research centers


Search results: Found 19

Listing 1 - 10 of 19 << page
of 2
>>
Sort by

Article
Front-Wall Illumination of Spray-Deposited PbS-Si HJ Detector
إضاءة كاشف المفرق الهجين PbS-Si المحضر بطريقة الرش من جهة PbS

Author: Kadhim A. Hubeatir
Journal: Engineering and Technology Journal مجلة الهندسة والتكنولوجيا ISSN: 16816900 24120758 Year: 2012 Volume: 30 Issue: 12 Pages: 2010-2015
Publisher: University of Technology الجامعة التكنولوجية

Loading...
Loading...
Abstract

(n-p) PbS-Si HJ detector has been fabricated by pyrolytic spraying of PbSheterolayer onto p-type silicon wafer. PbS-side of illumination in the wavelengthrange (450-1150 nm) revealed that the quantum efficiency plateau fairly conformsto that of Si homojunction. Significant specific detectivity of about 8.5 x 1011 cmHz1/2 W-1 has been obtained at 850 nm wavelength. Signal to noise ratio revealedan optimum operation voltage at 2.5 V.

بطريقة PbS بوساطة ترسيب طبقة (n-p) PbS-Si تم تصنيع كاشف المفرق الهجين نوعالرش الكيميائي الحراري على شريحة سليكونية قابلة. أظهرت نتائج إضاءة الكاشف من جهة450 أن له كفاءة كمية طيفية متشابهة مع الكفاءة الكمية – 1150 nm وبالمدى الطيفي PbS8.5 x للكاشف السليكوني المتجانس. أبدت هذه الكواشف كشفية نوعية عالية نسبياً تصل إلى850 . بينت نتائج قياس نسبة الإشارة إلى nm 1011 عند الطول الموجي cm Hz1/2 W-1.2.5 V الضوضاء أن أنسب فولتية انحياز عكسي لعمل الكاشف هي


Article
Study the effect of adding TiO2 nano-powder on some surface properties of TiO2 thin film prepared on stainless steel substrate
دراسة تأثير إضافة مسحوق نانو TiO2 على بعض الخصائص السطحية لغشاء رقيق TiO2 مرسب على قواعد من الفولاذ المقاوم للصدأ

Authors: Alaa A. Abdul-Hamead الاء علاء الدين عبد الحميد --- Ali H. Ataiwi علي عطاوي
Journal: Iraqi Journal of Physics المجلة العراقية للفيزياء ISSN: 20704003 Year: 2012 Volume: 10 Issue: 18 Pages: 29-34
Publisher: Baghdad University جامعة بغداد

Loading...
Loading...
Abstract

In this research TiO2 nano-powder was prepared by a spray pyrolysis technique and then adds to the TiO2 powder with particle size (0.523 μm) in ratio (0, 5, 10, 15 at %) atomic percentage, and then deposition of the mixture on the stainless steel 316 L substrate in order to use in medical and industrial applications.Structure properties including x-ray diffraction (XRD) and scanning electron microscope (SEM0, also some of mechanical properties and the effect of thermal annealing in different temperature have been studied. The results show that the particle size of a prepared nano-powder was 50 up to 75 nm from SEM, and the crystal structure of the powders (original and nano powder) was rutile with tetragonal cell. An improvement in all the properties after the addition of TiO2 nano –powder was take place.

