research centers


Search results: Found 5

Listing 1 - 5 of 5
Sort by

Article
Study the Properties of Silicon Nanocrystallites Prepared By Wet Etching
دراسة خصائص بلورات السلیكون النانویة المحضرة باستخدام التنمیش الرطب

Author: Mukkaram A. fakhery
Journal: Engineering and Technology Journal مجلة الهندسة والتكنولوجيا ISSN: 16816900 24120758 Year: 2010 Volume: 28 Issue: 2 Pages: 301-306
Publisher: University of Technology الجامعة التكنولوجية

Loading...
Loading...
Abstract

This work presents the formation of porous silicon by photo-electrochemicalprocesses using diode laser 514 nm, 2mW, under different etching times. The timedependence of porosity values, layer thickness, pore diameter, pore shape ,wallthickness, and etching rate were studied based on SEM images.

هذا العمل يتضمن تكوين او تصنيع السليكون المسامي باستخدام الطريقة الكهروكيميائيةالمحتثة بالاضافة الى استخدام ثنائي ليزري طوله الموجي 514 نانومتر وطاقته 2 ملي واطتحت تاثير ازمان تفاعل مختلفة. تم دراسة اعتمادية المسامية على زمن التفاعل وسمك طبقةالمسامة المتكونة كما وتم حساب قطر المسامة كما تم دراسة شكل المسام ة وسمك جدارSEM المسامة ومعدل التنميش هذه الدراسة تمت بالاعتماد على صور


Article
Morphological Aspects of Oxidized Porous Silicon Prepared by Photo Electrochemical Etching
جوانب طوبغرافية للسليكون المسامي المؤكسد المحضر بطريقة (التنميش الفوتو-كهروكيميائي)

Authors: Ali A. A. --- Zahr'aa S. Ahmed --- Alwan M. Alwan
Journal: Engineering and Technology Journal مجلة الهندسة والتكنولوجيا ISSN: 16816900 24120758 Year: 2010 Volume: 28 Issue: 2 Pages: 314-321
Publisher: University of Technology الجامعة التكنولوجية

Loading...
Loading...
Abstract

This paper reports morphological properties of porous silicon and oxidizedporous silicon, prepared by photo electrochemical etching from n-type silicon wafers asa function of experimental parameters. Scanning electron microscopic (SEM)Observations of porous silicon layers were obtained before and after rapid thermaloxidation process under different preparation and oxidation conditions .The surfacemorphology, Pore diameter, wall thickness, pore shape and porosity values were,studied based on microstructure analyses of (SEM) images.

في هذا البحث تم دراسة الخصائص الطوبغرافية لنماذج من السليكون المسامي والسليكونالمسامي المؤكسد المحضرة من السليكون المانح بطريفة الفوتو- كهروكيميائي كدالة للعوامل التجريبيةبالاعتماد على صور المجهر الالكتروني الماسح لطبقات عينات السليكون المسامي قبل وبعد عمليةالاكسدة الحرارية السريعة تحت ظروف أكسدة مختلفة . ولقد تم دراسة المتغيرات التالية(طوبغرافيةالسطح ، قطر المسامه، شكل المسامه، سمك الجدار بين مسامتين، وقيم المساميه بالاعتماد على تحليلصور المجهر الالكتروني الماسح.


Article
Surface Area of Porous Silicon
المساحة السطحية للسيلكون المسامي

Authors: Mayasa AbdulWahid Shanon --- Mayada.H.Mouhsen --- Bassam.G.Rasheed
Journal: Engineering and Technology Journal مجلة الهندسة والتكنولوجيا ISSN: 16816900 24120758 Year: 2010 Volume: 28 Issue: 9 Pages: 1728-1734
Publisher: University of Technology الجامعة التكنولوجية

Loading...
Loading...
Abstract

The surface area of porous silicon layers produced by different methods hasbeen measured in this work. It is found that the surface area of the porous siliconis optimum when high laser power density is used to etch n –type silicon wafer viathe laser induced etching process compared with that for porous silicon producedby lower laser power density or by electrochemical etching process. A scanningelectron microscope (SEM) micrographs were used to estimate the surface area.The surface area of the porous layer is strongly dependent on the porous layergeometry and its depth.

تم قياس المساحة السطحية للسيلكون المسامي المنتج بطريقتين مختلفتين, حيث وجد بأنالمساحة السطحية لطبقة السيلكون المسامي المنتج بعملية القشط المحتث بالليزر وقدرة ليزريةعالية تكون اكبر مما هي عليه من استخدام كثافة قدرة ليزرية واطئة أو عند أنتاج السيلكونلطبقة (SEM) المسامي بعملية القشط الكهروكيمياوية . تم اعتماد صور لجهاز المسح الالكترونيالسطح الطبقة المسامي وذلك لقياس المساحة السطحية . وقد وجد أن المساحة السطحية للسيلكونالمسامي تعتمد على الشكل الهندسي وسمك هذه الطبقة .


