research centers


Search results: Found 30

Listing 1 - 10 of 30 << page
of 3
>>
Sort by

Article
The Effect of Heat Treatment on Phase Formation of Ti-Al-C thin films
تأثیر التعامل الحراري على الاطوار الناتجة لفلم رقیق من سبائك التیتانیوم - المنیوم- كاربون

Author: Ahmed Mohamed Hasan احمد محمد حسن عبدالكاظم
Journal: Engineering and Technology Journal مجلة الهندسة والتكنولوجيا ISSN: 16816900 24120758 Year: 2012 Volume: 30 Issue: 19 Pages: 405-419
Publisher: University of Technology الجامعة التكنولوجية

Loading...
Loading...
Abstract

A variety of different chemical compositions Titanium-Aluminum-Carbon thinfilms were achieved by combinatorial magnetron sputtering. The as-depositedternary diagram can be divided into two regions. The first region consists oftitanium carbide structure with substitutional Aluminum atoms at the Carbon richside of the diagram. The second region consists of the amorphous phase at the restof the appearing diagram. At 500°C the amorphous phase transforms to titaniumcarbide structure with substitutional Aluminum atoms and at 600 and 700°C manyternary phases have been shown by X-ray diffraction at different regions while theCarbon rich side sustains the titanium carbide structure with substitutionalAluminum atoms. This work could be considered as a leading study in the way toproduce the ternary ceramics at temperatures below the conventional ranges inpowder metallurgy as it had been proved earlier by us.

تش كیلة م ن التراكی ب الكیمیائی ة المختلف ة م ن الاف لام الرقیق ة ل التیت انیوم-المنی وم-ك اربون ت مانجازھا بواسطة التذریة المغنترونیة. یمكن تقسیم مخطط الات زان الثلاث ي ال ى منطقت ین ف ي درج ةحرارة الغرفة الاولى متبلورة من تركیب كاربید التیتانیوم الحاوي على ذرات الالمنیوم التعویض یةفي نسب الكاربون العالي واخرى غیر متبلورة في المناطق المتبقیة. عند درجة حرارة 500 درجةمئویة تتبلور جمیع المناطق الغیر متبلورة لتنتج كاربید التیتانیوم الحاوي على المنیوم. وعن د درج ةحرارة 600 و 700 درج ة مئوی ة وج د ظھ ور ع دة اط وار ثلاثی ة أمك ن تشخیص ھا بحی ود الاش عةالسینیة في مناطق مختلفة من المخطط الثلاثي م ع اس تمرار المحافظ ة عل ى ط ور الكاربی د الثن ائيالحاوي على الالمنیوم في المناطق ذات نسبة الكاربون العالی ة. تع د ھ ذه الدراس ة رائ دة ف ي مج الانتاج افلام رقیقة من السیرامیك الثلاثي بدرجات ح رارة اق ل م ن درج ات الح رارة التقلیدی ة. وھ ياثب ات اخ ر لدراس اتنا الس ابقة ع ن امكانی ة اس تخدام التعام ل الح راري لانت اج الس یرامیك الثلاث يبدرجات حرارة اقل من نضیراتھا في حال الانتاج بتقنیة المساحیق.

Keywords

Thin Films --- TiCx --- Sputtering


Article
Structural and electrical properties of tellurium thin films prepared by vacuum thermal deposition
الخواص التركيبية والكهربائية لاغشية التليريوم المحضرة بطريقة التبخير الحراري

Authors: Marwa R. Fahad مروة رحيم فهد --- Souad G.Kaleel سعاد غفوري خليل --- Mahdi H.Suhail مهدي حسن سهيل
Journal: Iraqi Journal of Physics المجلة العراقية للفيزياء ISSN: 20704003 Year: 2012 Volume: 10 Issue: 17 Pages: 7 -11
Publisher: Baghdad University جامعة بغداد

Loading...
Loading...
Abstract

Thin films of highly pure (99.999%) Tellurium was prepared by high vacuum technique (5*10-5torr), on glass substrates .Thin films have thickness 0.6m was evaporated by thermal evaporation technique. The film deposited was annealed for one hour in vacuum of (5*10-4torr) at 373 and 423 K. Structural and electrical properties of the films are studies. The x-ray diffraction of the film represents a poly-crystalline nature in room temperature and annealed film but all films having different grain sizes. The d.c. electrical properties have been studied at low and at relatively high temperatures and show that the conductivity decreases with increasing temperature at all range of temperature. Two types of conduction mechanisms were found to dominate in the measured temperature range.