في هذا البحث تم تحضير مسحوقَ نانوي من أوكسيد التيتانيوم TiO2 بطريقة الرش الكيمياوي الحراري spray pyrolysis بعد ذلك تم خلط المسحوق النانو ي المحضر مع مسحوق جاهز من TiO2 أيضا و بحجمِ حبيبي ِ بلغ (0.523µ m) و بنسبِ خلط بلغت(0 , 5 , 10 , 15 atom %) ، وبعد ذلك ترسيب الخَلِيْطِ على قواعد من الفولاذ المقاوم للصدأِ 316L و المَستعملَة في التطبيقاتِ الطبيةِ والصناعيةِ بشكل واسع. درست الخواص التركيبية باستخدام (XRD,SEM)، أيضا بعض الخواص ميكانيكية، وِتأثير التَلْدين الحراريِ أيضاً في درجةِ الحرارة المختلفةِ. بينت النَتائِجَ بأنّ حجمَ جسيمات المسحوقَ النانو المحضر كَانَ بحدود50 nm إلى حوالي 75 nm مِنْ فحص SEM ، و تحسن قد حصل في كُلّ الخواص بعد إضافةِ مسحوقَ اوكسيد التيتانيوم النانوي.


Article
Influence of substrate temperature on structural and optical properties of SnO2 films
تأثير درجة حرارة الأرضية على الخواص التركيبية والبصرية لأغشية SnO2الرقيقة

Loading...
Loading...
Abstract

Tin Oxide (SnO2) films have been deposited by spray pyrolysis technique at different substrate temperatures. The effects of substrate temperature on the structural, optical and electrical properties of SnO2 films have been investigated. The XRD result shows a polycrystalline structure for SnO2 films at substrate temperature of 673K. The thickness of the deposited film was of the order of 200 nm measured by Toulansky method. The energy gap increases from 2.58eV to 3.59 eV when substrate temperature increases from 473K to 673K .Electrical conductivity is 4.8*10-7(.cm)-1 for sample deposited at 473K while it increases to 8.7*10-3 when the film is deposited at 673K

تم ترسيب اغشية (SnO2) بطريقة الرش الكيميائي عند درجات حرارة ارضية مختلفة وقد تمت دراسة تاثير تغيير تلك الدرجات الحرارية على تركيب الاغشية وخصائصها البصرية والكهربائية. أظهرت نتائج حيود الاشعة السينية ان الاغشية المحضرة عند درجة حرارة ارضية (673K) كانت ذات تركيب متعدد البلورات. كان سمك الاغشية المحضرة بحدود (200nm) وقد تم قياسها بطريقة تولانسكي(Toulansky). ازدادت فجوة الطاقة البصرية من 2.58 الى 3.59 الكترون-فولت .كما ان التوصيلية الكهربائية ازدادت من 4.8*10-7(ohm.cm)-1 الى 8.7*10-3 (ohm.cm)-1 عند زيادة درجة حرارة الارضية من 473K الى 673K.


Article
Effect of Cu doping on optical properties of Mn2O3 films prepared by spray pyrolysis
تأثير التشويب بالنحاس على الخواص البصرية لأغشية أوكسيد المنغنيز المحضرة بطريقة التحلل الكيميائي الحراري

Loading...
Loading...
Abstract

Thin films of Mn2O3 doped with Cu have been fabricated using the simplest and cheapest chemical spray pyrolysis technique onto a glass substrate heated up to 250 oC. Transmittance and absorptance spectra were studied in the wavelength range (300 -1100) nm. The average transmittance at low energy was about 60% and decrease with Cu doping, Optical constants like refractive index, extinction coefficient and dielectric constants (εr), (εi) are calculated and correlated with doping process.

حضرت أغشية رقيقة من اوكسيد المنغنيز و اوكسيد المنغنيز المشوب بالنحاس بطريقة التحلل الكيميائي الحراري البسيطة والواطئة الكلفة على قواعد زجاجية مسخنة لغاية 250 oC. سجلت قيم الامتصاصية والنفاذية في مدى الأطوال الموجية (300-1100) nm . كان معدل النفاذية عند الطاقات الواطئة بحدود60% ويقل بالتشويبCuO ، الثوابت البصرية كمعامل الانكسار، معامل الخمود و ثوابت العزل (εr),( εi) حسبت وربطت مع نسبة الاشابة.


