research centers


Search results: Found 1

Listing 1 - 1 of 1
Sort by

Article
Energy band diagram of In2O3/ Si heterojunction
مخطط حزمة الطاقة للمفرق الهجين In2O3 /Si

Author: Iftikhar M.Ali افتخار محمود علي
Journal: Baghdad Science Journal مجلة بغداد للعلوم ISSN: 20788665 24117986 Year: 2011 Volume: 8 Issue: 2عدد خاص بمؤتمر الفيزياء Pages: 581-587
Publisher: Baghdad University جامعة بغداد

Loading...
Loading...
Abstract

Crystalline In2O3 Thin films have been prepared by flash evaporation. We have studied the crystal structure of as deposited at 303K and annealed at 523K using X-ray diffraction. The Hall Effect measurements confirmed that electrons were predominant charges in the conduction process (i.e n-type).It is found that the absorption coefficient of the prepared films decreases with increasing Ta. The d.c conductivity study showed that the conductivity increase with increasing Ta , whereas the activation energy decreases with increasing Ta. Also we study the barrier tunneling diode for In2O3/Si heterostructure grown by Flash evaporation technique. (capacitance-voltage C-V) spectroscopy measurements were performed at 303 K and at the annealing temperature 523K. The built in voltage has been determined and it depends strongly on the annealing process of the heterojunction. From all above measurements we assumed an energy band diagram for In2O3 /Si(P-type) heterojunction.

تم تحضير أغشيةIn2O3 بطريقة التبخير الوميضي في الفراغ.ثم دراسةالتركيب البلوري للعينات كما تم ترسيبها (as-deposited) عند درجة حرارة 303K وتلك الملدنة عند درجة 523K . أظهرت فحوصات هول ان حاملات الشحنة السائدة هي الألكترونات وهذا يعني ان الأغشية كانت من النوع السالب. وجد ان معامل الامتصاص للاغشية المحضرة تقل بزيادة درجة حرارة التلدين من خلال دراسة التوصيليةالمستمرة وجد ان التوصيلية تزداد بزيادة درجة حرارة التلدين بينما طاقة التنشيط تقل بزيادة درجة حرارة التلدين . تم دراسة خواص (السعة-الفولتية)وخساب جهد البناء الداخلي لهذا المفرق حيث اظهرت النتائج ان جهد البناء الداخلي يعتمد بشكل كبير على المعالجةالحرارية للمفرق.ومن خلال جميع الحسابات المذكورة اعلاه تم افتراض موديل لمخطط طاقة التنشيط للمفرق الهجين المحضرIn2O3/p-Si.

Listing 1 - 1 of 1
Sort by
Narrow your search

Resource type

article (1)


Language

English (1)


Year
From To Submit

2011 (1)