أعدت أغشية رقيقة من التليريوم عالي النقاوة (99.999٪) بواسطة تقنية عالية الفراغ ((5x10-6 تور، على ارضيات من الزجاج. حضرت الأغشية الرقيقة بسمك 0.6 مايكرون بواسطة تقنية التبخير الحراري. لدنت الاغشية المحضرة لمدة ساعة في فراغ ((5x10-6 تورعند 373 و 423 كلفن.درست الخصائص التركيبية والكهربائية للاغشية المحضرة. حيود الأشعة السينية للاغشية اظهرت ان الاغشية متعدده التبلور في درجة حرارة الغرفة والملدنة ولكن جميع الأغشية ذات أحجام حبيبة مختلفة. تم دراسة الخصائص الكهربائية المستمرة عند درجات حرارة منخفضة درجة حرارة مرتفعة نسبيا، وتبين أن التوصلية تتناقص مع زيادة درجة الحرارة ولجميع مديات درجة الحرارة. نوعان من آليات التوصيل موجودة فى الاغشية في نطاق درجة الحرارة المقاسة.


Article
Structural and optical properties of BaTiO3 thin films prepared by pulsed laser deposition
الخواص التركيبية والبصرية لأغشية الباريوم تيتانيت الـرقيقة الـمرسبة بتقنية الليزر النبضي

Authors: Qusay A. Hussein قصي علي حسين --- Issam M.Ibrahim عصام محمد ابراهيم --- K.T.Al-Rasoul خالد طه الرسول
Journal: Iraqi Journal of Physics المجلة العراقية للفيزياء ISSN: 20704003 Year: 2012 Volume: 10 Issue: 17 Pages: 41-44
Publisher: Baghdad University جامعة بغداد

Loading...
Loading...
Abstract

BaTiO3 thin films have been deposited on Si (111) and glass substrates by using pulsed laser deposition technique. The films were characterized by using X-ray diffraction, atomic force microscope and optical transmission spectra. The films growth on Si after annealing at 873K showed a polycrystalline nature, and exhibited tetragonal structure, while on glass substrate no growth was noticed at that temperature. UV-VIS transmittance measurements showed that the films are highly transparent in the visible wavelength region and near-infrared region for sample annealing on glass substrate. The optical gap of the film were calculated from the curve of absorption coefficient (αhν) 2 vs. hν and was found tobe 3.6 eV at substrate temperature 573K, and this value increases up to 3.69 eV at annealing temperature of (673K), but the refractive index was found to decrease from 2.4 to 2.2 at that temperature.

تم ترسيب مركب الباريوم تيتانيت على قواعد من السيليكون (111) والزجاج بأستخدام تقنية ترسيب الليزر النبضي .تم فحص الافلام بواسطة حيود الاشعة السينية ومجهر القوى الذري وطيف النفاذية البصري.وقد ظهر ان نمو الغشاء على السيلكون بعد التلدين عند درجة 873كلفن بشكل متعدد البلورات, بتركيب رباعي, بينما الاغشية المرسبة على الزجاج لم تظهر اي نمو في الغشاء عند التلدين بتلك الدرجة. كذلك تم دراسة الخصائص البصرية بواسطة قياسات مطياف النفاذية للأشعة المرئية وفوق البنفسجية وقد ظهر ان الاغشية شفافة جداً في منطقةِ اطوالِ الموجة المرئيةِ ومنطقةِ الأشعة تحت الحمراءِ القريبة بالنسبة للعيّنةِ الملدنةِ على قاعدة زجاجية. كذلك تم حساب قيمة فجوة الطاقة من خلال معرفة معامل الامتصاص وتغيره مع الطاقة حيث وجدت قيمتها 3.6الكترون فولت للغشاءالمحضر عند درجة حرارة القاعدة 573كلفن وهذه القيمة تزداد الى 3.69الكترون فولت, اما معامل الانكسار يقل عندما يلدن الغشاء لينخفض من 2.4الى2.2 عند تلدين 673 كلفن.