Article
Influence of dopant concentration on Dispersion Parameters of ZnO:Sn Thin Films
تأثير التشويب على معلمات التفريق لأغشية ZnO:Sn الرقيقة

Loading...
Loading...
Abstract

Undoped and Sn doped ZnO films have been deposited by spray pyrolysis technique. The films were deposited onto glass substrate at a temperature of 450°C. The effect of tin incorporation on optical properties and dispersion parameters of ZnO films has been investigated. Optical absorption measurements were also studied by UV-VIS technique in the wavelength range 300-900 nm. The optical band gap of these films was determined. The absorption edge shifted to the lower energy depending on the dopant materials. The changes in dispersion parameters and Urbach tails were investigated as a function of Sn content. The optical energy gap decreased and the wide band tails increased in width from 442 to 546 meV as the doping concentration increased from 0wt.% to 4wt.%. The single-oscillator parametere were detennined.

تم دراسة اغشية اوكسيد الزنك النقية ZnO والمشوبه بالقصدير ZnO:Sn بواسطة تقنية التحلل الكيميائي الحراري، تم ترسيب الأغشية على قواعد من الزجاح بدرجة حراره 450°C. درست ايضا القياسات البصرية حيث سجل طيف الامتصاصية في مدى الأطوال الموجية (300-900) نانومتر لحساب الثوابت الضوئية. وقد تم التحقق من التغيرات في معلمات التفريق وطاقة اورباخ بزيادة نسبة التشويب بالقصدير Sn. انخفضت فجوة الطاقة الضوئية بينما ازداد نطاق عرض الذيول من 442 -546 ملي الكترون فولت بزيادة محتوى Sn من 0wt.% الى 4wt.% . كذلك تم حساب طاقة المتذبذب المفردة في معلمات التفريق قبل وبعد التشويب.


Article
Influence of Substrate Temperature On Optical Properties of CdO Thin Films

Authors: Gailan Asad Kazem --- Ziad Tariq Khodair --- Mustafa Husam Saeed
Journal: journal of the college of basic education مجلة كلية التربية الاساسية ISSN: 18157467 Year: 2012 Volume: 18 Issue: 73 / ملحق Pages: 135-146
Publisher: Al-Mustansyriah University الجامعة المستنصرية

Loading...
Loading...
Abstract

CdO thin films have been prepared utilizing chemical spray pyrolysis technique. Absorbance and transmittance spectra have been recorded in order to study the reflectance, kind of transition ,extinction coefficient refractive index and dielectric Constant in real and imagery parts, all as a function of substrate temperature. It was found that all the investigated parameters affect by Substrate temperature.

حضرت أغشية رقيقة من اوكسيد الكادميوم باستخدام تقنية التحلل الكيميائي الحراري. سجل طيف الامتصاصية والنفاذية وذلك لغرض دراسة الانعكاسية, نوع الانتقال, معامل الخمود, معامل الانكسار وثابت العزل بجزئه الحقيقي والخيالي . كل هذه المعلمات كدالة لدرجة حرارة الأساس. لقد وجد بأن جميع المعلمات قيد الدراسة قد تأثرت بدرجة حرارة الأساس.


Article
Synthesis and study the optical properties of thin film CdCr2S4 on glass formed by chemical spray pyrolysis
Synthesis and study the optical properties of thin film CdCr2S4 on glass formed by chemical spray pyrolysis

Author: Azhar . A . Habieb ازهر عبد الوهاب حبيب
Journal: Journal of Kufa - physics مجلة الكوفة للفيزياء ISSN: 20775830 Year: 2012 Volume: 4 Issue: 1 English Pages: 75-80
Publisher: University of Kufa جامعة الكوفة

Loading...
Loading...
Abstract

(CdCr2S4) thin film has grown on cleaned glass substrate at (673k) temperature using spray pyrolysis deposition technique of thickness (430nm) . UV-VIS. spectra of the film was studied by using the optical absorbance measurements which were taken in the spectral region from (300-1100)nm . Optical constants such as optical allowed and forbidden energy band gap of direct transition , absorption coefficient , extinction coefficient and refractive index were evaluated form these spectra. CdCr2S4 has high value of absorption coefficient (α > 104 cm-1) which conducive to increasing the probability of occurrence direct transitions .Optical allowed band energy for direct transition was (3.325eV) and the forbidden one was (2.61eV) .

