research centers


Search results: Found 2

Listing 1 - 2 of 2
Sort by

Article
The Optical and Electrical Properties of CdSe Thin Films Prepared by CBD Technique
الخواص البصرية والكهربائية لأغشية CdSe المحضرة بطريقة ترسيب الحمام الكيميائي (CBD)

Authors: Nawfal Y. Jamil نوفل يوسف جميل --- Marwa T. Mahmood مروة ثامر الشماع --- Noor A. Mustafa نور عبد السلام الرضواني
Journal: Rafidain journal of science مجلة علوم الرافدين ISSN: 16089391 Year: 2012 Volume: 23 Issue: 1E Pages: 116-125
Publisher: Mosul University جامعة الموصل

Loading...
Loading...
Abstract

In this work thin films of CdSe were deposited on glass substrate by chemical bath deposition technique at different deposition temperatures 298, 318, and 328 K. The effects of deposition temperature on the optical properties have been studied as well as the effect of annealing at different temperatures (373, 473, 573 and 673 K) for one hour. The optical properties of CdSe were studied from transmittance measurements as a function of a range of wave lengths (320-1000 nm). Optical band gap has been decreased from 2 to 1.7 eV after annealing. CdSe/p-Si was prepared by depositing CdSe film on the p-type Si substrate. The I-V characteristics showed a diode behavior.

في هذا البحث تم تحضير أغشية CdSe بطريقة ترسيب الحمام الكيميائي(CBD) عند درجات حرارة مختلفة (298, 318 and 328 K)، ودراسة تأثير درجات حرارة الترسيب على الخواص البصرية وتأثير التلدين بدرجات حرارة (373, 473, 573 and 673 K) ولزمن ساعة واحدة على طاقة الفجوة لغشاء (CdSe)، إذ تم قياس النفاذية بوصفها دالة للطول الموجي ضمن المدى (320-1000 nm)ووجد أن طاقة الفجوة البصرية تقل من 2 إلى 1.7 الكترون- فولت بعد التلدين. تم تحضير CdSe/p-Si بترسيب غشاء CdSe على نماذج من السليكون نوع p-type ودراسة خواصها الكهربائية وأظهرت النتائج الحصول على نبيطة ثنائي من خلال قياسات I-V.


Article
Optoelectronic Properties of CdSe/Si Heterojunction
الخصائصالكھروبصریة للمفرق الھجین CdSe/Si

Author: Waseem Najeeb Ibrahim
Journal: Engineering and Technology Journal مجلة الهندسة والتكنولوجيا ISSN: 16816900 24120758 Year: 2012 Volume: 30 Issue: 12 Pages: 2138-2149
Publisher: University of Technology الجامعة التكنولوجية

Loading...
Loading...
Abstract

In this paper n-CdSe/p-Si heteroj unction photodetector was fabricated bythermal-evaporation technique of CdSe thin film grown onto single crystalline Sisubstrate . The energy gap of CdSe film was estimated from transmittance spectraand found to be (1.89 eV) . The temperature dependence of Seebeck coefficientwas studied . The conductivity of CdSe thin film is n-type and the value ofactivation energy is (0.59 eV). Heterojunction properties included dark andilluminated current-voltage (I-V) and capacitance-voltage (C-V) characteristics.From I-V plot, junction ideality factor for heterojunction was calculated to be1.43, and providing information about the current transport mechanism. The linearvariation of the experimental curve C-2 vs. V is indicative of the presence ofabrupt heterojunction and it used to determine the experimental value of built-injunctionpotential Vbi . From illuminated I-V plot at different intensity levels(90,180,240) mW/cm2 , the linearity behavior of CdSe/Si heterojunction wasinvestigated .

بتقنی ة التبخی ر n-CdSe/p-Si في ھ ذا البح ث ت م تص نیع كاش ف ض وئي م ن المف رق الھج یناحادي التبلور . ان قیم ة Si المنماة على قواعد من السیلیكون CdSe الحراري في الفراغ لأغشیةالمحضرة حددت من خلال دراسة طیف النفاذیة للأغشیة والتي بلغ ت CdSe فجوة الطاقة لأغشیة1.89 ) . من خلال دراسة تغیر معامل سیبك مع درجة الحرارة تبین ان نوع التوصیلیة eV) حواليوان قیمة طاق ة التنش یط لھ ذه الأغش یة ھ ي ( 0.59 n-type ھي من النوع المانح CdSe لأغشیةتضمنت خصائص المفرق الھجین دراسة خصائصتیار- جھ د ف ي ح التي الظ لام والاض اءة .(eVوخصائص سعة – جھد . بینت خصائصتیار- جھ د ان قیم ة عام ل المثالی ة للمف رق الھج ین كان ت1.43 ) ، اضافة الى توض یح الی ة نق ل التی ار عن د من اطق الفولتی ات الواطئ ة والعالی ة . ان العلاق ة )اوضحت ان المفرق الھجین غیر V وفولتیة الانحیاز العكسي C- الخطیة مابین مقلوب مربع السعة 2المتماثل من النوع الحاد وأستخدمت ھذه العلاق ة ف ي تحدی د قیم ة جھ د البن اء ال داخلي للمف رق . م نmW/cm خ لال دراس ة خص ائصتی ار- جھ د ف ي حال ة الاض اءة عن د ق درات ض وئیة مختلف ة 2یعطي خصائص خطیة جی دة لم دیات الق درة CdSe/Si 90,180,240 ) وجد ان المفرق الھجین )الضوئیة الساقطة

Listing 1 - 2 of 2
Sort by
Narrow your search

Resource type

article (2)


Language

English (2)


Year
From To Submit

2012 (2)