Article
Laser Energy Effects on Optical Properties of Titanium Di- Oxide Prepared by Reactive Pulsed Laser Deposition
تاثیر طاقة اللیزر على الخصائص البصریة لاغشیة اوكسید التیتانیوم المحضرة باستخدام تقنیة الترسیب باللیزر النبضي

Authors: Mukkaram. A Fakhry --- Farah A. Hattab --- Esraa K. Hamed
Journal: Engineering and Technology Journal مجلة الهندسة والتكنولوجيا ISSN: 16816900 24120758 Year: 2012 Volume: 30 Issue: 17 Pages: 3104-3111
Publisher: University of Technology الجامعة التكنولوجية

Loading...
Loading...
Abstract

In this Work, Laser energy effects on optical and morphological properties ofTiO2 thin film has been carried out using Reactive Pulsed Laser as a Depositiontechnique (RPLD). Q-switched Nd-YAG laser with (ë=1.06ìm, t =7nsec) anddifferent energies have been used to ablate pure Titanium target and deposited thinfilms on glass substrates with constant substrate temperature of (343K). The opticalproperties of the films prepared include Optical transmit ion and absorptionmeasurement, surface uniformity measurement and FTIR structure of these films.The results films show that high transparency reached to about (85-98) % can beachieved with TiO2 film which itself decreases sharply with the increasing of Laserenergy while the optical band gap is (3.7-3.9) eV at optimum Laser energy in allresults (800mJ), the FTIRstructure result at 800 mJ is the optimum and peaksabsorption of TiO2 are (408.91, 439.77, 524.64) cm-1.

في ھذا العمل، تم دراسة تأثیرطاقةاللیزرعلﯨالخصائص البصریة والشكلیة لاغشیةثاني أكسیدحیث تم .(RPLD) الرقیقةالمنماة باستخدام تقنیة الترسیب باللیزر النبضي , TiO التیتانیوم 2الذي یعمل بتقنیة عامل النوعیة ذو طول موجي Nd-YAG استخدام لیزر الندیمیوم–یاك النبضيعند طاقات ةفلتخم لتشظیة اھداف معدن التیتانیوم (t=7nsec) و امد نبضة (λ=1.06nm)343 ).ان الخصائص البصریة للاغشیة المنماة K) وترسیبھ على قواعد زجاجیة عند درجة حرارةتشمل حساب الامتصاصیة و النفاذیة و معرفة مدى انتظامیة السطح و كذلك الخصائص التركیبیةللمادة حیث اظھرت نتائج الخصائص البصریة لاغشیة اوكسید التیتانیوم ان نسبة النفاذیة عالیة و 310585 ) وانھا تقل بحدة مع زیادة طاقة اللیزر. كما و ان فجوة الطاقة البصریة - تتراوح ما بین% ( 98800 ). اما mJ) 3.7-3.9 ) و ان افضل النتائج كانت عندما طاقةاللیزر تساوي )eV تتراوح ما بینتبین ایضا اعلى قمة امتصاص لاوكسید التیتانیوم (FTIR) نتائج الخصائص التركیبیة للاغشیة.800 mJ عند طاقة لیزر تساو


Article
The effect of sulfide content(x) on the electrical properties of (ZnSx Se1-x) thin films
تأثير محتوى الكبريت على الخواص الكهربائية لاغشيةZnSxSe1-x الرقيقة

Authors: Majed.A.Dwech ماجد حسين دويج --- Bushra A.Hasan بشرى عباس حسن --- R.M.S.Al-Haddad رعد محمد صالح الحداد
Journal: Iraqi Journal of Physics المجلة العراقية للفيزياء ISSN: 20704003 Year: 2012 Volume: 10 Issue: 18 Pages: 35-49
Publisher: Baghdad University جامعة بغداد

Loading...
Loading...
Abstract

Thin films of ZnSxSe1-x with different sulfide content(x)(0, 0.02, 0.04, 0.06, 0.8, and 0.1), thickness (t) (0.3, 0.5, and 0.7 µm) and annealing temperature (Ta) (R.T 373 and 423K) were fabricated by thermal evaporating under vacuum of 10-5 Toor on glass substrate. The results show that the increasing of sulfide content (x)and annealing temperature lead to decrease the d.c conductivity σDC of and concentration of charge carriers (nH) but increases the activation energy (Ea1,Ea2), while the increasing of t increases σDC and nH but decrease (Ea1,Ea2). The results were explained in different terms.