CdCr2S4 على قواعد زجاجية نظيفة مسخنة بدرجة حرارة ) 673K( وبسمك ) 430nm ( بطريقة الرشالكيميائي الحراري . اطياف الاشعة المرئية فوق البنفسجية للاغشية درست باستتخدام حستابا الامت تاب الب تري والتتي -اخذ من المنطقة الطيفية من ) 300nm الى 1100nm ( . ومن هذه الاطياف ثم حساب الثواب الب ترية مثتف فجتوة الطاقتةالب رية للانتقاف المباشر المسموح والممنوع ومعامف الامت اب الخمود ومعامتف لانكستار . وان معامتف الامت تاب لل شتاءاكبر من ) 104cm-1 ( وهو ما يدف على حدوث انتقالا الكترونية مباشرة . وكان قيم فجوة الطاقة الب ترية لانتقتاف المباشترالمسموح) eV 323.3 ( وللانتقاف الممنوع ) 2.16eV. )


Article
Studing Optical and Electrical Properties of Bi203 Thin Filam for Optoelectronic Applications

Authors: Muhnad A. Ahmed --- Basheer Y. Muhson --- Hashim A.R Zalzala
Journal: Al-Nahrain Journal of Science مجلة النهرين للعلوم ISSN: (print)26635453,(online)26635461 Year: 2012 Volume: 15 Issue: 1 Pages: 80-82
Publisher: Al-Nahrain University جامعة النهرين

Loading...
Loading...
Abstract

Bismuth oxide thin film has been prepared on KB7 glass substrates using slow thermal oxidizing bismuth films of thickness (80 nm) in air at 473 K for 10 hours. The structure Characterization of the film was carried out with XRD. The results of XRD technique shows that all samples have a polycrystalline and multiphase (α-Bi2O3 and β-Bi2O3). the optical transmittance in visible region was investigated. The optical energy gap (Eg = 2.5 eV) determined from absorption specter. The dark resistivity and thermoelectric power (TEP) were investigated. The electrical resistivity is of the order of 106 ohm-cm. and the thin film n-type semiconductor It was found that the activation energy Ea

تم تحضير غشاء اوكسيد البزموث على طبقة من الزجاج باستخدام الأكسدة الحرارية البطيئة في الهواء وبدرجة حرارة 473K لمدة عشرة ساعات وبسمك (80 nm) أظهرت نتائج البناء البلوري إن الغشاء من النوع متعدد التبلور وذات أطوار متعددة ووجد ان فجوة الطاقة المباشرة تساوي 2.45eV إما الخواص الكهربائية فقد وجد إن المقاومة تساوي( (106 ohm-cm. وان الغشاء ذا نوع ( (n-type.


Article
Influence of Heat Treatment on the Structural and Electrical Properties of ZnS Thin Films
أثر المعالجة الحرارية على الخصائص التركيبية والكهربائية لأغشية ZnS الرقيقة

Author: Sawsan Abdul Zahra سوسن عبد الزهرة
Journal: Journal of College of Education مجلة كلية التربية ISSN: 18120380 Year: 2012 Issue: 1 Pages: 17-28
Publisher: Al-Mustansyriah University الجامعة المستنصرية

Loading...
Loading...
Abstract

Zinc Sulfide thin films have been deposited onto glass substrates by spray pyrolysis method, the films were analyzed by X-ray diffraction and Hall Effect measurments.XRD analysis of the deposited and annealed films showed that all the films have polycrystalline with hexagonal structure. The effect of heat treatment enhances the grain size and improves the crystalline of the films, the grain size is found to increased from (18-40)nm, also the dislocation density (δ)decreased and in the range (1.6×1012 -1.01×1012)lines/cm. Electrical resistivity is changed after the films were exposed to heat treatment, the value of resistivity was decreased about (3) times than that before annealing. Moreover the activation energy was decreased (1.5-1.1)eV by heat treatment .Hall measurements proved that ZnS thin film is an n-type semiconductor with electron mobility around 160±10cm2/v.s. These results confirmed the improvement in crystallinity of the films with heat treatment at (400,500) °C because of decreasing crystal defects.

