research centers


Search results: Found 2

Listing 1 - 2 of 2
Sort by

Article
Characterization of ZnO thin films grown by chemical bath deposition

Author: Mohammad M. Ali
Journal: Journal of Basrah Researches (Sciences) مجلة ابحاث البصرة ( العلميات) ISSN: 18172695 Year: 2011 Volume: 37 Issue: 3A Pages: 49-56
Publisher: Basrah University جامعة البصرة

Loading...
Loading...
Abstract

The ZnO thin films were prepared by chemical bath deposition technique using glass substrates with bath temperature 80oC and annealing temperatures 300oC, 350oC and 400oC. The X-ray diffraction analysis shows that the prepared samples are polycrystalline and it exhibits hexagonal structure along with c-axis orientation. The average grain size of ZnO thin films was found to be 36.340nm as calculated by XRD using Debye Scherer’s formula. After annealing the films in air the grain size was 32.420nm, 60.993nm and 34.067nm respectively. The optical absorbance of the deposited films was characterized by UV-VIS-NIR spectrometry and shows the presence of direct transition with band gap energy 3.32eV and after annealing, it decreases to 3.12eV, 3.04eV and 3.10eV respectively.

حضُرة (رُسبت) الأغشية الرقيقة لمركب ZnO على القواعد الزجاجية باستعمال تقنية الترسيب الكيميائي CBD بدرجة حرارة ترسيب 80oC، بعدها تمت معاملة تلك الأغشية حراريا بدرجات حرارية مختلفة (عملية التلدين) 300oC و 350oC و 400oC في الهواء. تم تحليل التركيب البلوري للأغشية المحضرة والملدنة عن طريق حيود الأشعة السينية XRD وتبين ان الأغشية متناسقة وناعمة ومتعددة التبلور وتمتلك طوراً واحداً فقط وهو التركيب البلوري السداسي Hexagonal بدون حدوث اي تغيير في التركيب البلوري على طول فترة التحضيرات والتي رافقتها عملية التلدين. أن معدل الحجم الحبيبي لتلك الأغشية هو 36.340nm والمحسوب عن طريق استعمال علاقة ديباي-شيرر وذلك من خلال حيود الأشعة السينية، وبعد أجراء عملية التلدين فأن معدل الحجم الحبيبي أصبح 32.420nm و 60.993nm و 34.067nm على التوالي. قيست الامتصاصية الضوئية للأغشية باستعمال مدى المطيافية UV-VIS-NIR من الضوء وتبين ان لها سمة الأنتقال المباشر مع فجوة طاقة 3.32eV للأغشية المرسبة بدرجة حرارة 80oC وللأغشية الملدنة كانت 3.12eV و 3.04eV و 3.10eV على التوالي.


Article
Characteristics of Zinc Oxide Film Prepared by Chemical Spray Deposition as a Gas Sensor
دراسة خصائص اغشية اوكسيد الزنك المحضرة بطريقة الرش الكيميائي كمتحسس للغازات

Loading...
Loading...
Abstract

Zinc oxide thin films were deposited by chemical spray pyrolysis onto glass substrates which are held at a temperature of 673 K. Some structural, electrical, optical and gas sensing properties of films were studied. The resistance of ZnO thin film exhibits a change of magnitude as the ambient gas is cycled from air to oxygen and nitrogen dioxide.

تم في هذا البحث تحضير عينات من اغشية مركب ZnO وباستخدام طريقة الترسيب بالرش الكيميائي على قواعد زجاجية بدرجة حرارة 673 كلفن . درست بعض الخصائص التركيبية والكهربائية والبصرية والتحسسسية للغازات للاغشية المحضرة . مقاومة الاغشية المحضرة تبين تغير بالمقدار عند تعرضها الى غازات الاوكسجين وثاني اوكسيد النايتروجين مقارنة مع الهواء .

Listing 1 - 2 of 2
Sort by
Narrow your search

Resource type

article (2)


Language

English (2)


Year
From To Submit

2011 (2)