تم تحضير أغشية رقيقة مـــن ZnSx Se1-xبنسب مختلفة من المحتوى من الكبريت وبأسماك وبدرجات حرارة تلدين مختلفة بطريقة التبخير الحراري تحت الفراغ علــــــى أرضية زجاجية.أظهرت النتائج ان زيادة المحتوى من الكبريت ودرجة حرارة التلدين يؤدي الى نقصان في قيم التوصيلية الكهربائيةالمستمرة σDC وكثافة حاملات الشحنة nH لكنه يزيد قيم طاقة التنشيط Ea1,Ea2 بينما زيادة السمك أدى إلى زيادة قيم كل من σDC و nH وهبوط قيم Ea1,Ea2 . فسرت النتائج بدلالة رموز مختلفة.


Article
Effect of Cu doping on optical properties of Mn2O3 films prepared by spray pyrolysis
تأثير التشويب بالنحاس على الخواص البصرية لأغشية أوكسيد المنغنيز المحضرة بطريقة التحلل الكيميائي الحراري

Loading...
Loading...
Abstract

Thin films of Mn2O3 doped with Cu have been fabricated using the simplest and cheapest chemical spray pyrolysis technique onto a glass substrate heated up to 250 oC. Transmittance and absorptance spectra were studied in the wavelength range (300 -1100) nm. The average transmittance at low energy was about 60% and decrease with Cu doping, Optical constants like refractive index, extinction coefficient and dielectric constants (εr), (εi) are calculated and correlated with doping process.

حضرت أغشية رقيقة من اوكسيد المنغنيز و اوكسيد المنغنيز المشوب بالنحاس بطريقة التحلل الكيميائي الحراري البسيطة والواطئة الكلفة على قواعد زجاجية مسخنة لغاية 250 oC. سجلت قيم الامتصاصية والنفاذية في مدى الأطوال الموجية (300-1100) nm . كان معدل النفاذية عند الطاقات الواطئة بحدود60% ويقل بالتشويبCuO ، الثوابت البصرية كمعامل الانكسار، معامل الخمود و ثوابت العزل (εr),( εi) حسبت وربطت مع نسبة الاشابة.


Article
Study the optical properties of CuInS2 non stoichiometric thin films prepared by chemical spray pyrolysis method
دراسة الخصائص البصرية للأغشية الرقيقة CuInS2 الغير متكافئة المحضرة بطريقة الرش الكيميائي الحراري .

Authors: Hamid S. Al-Jumaili حامد صالح الجميلي --- Qayes A. Abbas قيس عبدالله عباس --- Mahir N. Al-Jabery ماهر نوري ثجيل
Journal: Iraqi Journal of Physics المجلة العراقية للفيزياء ISSN: 20704003 Year: 2012 Volume: 10 Issue: 19 Pages: 70-75
Publisher: Baghdad University جامعة بغداد

Loading...
Loading...
Abstract

Effect of [Cu/In] ratio on the optical properties of CuInS2 thin films prepared by chemical spray pyrolysis on glass slides at 300oC was studied. The optical characteristics of the prepared thin films have been investigated using UV-VIS spectrophotometer in the wavelength range (300-1100 nm). The films have a direct allow electronic transition with optical energy gap (Eg) decreased from 1.51 eV to 1.30 eV with increasing of [Cu/In] ratio and as well as we notice that films have different behavior when annealed the films in the temperature 100oC (1h,2h), 200oC (1h,2h) for [Cu/In]=1.4 . Also the extinction coefficient (k), refractive index (n) and the real and imaginary dielectric constants (ε1, ε2) have been investigated.

تم دراسة تأثير النسبة [Cu/In] على الخصائص البصرية لأغشيه CuInS2 الرقيقة المرسبة على شرائح زجاجية بطريقة الرش الكيميائي الحراري عند درجة حرارة الأساس oC 300 وقد تم دراسة الخصائص البصرية للاغشية المحضرة باستخدام مطياف (UV-VIS) ضمن مدى الأطوال الموجية (300-1100nm) .ولقد وجدت إن هذه الاغشيه تمتلك فجوة طاقه مباشرة تقل من 1.51eV إلى 1.30eV مع زيادة النسبة [Cu/In]. كذلك تسلك فجوة الطاقة سلوك مختلف عندما تم تلدين النسبة[Cu/In]=1.4 بدرجات حرارة 100 درجة سيليزية و200 درجة سيليزية ولزمن ساعة واحدة وساعتين. كما تم دراسة معامل الخمود (k) ومعامل الانكسار (n) وثابتي العزل الكهربائي الحقيقي (ε1) والخيالي (ε2) .