Article
Effect of HF Concentration on the PS Structures Prepared by Photoelectrochemical Etching
تاثير تركيز حامض الهيدروفلوريد على طبقة السليكون المسامي المحضر بطريقة التنميش الكهروكيميائي الضوئي

Authors: Yasmeen Z. Dawood --- Bassam G. Rasheed --- Ali H. AL-Hamdani
Journal: Engineering and Technology Journal مجلة الهندسة والتكنولوجيا ISSN: 16816900 24120758 Year: 2010 Volume: 28 Issue: 11 Pages: 2143-2150
Publisher: University of Technology الجامعة التكنولوجية

Loading...
Loading...
Abstract

Porous silicon was fabricated at p-n junction wafer byphotoelectrochemical (PEC) etching. Silicon wafer with various electrolytecontaining different HF concentrations was used to explain PS formation by thereaction at the Si/ electrolyte interface. An investigation of the dependence on HFconcentration to formed PS layer was made. The surface morphology of PS layerwas study as a function of HF concentration. Pillar like structures are formed atlow HF concentration and pores structures are obtained a at higher HFconcentration (40%). The etching rate increases with increasing HF concentrationcausing faster silicon dissolution. Thus the total pillar volume would increase byincreasing the HF concentration.

تم انتاج طبقة من السلیكون المسامي بطریقة التنمیش الكھروكیمیائي الضوئي باستخدامقواعد سلیكونیة ثنائي الوصلة. ودراسة تاثیر تركیز حامض الھیدروفلورید على تكوین طبقةالسلیكون المسامي من خلال التفاعل الحاصل بین الحامض وسطح السلیكون. نلاحظ ان التركیب السطحي لطبقة السلیكون المساميدالة لتركیز الحامض المستخدم. طبیعة السطح ذات تركیب اشبھ بالاعمدة عند التراكیز القلیلة بینماعند استخدام تراكیز عالیة (% 40 ) یكون التركیب السطحي على شكل حفر. كما تم ملاحظة زیادةفي معدل التنمیش بزیادة تركیز الحامض نتیجة لزیادة في عملیة التفاعل والذي سیاثر على عددالاعمدة (التركیب السطحي) والذي یزداد بزیادة تركیز الحامض.


Article
Carrier Life Time, Time Constant, And Other Related Detector Parameter For Porous Silicon /Silicon Heterojunction Detector
تحديد فترة حياة الحاملات الاقليه ، الثابت الزمني ومعلمات الكاشف الاخرى لكاشف المفرق الهجيني نوع السليكون المسامي سليكون

Author: Evan T. Salem
Journal: Engineering and Technology Journal مجلة الهندسة والتكنولوجيا ISSN: 16816900 24120758 Year: 2010 Volume: 28 Issue: 18 Pages: 5660-5673
Publisher: University of Technology الجامعة التكنولوجية

Loading...
Loading...
Abstract

In the present work, Porous silicon constituting silicon nanostructures layerhave been produce on crystal silicon using different preparation condition in laserinduced electrical etching process. Were a (800 nm) , (1watt) semiconductor laserhas been used with the electrochemical etching process to prepare the porous layeron the surface of (111) n- type silicon substrate. Two different Silicon resistivitiesof (0.564,4.29) W.cm was employed to prepared (Ps/ Si) heterojunction at differentpreparation condition. The characteristic of the prepared device has been found todepend directly on the formation current density and substrate resistivity. Theobtained device has good parameter to work as a detector in the (V- NIR) region .

في هذا البحث، تم تحظير السليكون المسامي مشتملا على السليكون ذو التركيب النانويعلىقاعده متمثله ببلوره سليكون عند شروط تحظير مختلفة. حيث تم استخدام جهاز ليزر شبة1) مع جهاز التنميش watt) 800 ) وبقدره لاتتجاوز nm) الموصل ذي الطول الموجيالكهروكيميائي للحصول على طبقه السليكون المسامي ، وبالتالي تحظير المفرق الهجيني نوعتم قياس زمن النهوض للنبيطه المصنعه ووجد ليكون معتمدا على مقدار تيار . (Ps/Si)التكوين. كما وجد بان النبيطه المصنعه ذات معلمات جيده للعمل ككاشف ضوئي عند المكطقةالرئيه وتحت الحمراء القريبه

Listing 1 - 5 of 5
Sort by
Narrow your search

Resource type

article (5)


Language

English (5)


Year
From To Submit

2010 (5)