray pyrolysis
دراسة تأثير الأشابة و التشعيع في الخواص البصرية لأغشية ZnS المحضرة بطريقة الرش الكيميائي الحراري

Author: BURHAN R. N. AL-SHAFAAY برهان رشيد نوري
Journal: Journal of Kufa - physics مجلة الكوفة للفيزياء ISSN: 20775830 Year: 2010 Volume: 2 Issue: 1 Arabic Pages: 7-13
Publisher: University of Kufa جامعة الكوفة

Loading...
Loading...
Abstract

In this paper thin films of (ZnS) have been prepared as pure and doped by Aluminum(Al) and Nickel (Ni) with same ratio (3%) and irradiated with gamma ray.The films were prepared by chemical spray pyrolysis from zinc chloride (ZnCl2) withhigh purity and thiourea (CS(NH2)2) at substrate temperature (300oC) on glass substrate withthickness(0.17 mm) .The optical properties were studied for range of wave length (190-1100nm) by(UV-VIS Double Beam Spectrometer). Also calculated the optical energy gap for electronictransition and showed it direct type with value equal to (3.1 eV) before doping and between(2.9-2.7) eV for doping films. These values depend on type of doping materials also .Thevalue equals to (3.3 eV-ZnS-pure) after irradiation and between (2.9-3.1) eV for dopingsample .Finally, the optical constants were calculated such as absorption coefficient (),indexcoefficient (n) and extinction coefficient (k) for all samples.

يتناول هذا البحث تحضير غشاءوالثايوريا )ZnCl من مادتي كلوريد الزنك ) 2 ZnS اشابة % 3 ثم تشعيعها بأشعة كاما ، حيث تم تحضير اغشية. )0.17 mm( 300 وعلى قواعد زجاجية ذات سمك oC وبدرجة حرارة )CS(NH2)2(300-900 ( بأستخدام المطياف مزدوج الحزمة nm( ودرست الخواص البصرية ولمدى الطول الموجيومنه تم حساب قيمة فجوة الطاقة )( وحسب معامل الامتصاص )UV-VIS Double Beam Spectrometer()3.1eV( قبل الاشابة ZnS البصرية للانتقالات الالكترونية حيث انها من النوع المباشر وكانت قيمة فجوة الطاقة لغشاءولفترة )Co بعد االتشعيع بمصدر) 60 ZnS 2.7-2.9 ( وكانت قيمة فجوة الطاقة لغشاء eV) وقيمتها بعد الاشابة تراوحت3.1-2.9 ( اعتماداً على مادة الاشابة ومن ثم eV) 3.3 ( وقيمتها بعد التشعيع للنماذج المشوبة تراوحت eV( (5min) زمنيةحسب معامل الخمود وظهر انه يتناقص مع زيادة الطول الموجي.ولجميع النماذج . )n( والانكسار ، )k( والخمود ، )( أخيرا تم حساب معاملات الامتصاص

Listing 1 - 5 of 5
Sort by
Narrow your search

Resource type

article (5)


Language

English (4)

Arabic (1)


Year
From To Submit

2010 (5)