Article
Studing Optical and Electrical Properties of Bi203 Thin Filam for Optoelectronic Applications

Authors: Muhnad A. Ahmed --- Basheer Y. Muhson --- Hashim A.R Zalzala
Journal: Al-Nahrain Journal of Science مجلة النهرين للعلوم ISSN: (print)26635453,(online)26635461 Year: 2012 Volume: 15 Issue: 1 Pages: 80-82
Publisher: Al-Nahrain University جامعة النهرين

Loading...
Loading...
Abstract

Bismuth oxide thin film has been prepared on KB7 glass substrates using slow thermal oxidizing bismuth films of thickness (80 nm) in air at 473 K for 10 hours. The structure Characterization of the film was carried out with XRD. The results of XRD technique shows that all samples have a polycrystalline and multiphase (α-Bi2O3 and β-Bi2O3). the optical transmittance in visible region was investigated. The optical energy gap (Eg = 2.5 eV) determined from absorption specter. The dark resistivity and thermoelectric power (TEP) were investigated. The electrical resistivity is of the order of 106 ohm-cm. and the thin film n-type semiconductor It was found that the activation energy Ea

تم تحضير غشاء اوكسيد البزموث على طبقة من الزجاج باستخدام الأكسدة الحرارية البطيئة في الهواء وبدرجة حرارة 473K لمدة عشرة ساعات وبسمك (80 nm) أظهرت نتائج البناء البلوري إن الغشاء من النوع متعدد التبلور وذات أطوار متعددة ووجد ان فجوة الطاقة المباشرة تساوي 2.45eV إما الخواص الكهربائية فقد وجد إن المقاومة تساوي( (106 ohm-cm. وان الغشاء ذا نوع ( (n-type.


Article
Study the Physical Properties Antimony Doped Zinc Oxide Thin Films Prepared by Chemical Vapor Deposition
دراسة الخصائص الفيزيائية لأغشية اوكسيد الخارصين المطعمة بالأنتيمون والمحضرة بطريقة الـترسيب البخاري الكيميائي

Authors: Basil H. Nasir باسل هاشم ناصر صالح --- Mekhaiel I. Manssor ميخائيل عيسى منصور
Journal: Rafidain journal of science مجلة علوم الرافدين ISSN: 16089391 Year: 2012 Volume: 23 Issue: 3A Pages: 163-179
Publisher: Mosul University جامعة الموصل

Loading...
Loading...
Abstract

Undoped ZnO and Sb-doped ZnO (0.3-10 at. %) thin films have been prepared by APCVD technique on the glass substrate at (400Cº, 425Cº, 450Cº, 475Cº, 500Cº(. The structural, optical and electrical properties of these thin films were studied. The results of the structural tests showed that these Films of ZnO:Sb were successfully prepared by (APCVD) X-ray measurement revealed that thin film structure was Polycrystalline of Hexagonal Wurtzite type with preferential orientation along the (002), (100) direction, in addition peaks for some phases for Antimony oxides were appeared. AFM measurement revealed that thin film have Roughness Average (19.4 nm) & RMS (24.3 nm). The optical measurement Transmission (T') were increase with as the doping percentage increased and decrease with increased substrate temperature, were found (79-90%), the band gap energies of the ZnO:Sb thin film are nearly the same as the pure ZnO. the best Electrical conductivity is appear with ZnO thin and (10% Sb) concentration at substrate temperatures (400Cº). The Hall measurement revealed that Resistivity were (1.8 Ω.cm), mobility ((146-4749) cm2/V.sec) and carrier concentration (1015 cm-3). The doped and undoped ZnO films exhibited n-type conductivity.

