research centers


Search results: Found 2

Listing 1 - 2 of 2
Sort by

Article
Fabrication and Study Characteristics Of CdS/Si Heterojunction Detector by CBD Technique
تصنيع ودراسة خصائص كاشف المفرق الهجين CdS/Si بتقنية ترسيب بالحمام الكيماوي

Author: Hani H. Ahmed هاني هادي احمد
Journal: Tikrit Journal of Pure Science مجلة تكريت للعلوم الصرفة ISSN: 18131662 Year: 2012 Volume: 17 Issue: 2 Pages: 169-175
Publisher: Tikrit University جامعة تكريت

Loading...
Loading...
Abstract

In the present work, fabrication and characterization detector CdS/Si heterojunction. The CdS thin film depositing on glass substrate and silicon Wafers by chemical bath deposition(CBD) technique. Structure of these films was characterized by X-ray diffraction ,which show that of CdS films deposited have polycrystalline structure cubic(zinc blende) and hexagonal (diamond) and the grain size is 45 nm . The optical properties were studied by transmission spectra where found that for CdS films have highly transmittance in visible region of spectrum and reach to more than 80 % with wide band gap of 2.44 eV is a promising material to be used in photovoltaic devices as solar cells and detectors .Electrical properties of CdS/Si heterojunction have been investigated. The I-V characteristics of under dark condition depict that good rectification behavior and exponential relationship for forward current biasing. The C-V measurements have shown that the heterojunction were of abrupt type and the build-in potential equal 1.75V. The optoelectronic characteristics shows the CdS/Si detector has good spectral responsivity in visible and NIR with higher peak responsivity at 800 nm were found 0.26 A/w .The maximum quantum efficiency was found to be (60%) at (800 nm) wavelength.

في هذا البحث تم تصنيع ودراسة خصائص كاشف المفرق الهجين نوع CdS/Si . إذا تم ترسيب غشاءCdS على أرضيات زجاجية و شرائح سليكونية بتقنية ترسيب الحمام الكيميائي(CBD ). الخواص التركيبة لهذه الأغشية شخصت باستخدام تقنية حيود الأشعة السينية(XRD) حيت بينت ان غشاءCdS يمتلك تركيبا" بلوريا" مكعبا" (خارصين) وسداسيا"(ماس) ومعدل الحجم الحبيبي (45)nm. الخواص البصرية درست باستخدام طيف النفاذية،حيث وجد إن غشاء CdS المرسب يمتلك نفاذية عالية في المنطقة المرئية من الطيف وتصل إلى أكثر من 80% مع فجوة طاقة عريضة 2.44eV التي تسمح للمادة في الاستخدام في الأجهزة الفوتوفولتائية كالخلايا الشمسية والكواشف. تم أيضا" تحليل الخصائص الكهربائية للمفرق الهجين CdS/Si . أظهرت نتائج خصائص( تيار- جهد) تحت شرط الظلام صفة التقويم والسلوك ألأسي لتيار الانحيازيين الأمامي والعكسي. بينت نتائج قياسات (سعة - جهد) ان المفرق المصنع هو من النوع الحاد(abrupt) وان جهد البناء الداخلي يساوي1.75 V. الخصائص الكهروبصرية بينت إن الكاشف CdS/Si يمتلك استجابية طيفية جيدة في المدى المرئي وتحت الحمراء القريبة من الطيف مع أعلى قمة للاستجابية عند الطول ألموجي800nm وجدت0.26A/w)).كما وجد إن أقصى كفاءة كمية كانت(60%) عند الطول ألموجي800 nm .


Article
Study of Optoelectronic Properties CdS-Si Heterojunction Prepared by Chemical Bath Deposition Method
دراسة الخصائص الكهروبصرية لمفرق هجيني نوع CdS-Si محضر بطريقة ترسيب بالحمام الكيميائي

Author: Hani H. Ahmed هاني هادي احمد
Journal: Journal of university of Anbar for Pure science مجلة جامعة الانبار للعلوم الصرفة ISSN: ISSN: 19918941 Year: 2012 Volume: 6 Issue: 3 Pages: 79-84
Publisher: University of Anbar جامعة الانبار

Loading...
Loading...
Abstract

CdS-Si heterojunction detector has been prepared by chemical bath deposition method . Structure properties of these films was characterized by X-ray diffraction .CdS films deposited have polycrystalline structure cubic(zinc blende) and hexagonal. The average grain size is 45 nm .The optical properties of the CdS films have highly transmittance in visible region of spectrum and reach to more than 80 % with a wide band gap of 2.44 eV .Electrical properties of CdS-Si heterojunction have been investigated. The I-V characteristics under dark condition depict that good rectification behavior and exponential relationship for forward current biasing. The C-V measurements have shown that the heterojunction were of abrupt type and the build-in potential equal to 1.75V. The optoelectronic characteristics shows that CdS-Si detector has good spectral responsivity in the visible and the near infrared and show high sensitivity, in comparison with the conventional p-n silicon detectors.

تم تحضير كاشف المفرق الهجين نوع CdS-Si بطريقة ترسيب الحمام الكيميائي . والخصائص التركيبة لهذه الأغشية شخصت باستخدام تقنية حيود الأشعة السينية(XRD) .وجد ان أغشية CdS تمتلك تركيبا" بلوريا" مكعبا"(خارصين) وسداسيا" .معدل الحجم الحبيبي 45nm. والخصائص البصرية بينت إن غشاء CdS المرسب يمتلك نفاذية عالية في المنطقة المرئية من الطيف وتصل إلى أكثر من 80% مع فجوة طاقة عريضة 2.44 eV .وتم أيضا" تحليل الخصائص الكهربائية للمفرق الهجين CdS-Si .وأظهرت نتائج خصائص( تيار- جهد) تحت شرط الظلام صفة التقويم والسلوك ألأسي لتيار الانحيازيين الأمامي والعكسي. بينت نتائج قياسات (سعة - جهد) ان المفرق المصنع هو من النوع الحاد وان الجهد البناء الداخلي يساوي الى 1.75 V.الخصائص الكهروبصرية بينت إن الكاشف CdS-Si يمتلك استجابية طيفية جيدة في المنطقة المرئية وتحت الحمراء القريبة من الطيف ويعطي استجابية طيفية عالية مقارنة مع الكواشف السليكونية التقليدية.

Listing 1 - 2 of 2
Sort by
Narrow your search

Resource type

article (2)


Language

English (2)


Year
From To Submit

2012 (2)