تناولت الدراسة تأثير التلدين على الخصائص التركيبية والكهربائية لأغشية ZnS الرقيقة المحضرة بطريقة التحلل الكيميائي الحراري,وتم تحليل النتائج باستخدام حيود الأشعة السينية ودراسة تأثير هول, أظهرت نتائج فحوصات الأشعة السينية بأن الأغشية المحضرة هي من النوع متعدد التبلور وذات طور سداسي , وان هناك زيادة في درجة التبلور بعد المعالجة الحرارية حيث ازداد حجم الحبيبات البلورية وكانت عند القيم nm(1840-)وانخفضت قيم كثافة الانحراف(δ(dislocation density ضمن الحدودlines/cm 1.6×1012)- (1.01×1012, ولوحظ تغير المقاومية الكهربائية مع الحرارة, إذ انخفضت المقاومية بمقدار ثلاث مرات عن قيمتها قبل التلدين , بالإضافة إلى تغير قيمة طاقة التنشيط بقيم تتراوح بين (1.11 -1.5)eV مع المعالجة الحرارية. ومن نتائج هول اتضح بأن الأغشية المحضرة هي من النوع السالب وذات تحركيه بحدود 160±10cm2/v.s. وهذه النتائج تؤكد حدوث تحسن في التركيب البلوري للأغشية بعد المعالجة الحرارية عند درجات 400,500)°C) نتيجة لتقليل العيوب البلورية.


Article
Studying the optical properties of ( Cr2O3:I ) thin films prepared by spray pyrolysis technique
دراسة الخصائص البصرية للاغشية الرقيقة ( Cr2O3:I ) المحضرة بطريقة الرش الكيميائي الحراري

Authors: Ammar Ayesh Habeeb عمار عايش حبيب --- Gailan Asad Kazem كيلان اسعد كاظم --- Ziad Tariq Khodair زياد طارق خضير
Journal: Iraqi Journal of Physics المجلة العراقية للفيزياء ISSN: 20704003 Year: 2012 Volume: 10 Issue: 17 Pages: 83-89
Publisher: Baghdad University جامعة بغداد

Loading...
Loading...
Abstract

Undoped and Iodine (I)–doped chrome oxide (Cr2O3)thin films have been prepared by chemical spray pyrolysis technique at substrate temperatures(773K) on glass substrate. Absorbance and transmittance spectra have been recorded as a function of wavelength in the range (340-800 nm) in order to study the optical properties such as reflectance, Energy gap of allowed direct transition, extinction coefficient refractive index, and dielectric constant in real and imagery parts all as a function of wavelength. It was found that all the investigated parameters affect by the doping ratios.

حضرت أغشية رقيقة من اوكسيد الكروم المشوبة باليود باستخدام تقنية الرش الكيميائي الحراري عند درجة حرارة القاعدة (K773(. سجل طيف الامتصاصية والنفاذية كدالة للطول الموجي ضمن المدى(nm340-800 ) وذلك لغرض دراسة الخواص البصرية المتمثلة بالانعكاسية, فجوة الطاقة للانتقال المباشر المسموح , معامل الخمود, ومعامل الانكسار,ثابت العزل بجزئه الحقيقي والخيالي. لقد وجد بأن جميع المعلمات قيد الدراسة قد تأثرت بنسب التطعيم.

Listing 1 - 10 of 19 << page
of 2
>>
Sort by
Narrow your search

Resource type

article (19)


Language

English (16)

Arabic (3)


Year
From To Submit

2012 (19)