تم تحضير أغشية رقيقة من الاكاسيد الموصلة الشفافة ZnO الذاتية والمطعمة بالأنتيمون بنسب تطعيم (1% - 10%) باستخدام تقنية الترسيب البخاري الكيميائي عند الضغط الجوي (APCVD) وفي درجات حرارية مختلفة للأرضيات (400Cº, 425Cº, 450Cº, 475Cº, 500Cº). واعتمد انجاز الدراسة في مراحلها البحثية على حيود الأشعة السينية XRD، ومجهر القوة الذرية AFM، الامتصاصية البصرية والنفاذية لطيف الأشعة فوق البنفسجية والضوء المرئي، التوصيلية الكهربائية وتأثير هول. ومن خلال قياسات الأشعة السينية تبين أن الأغشية المحضرة تمتلك تركيباً متعدد البلورات وكانت من النوع السداسي (Hexagonal Wurtzite Type) وكانت ذات اتجاه نمو مفضل (002)، (100) فضلا عن ظهور الذروات التي تمثل بعض أطوار اكاسيد الانتيمون، وبينت قياسات AFM ان الأغشية المحضرة تمتلك معدل خشونة (19.4 nm) وقيمة مربع الجذر التربيعي (24.3 nm). أما القياسات البصرية فكانت النفاذية ( T) تزداد بزيادة التطعيم وتقل بزيادة درجة حرارة الأرضيات وتتراوح بين (70-90%)، وكانت فجوة الطاقة البصرية لأغشية ZnO:Sb مقاربة لفجوة الطاقة لـ ZnO الذاتية. وبلغت أفضل توصيلية في أغشية ZnO ثم بنسبة تطعيم (10%) في درجة حرارة (400Cº) ومن خلال قياسات هول وجدنا أن قيم المقاومية الكهربائية كانت بحدود (1.8 Ω.cm) والتحركية تراوحت بين cm2/V.sec) (146-4749)) وتركيز الحاملات (1015 cm-3). وأن أغشية ZnO غير المطعمة والمطعمة بالأنتيمون هي من نوع (n).


Article
Influence of Heat Treatment on the Structural and Electrical Properties of ZnS Thin Films
أثر المعالجة الحرارية على الخصائص التركيبية والكهربائية لأغشية ZnS الرقيقة

Author: Sawsan Abdul Zahra سوسن عبد الزهرة
Journal: Journal of College of Education مجلة كلية التربية ISSN: 18120380 Year: 2012 Issue: 1 Pages: 17-28
Publisher: Al-Mustansyriah University الجامعة المستنصرية

Loading...
Loading...
Abstract

Zinc Sulfide thin films have been deposited onto glass substrates by spray pyrolysis method, the films were analyzed by X-ray diffraction and Hall Effect measurments.XRD analysis of the deposited and annealed films showed that all the films have polycrystalline with hexagonal structure. The effect of heat treatment enhances the grain size and improves the crystalline of the films, the grain size is found to increased from (18-40)nm, also the dislocation density (δ)decreased and in the range (1.6×1012 -1.01×1012)lines/cm. Electrical resistivity is changed after the films were exposed to heat treatment, the value of resistivity was decreased about (3) times than that before annealing. Moreover the activation energy was decreased (1.5-1.1)eV by heat treatment .Hall measurements proved that ZnS thin film is an n-type semiconductor with electron mobility around 160±10cm2/v.s. These results confirmed the improvement in crystallinity of the films with heat treatment at (400,500) °C because of decreasing crystal defects.

تناولت الدراسة تأثير التلدين على الخصائص التركيبية والكهربائية لأغشية ZnS الرقيقة المحضرة بطريقة التحلل الكيميائي الحراري,وتم تحليل النتائج باستخدام حيود الأشعة السينية ودراسة تأثير هول, أظهرت نتائج فحوصات الأشعة السينية بأن الأغشية المحضرة هي من النوع متعدد التبلور وذات طور سداسي , وان هناك زيادة في درجة التبلور بعد المعالجة الحرارية حيث ازداد حجم الحبيبات البلورية وكانت عند القيم nm(1840-)وانخفضت قيم كثافة الانحراف(δ(dislocation density ضمن الحدودlines/cm 1.6×1012)- (1.01×1012, ولوحظ تغير المقاومية الكهربائية مع الحرارة, إذ انخفضت المقاومية بمقدار ثلاث مرات عن قيمتها قبل التلدين , بالإضافة إلى تغير قيمة طاقة التنشيط بقيم تتراوح بين (1.11 -1.5)eV مع المعالجة الحرارية. ومن نتائج هول اتضح بأن الأغشية المحضرة هي من النوع السالب وذات تحركيه بحدود 160±10cm2/v.s. وهذه النتائج تؤكد حدوث تحسن في التركيب البلوري للأغشية بعد المعالجة الحرارية عند درجات 400,500)°C) نتيجة لتقليل العيوب البلورية.

Listing 1 - 10 of 30 << page
of 3
>>
Sort by
Narrow your search

Resource type

article (30)


Language

English (25)

Arabic (4)

Arabic and English (1)


Year
From To Submit

2012 (30)