research centers


Search results: Found 4

Listing 1 - 4 of 4
Sort by

Article
Effect of Annealing Temperature on The Some Electrical Properties of InSb:Bi Thin Films
تأثيردرجة حرارة التلدين في بعض الخصائص الكهربائية لأغشيةInSb:Bi

Author: Zeinab Jassim Shanan زينب جاسم شنان
Journal: Baghdad Science Journal مجلة بغداد للعلوم ISSN: 20788665 24117986 Year: 2010 Volume: 7 Issue: 4 Pages: 1416-1420
Publisher: Baghdad University جامعة بغداد

Loading...
Loading...
Abstract

InSb alloy was prepared then InSb:Bi films have been prepared successfully by thermal evaporation technique on glass substrate at Ts=423K. The variation of activation energies(Ea1,Ea2)of d.c conductivity with annealing temperature (303, 373, 423, 473, 523 and 573)K were measured, it is found that its values increases with increasing annealing temperature. To show the type of the films, the Hall and thermoelectric power were measured. The activation energy of the thermoelectric power is much smaller than for d.c conductivity and increases with increasing annealing temperature .The mobility and carrier concentration has been measured also.

تم في هذا البحث تحضير سبيكة InSb ثم حضرت أغشيةInSb:Bi بنجاح باستعمال طريقةالتبخير الحراري على ارضية من الزجاج وبدرجة حرارة 423K Ts=وتم حساب طاقات التنشيط للتوصيلية المستمرة (Ea1,Ea2) للاغشية المحضرة عند درجات حرارة تلدينK ,473,423,373,303)523 (573, بينت النتائج ازدياد طاقات التنشيط مع زيادة درجة حرارة التلدين. أجريت قياسات هول والقدرة الكهروحرارية لمعرفة نوع الاغشية وكذلك تم حساب طاقة التنشيط للقدرة الكهروحرارية ووجد أنها اقل بكثير مما للتوصيلية المستمرة (d.c) كما أنها تزداد بزيادة درجة حرارة التلدين وكما تم حساب تحركية وتركيز حاملات الشحنة.


Article
Improved Performance of ZnO/n-Si Solar Cells
تحسين أداء الخلية الشمسية نوع ZnO/n-Si

Author: Dr. Khalid Khaleel Mohamed د. خالد خليل محمد
Journal: AL Rafdain Engineering Journal مجلة هندسة الرافدين ISSN: 18130526 Year: 2010 Volume: 18 Issue: 3 Pages: 19-28
Publisher: Mosul University جامعة الموصل

Loading...
Loading...
Abstract

AbstractThis research is intended to improve the performance of ZnO/n-Si solar cells. The structures were fabricated using thermal evaporation techniques. The indium dopant at suitable heat treatment is used to enhance the electrical characteristics of ZnO layer resulting in reducing atmospheric condition to change the stiochiometry of ZnO layer. The electric properties of the fabricated samples are dependent on many parameters such as annealing temperature, ZnO layer thickness, Indium layer thickness and temperature. The indium layer were deposited at different thickness (10-30) nm during the fabrication of the ZnO/n-Si solar cells. The resultant samples has been studied and the results obtained show an improvement in the efficiency of 0.4% compared with the standard ZnO/n-Si solar cell.Keyword: ZnO/n-Si, Indium, Thermal Evaporation

يتضمن البحث إمكانية تحسين خواص الخلايا الشمسية نوع ZnO/n-Si ، حيث تم تصنيع هذه الخلايا باستخدام تقنية التبخير الفراغي. تم ترسيب مادة الإنديوم مع مادة اوكسيد الزنك لغرض زيادة كفاءة عمل الخلية الشمسية نوع ZnO/n-Si عن طريق تقليل تأثير الظروف الجويه على طبيعة واداء مادة اوكسيد الزنك . تعتمد الخواص الكهربائية للخلايا المصنعة على عدة عوامل منها سمك كل من مادتى اوكسيد الزنك والانديوم المرسبة ، معدل الترسيب ودرجة الحرارة. تم ترسيب مادة الانديوم بسمك (10-30)nm خلال عملية تصنيع خلية ZnO/n-Si In-وبينت نتائج دراسة النماذج المصنعة إمكانية تحسين كفاءة الخلايا الشمسية نوع In-ZnO/n-Si بمقدار0.4% بالمقارنة مع نمادج .ZnO/n-Si


Article
Effect of Incident Photon Energy on the Optical Conductivity and Carrier Concentration of the Thermally Evaporated ZnO:Al Thin Film

Author: Ali J. Mohammed
Journal: Al-Mustansiriyah Journal of Science مجلة علوم المستنصرية ISSN: 1814635X Year: 2010 Volume: 21 Issue: 5 Pages: 62-66
Publisher: Al-Mustansyriah University الجامعة المستنصرية

Loading...
Loading...
Abstract

All doped ZnO thin film was prepared by thermal vacuum evaporation technique. The effect of incident photon energy on the optical (carrier concentration and conductivity ) of the prepared sample , depending on the transmission, absorption and extinction coefficient . Sharply increasing of carrier concentration and conductivity was recorded when the incident energy increased nearly the band gap region depending on the high absorption

في هذا البحث تم تحضير غشاء اوكسيد الخارصين المشوب بالالمنيوم بتقنية التبخير الحراري .تم دراسة تاثير طاقة الفوتون الساقط على بعض الخصائص البصرية ( اعتمادا على قياس النفاذية ) وبالذات على تركيز حاملات الشحن والتوصيلية الضوئية , وحساب معامل الامتصاص ومعامل الخمود . الدراسة بينت زيادة حادة في تركيز حاملات الشحن والتوصيلية الضوئية خصوصا لطاقة الفوتون ضمن المنطقة القريبة من حافة الامتصاص وبحدود طاقة الفجوة , وبسبب حصول اعلى امتصاص في هذه المنطقة وكذلك فان ادنى مقدار للنفاذية هو في المنطقة ادنى من حافة الامتصاص


Article
دراسة تأثير التشعيع على الثوابت البصرية لأغشية CuIn(SexTe1-x)2 المحضرة بطريقة التبخير الحراري في الفراغ

Authors: محمد حميد عبد الله --- عمار عايش حبيب --- صباح أنور سلمان
Journal: Diyala Journal For Pure Science مجلة ديالى للعلوم الصرفة ISSN: 83732222 25189255 Year: 2010 Volume: 6 Issue: 1 Pages: 345-357
Publisher: Diyala University جامعة ديالى

Loading...
Loading...
Abstract

Thin films of CuIn(SexTe1-x)2 have been deposited on glass substrates by vacuum thermal evaporation of thickness (250nm) , the study of the effect of irradiation by gamma rays from ) Cs137(source on the following optical constants : Absorptions, Reflectance , Extinction Coefficient , Refractive Index , Real and Imaginary Parts of the Dielectric Constant, It was found the all these parameters were affected by irradiation.

حضرت أغشية CuIn(SexTe1-x)2 الرقيقة على قواعد من الزجاج بأستخدام تقنية التبخير الحراري في الفراغ بسمك(250nm)، تم دراسة تأثير التشعيع بأشعة كاما من المصدر المشع (Cs137) على الثوابت البصرية الآتية : الامتصاصية ، الانعكاسية ، معامل الخمود ، معامل الانكسار، و ثابت العزل الكهربائي بجزأيه الحقيقي والخيالي ، لقد وجد بان كافة هذه العوامل قد تأثرت بعملية التشعيع.

Listing 1 - 4 of 4
Sort by
Narrow your search

Resource type

article (4)


Language

English (4)


Year
From To Submit

2010 (4)