research centers


Search results: Found 3

Listing 1 - 3 of 3
Sort by

Article
Induction of indirect somatic embryogenesis for two hybridsof Lycopersicon esculemtum Mill.
تأثير المحيط وجسيمات ألف وبيتا على خواص كثافة تيار – فولتية لأغشية مفارق الجرمانيوم n+p و p+n المطعمة تطعيما ثقيلا

Author: Faisal A. Mustafa
Journal: journal of kerbala university مجلة جامعة كربلاء ISSN: 18130410 Year: 2013 Volume: 1 Issue: المؤتمر العلمي الاول لكلية العلوم Pages: 1-12
Publisher: Kerbala University جامعة كربلاء

Loading...
Loading...
Abstract

The heavily aluminum and arsenic doped germanium films were prepared using thermal co-evaporation process to deposit abrupt p+n and n+p junction films with (4 and 0.5wt%) concentration. The prepared films were exposed to circumstance and natural radionuclide (Ra226) emitted alpha and (Sr90) emitted beta particles after heat treatment with various dosages .The J-V characteristics refer to shifting in both forward and reverse bias and lead to change in bulk resistivity, threshold voltages, damage coefficient, saturation current density, breakdown voltage, resistivity variation and damage percentages. It was observed that the damage coefficient and saturation current density decrease, but increasing in bulk resistivity and breakdown voltage after every stage of exposed radiation.

طعمت أغشية الجرمانيوم بالالمنيوم والزرنيخ تطعيما ثقيلا باستخدام عملية التبخير الحراري المشترك لترسيب أغشية المفارق n+p وp+n بالنسب الوزنية 4% و0.5% .عرضت النماذج للمصدر المشع 226aR الذي يبعث جسيمات ألفا والمصدر المشع 90rS بعد المعالجة الحرارية . درست خواص كثافة التيار – فولتية في الانحيازين الأمامي والعكسي للنماذج المرسبة ،ولقد بينت النتائج حدوث تغيير في المقاومية الحجمية ،فولتية العتبة، كثافة التيار المشبع، انهيار الفولتية ،انخفاض في معامل الضرر والتغير في النسب المئوية للاضرار بعد كل مرحلة من التعرض للمحيط واشعاع ألفا وبيتا.


Article
Effect Of Environment, Alpha And Beta Particles On Lightly Doped Of SMS Film Germanium Junctions

Author: Faisal A. Mostafa
Journal: Journal of University of Babylon مجلة جامعة بابل ISSN: 19920652 23128135 Year: 2013 Volume: 21 Issue: 4 Pages: 1412-1430
Publisher: Babylon University جامعة بابل

Loading...
Loading...
Abstract

The lightly doping of Al and As with germanium material were prepared using thermal co-evaporation technique to deposit SMS film junctions with (0.1wt%) concentration and (800±10nm) thickness. The prepared films were exposed to environment, natural radionuclide (Ra226) emitted alpha and (Sr90) emitted beta particles after heat treatment with various fluences .The (J-V) characteristics refer to high shifting in both forward and reverse biases consisted of three different parts corresponding to different current mechanisms. The first part of (J-V) characteristics correspond to low bias and shows an ohmic behavior which depends on the possible parallel conductance of defects which can be found in the film layers. The second part where V= f-1(J) relationship is exponential, is due to the schottky diode, which results from the contact of semiconductor-metal. The third part is related to bias of relatively higher voltage and is described by linear with ohmic contact. The space charge region is expanded and lead to perturbation in bulk resistivity and its percentages and damage percentages in forward and reverse biases as a result to environment ,increase in bulk resistivity and its percentages, saturation current density, breakdown voltage as result to alpha fluences, As the radiation fluence increases, the concentration of defects, which are introduced by radiation, increase resulting the decrease in current., but it was observed that the bulk resistivity and its percentages, damage percentages decrease after every stages of beta exposure, the damage coefficients (DJ) or (DV) are decrease as the influence of beta particle increase. The film is showed to be very sensitive to environment and radiation, so that its properties change after every dose.

حضرت غشية ألمفارق بسمك (800±10) نانومتر نوع (شبه موصل – معدن – شبه موصل) باستعمال تقنية التبخير الحراري المشترك بتركيز واطئ (0.1%) .عرضت بعض الأغشية للجو والبعض الآخر لدقائق ألفا المنبعثة من عنصر الراديوم 226 والآخر إلى دقائق بيتا المنبعثة من عنصر السترونتيوم 90 بفيوض مختلفة بعد إجراء معاملة حرارية . أشارت مميزات (كثافة التيار – الفولتية) إلى وجود إزاحة كبيرة في كلا الانحيازين الامامي والعكسي المؤلف منحنيها من ثلاثة أجزاء في ضوء ميكانيكية مرور التيار. تميزت الخواص في الجزء الأول بانحياز واطئ ولها سلوك اومي والتي تعتمد على المواصلة التي تظهر نتيجة العيوب التي تتواجد في طبقات الغشاء . الجزء الثاني من المنحني اعتمادا على المعادلة V=f-1(J) ،ظهر بأنه أسي وهو يتعلق بدايود شوتكي والذي يظهر من تماس شبه موصل – معدن. أما الجزء الثالث فيظهر عند الفولتيات العالية نسبيا المسلطة على الغشاء والموضحة أيضا بواسطة التماس الاومي . عندما يزداد التأثير الإشعاعي ، فان تركيز العيوب الناتجة من الإشعاع ،تظهر نقصان في التيار المار. يؤدي ذلك إلى جعل منطقة شحنة الفراغ ممتدة ، أشارت النتائج الى حدوث اضطراب في قيم المقاومية الحجمية ونسبة التغير في المقاومة الحجمية ونسبة الضرر وكثافة تيار الإشباع وفولتية الانهيار نتيجة التعرض الجوي. بينما تزداد هذه العوامل نتيجة التعرض لدقائق ألفا لعدة فيوض.بينما يقل معامل الضرر بعد كل تعرض لهذه الدقائق. أما تأثير إشعاع بيتا ،فلوحظ نقصان المقاومية الحجمية ،ومعامل الضرر نتيجة التغير في كثافة التيار(DJ) أو التغير في الفولتية (DV)وزيادة نسب التغير في المقاومة الحجمية ونسب الضرر بعد كل مدة من التعرض لإشعاع بيتا . لقد تبين أن هذه الأغشية حساسة جدا للمحيط وللإشعاع بحيث تتغير كثيرا بعد التعرض معتمدا في ذلك على الجرعة الإشعاعية الممتدة.


Article
The influence of CdCl2 layer and annealing process on the structural and electrical properties of CdTe films
تأثير طبقة ثنائي كلوريد الكادميوم وعملية التلدين على الخواص التركيبية و الكهربائية لاغشية الكادميوم تيلورايد

Author: Mohammed A. Razooqi محمد عبد الوهاب رزوقي
Journal: Iraqi Journal of Physics المجلة العراقية للفيزياء ISSN: 20704003 Year: 2013 Volume: 11 Issue: 22 Pages: 8-13
Publisher: Baghdad University جامعة بغداد

Loading...
Loading...
Abstract

A polycrystalline CdTefilms have been prepared by thermal evaporation technique on glass substrate at room temperature. The films thickness was about700±50 nm. Some of these films were annealed at 573 K for different duration times (60, 120 and 180 minutes), and other CdTe films followed by a layer of CdCl2 which has been deposited on them, and then the prepared CdTe films with CdCl2 layer have been annealed for the same conditions. The structures of CdTe films without and with CdCl2 layer have been investigated by X-ray diffraction. The as prepared and annealed films without and with CdCl2 layer were polycrystalline structure with preferred orientation at (111) plane. The better structural properties have been observed in presence of CdCl2 layer. The D.C conductivity for CdTe films with CdCl2 layershowed higher values. The electrical activation energy influenced with increasing duration times of annealing. Hall Effect measurement was indicated that all CdTe films are p-type. The carrier concentration, Hall mobility and the carrier life time wereaffected by increasing duration times of annealing.

تم تحضير اغشية الكادميوم تيلورايد الرقيقة المتعددة التبلور بواسطة تقنية التبخير الحراري على ارضيات زجاجية بدرجة حرارة الغرفة. وكان سمك الاغشية بحدود 700±50 نانومتر. وقد تم تلدين بعض هذه الاغشية بازمنة تلدين مختلفة (60 و120و 180 دقيقة), اما باقي اغشية الكادميوم تيلورايد فقد تم ترسيب طبقة من ثنائي كلوريد الكادميوم عليها, و بعد ذلك تم تلدينها بنفس الفترات الزمنية السابقة. وقد تم فحص التركيب البلوري لاغشية الكادميوم تيلورايد الملدنة و غير الملدنة مع و بدون ثنائي كلوريد الكادميوم بواسطة حيود الاشعة السينية. وكانت جميع الاغشية ذات تركيب متعدد التبلور و اتجاهية مفضلة للمستوي 111. كما ان افضل خواص تركيبية كانت مع وجود طبقة ثنلئي كلوريد الكادميوم. وقد اظهرت اغشية الكادميوم تيلورايد المحضرة بوجود طبقة من ثنائي كلوريد الكادميوم أعلى قيم للتوصيلة المستمرة. وكانت قيم طاقة التنشيط متقلبة مع زيادة الفترة الزمنية للتلدين. أما قياسات تاثير هول فقد أظهرت ان جميع الاغشية هي من النوع القابل. كما وان تركيز الحاملات و تحركية هول و زمن عمر الحامل تتاثر جميعها بزيادة الفترة الزمنية للتلدين.

Listing 1 - 3 of 3
Sort by
Narrow your search

Resource type

article (3)


Language

English (3)


Year
From To Submit

2013 (3)