research centers


Search results: Found 49

Listing 1 - 10 of 49 << page
of 5
>>
Sort by

Article
Nanostructure Cadmium Oxide Thin Film Prepared by Vacuum Evaporation Thermal Technique
اغشية اوكسيد الكادميوم ذات التركيب النانوي المحضرة بتقنية التبخيرالحراري بالفراغ

Author: Wafaa K.Khale
Journal: Engineering and Technology Journal مجلة الهندسة والتكنولوجيا ISSN: 16816900 24120758 Year: 2014 Volume: 32 Issue: 5 Part (B) Scientific Pages: 1009-1018
Publisher: University of Technology الجامعة التكنولوجية

Loading...
Loading...
Abstract

Cadmium Oxide films have been prepared by vacuum evaporation technique on a glass substrate at room temperature. Structural optical and morphological properties of the films are studied at different oxidation temperatures (573 To 773) K, for the thickness (300) nm at 30 mint. XRD pattern confirm the films shows the polycrystalline nature of the film with preferential orientation along (111) plane. The film deposited with higher oxidation temperatures shows higher transmittance compared to others. Direct energy band gap of CdO thin film increases with increases of oxidation temperature. From AFM measurement, the average grain size is in the range of nanometer and it shows the faceted columnar microstructure of the film is perpendicular to the surface.

تم تحضير اغشية اوكسيد الكادميوم بواسطة بواسطة تقنية التبخير بالفراغ على قواعد زجاجية بدرجة حرارة الغرفة .الخصائص التركيبية ,البصرية والسطحية للاغشية المحضرة شخصت بدرجات حراريه مختلفة ( 573الى 773 ) كلفن عند سمك غشاء (300) نانوميتر . تقنية حيود الاشعة السينية شخصت اغشية اوكسيد الكادميوم بمتعدد البلورات وذو اتجاهية مفضلة ( 111). لقد وجد ان الاغشية الموكسدة عند درجات حرارةعالية تمتلك اعلى نفاذية ,اضافة الى ذلك قيمة فجوة الطاقة تزداد مع زيادة درجة حرارة الاكسدة .من خلال قياس مجهر القوه الذري وجد ان ابعاد جسيمات الغشاء بالنانوميترو ذات بنية الاعمدة المايكروية العمودية على سطح الغشاء .


Article
Preparation and Characterization of High Quality SnO2 Films Grown by (HPCVD)
تحضيراغشية اوكسيد القصدير عالية النوعية باستخدام الترسيب الكيمياوي ذو الاساس الحار

Authors: Baha T. Chiad --- Nathera Ali --- Nagam Th.Ali
Journal: Engineering and Technology Journal مجلة الهندسة والتكنولوجيا ISSN: 16816900 24120758 Year: 2014 Volume: 32 Issue: 4 Part (B) Scientific Pages: 801-810
Publisher: University of Technology الجامعة التكنولوجية

Loading...
Loading...
Abstract

In this research SnO2 thin films have been prepared by using hot plate atmospheric pressure chemical vapor deposition (HPCVD) on glass and Si (n-type) substrates at various temperatures. Optical properties have been measured by UV-VIS spectrophotometer, maximum transmittance about (94%) at 400 0C. Structure properties have been studied by using X-ray diffraction (XRD) , its shows that all films have a crystalline structure in nature and by increasing growth temperature from(350-500) 0C diffraction peaks becomes sharper and grain size has been change. Atomic force microscopy (AFM) uses to analyze the morphology of the Tine Oxides surface structure. Roughness & Root mean square for different temperature have been investigated. The results show that both increase with substrate temperature increase this measurements deal with X-Ray diffraction results, that there is large change in the structure state of SnO2 thin f film by changing temperature parameter.

في هذا البحث تم تحضير أغشية اوكسيد القصدير بطريقة الترسيب الكيماوي بالبخار بالضغط الجوي على قاعدة ساخنة من الزجاج وسيلكون لدرجات حرارة مختلفة. الخصائص البصرية للغشاء تم قياسها باستخدام جهاز مطياف (UV-Vis.) اقصى نفاذية كانت بحدود(94%) عند 400 0C . أما الخصائص التركيبية تم دراستها باستخدام حيود الأشعة السينية التي أوضحت انه جميع الاغشية هي ذات تركيب بلوري بطبيعتها وبتغيير حرارة نمو الغشاء لمدى (300-500 ) 0C فان قمم الحيود أصبحت اكثر حدة والحجم الحبيبي يتغير. استخدم مجهر القوى الذرية لتحليل طوبوغرافية وتركيب سطح أغشية اوكسيد القصدير حيث تم حساب الخشونة ومعدل الجذر التربيعي للعينات المحضرة ولدرجات حرارة مختلفة واظهرت النتائج بأن كلاهما يزداد مع ازدياد درجة حرارة الاساس وهذا يتفق مع نتائج حيود الاشعة السينية كما ان هنالك تغيير كبير بالحالة التركيبية لغشاء SnO2 مع تغيير مؤثر الحرارة.

Keywords

Sno2 --- Thin Films --- Hpcvd


Article
The Effect of annealing temperature on the optical properties of (Cu2S)100-x( SnS2 )x thin films
تأثير التلدين على الخصائص البصرية لأغشية (Cu2S)100-x( SnS2 )x

Authors: Nadia Jasim Ghdeeb نادية جاسم غضيب --- Anwar Ali Baker انوار علي باقر --- Nada Khdair Abbas ندى خضير عباس
Journal: Baghdad Science Journal مجلة بغداد للعلوم ISSN: 20788665 24117986 Year: 2014 Volume: 11 Issue: 2 عدد خاص بالمؤتمر النسوي الثاني Pages: 641-651
Publisher: Baghdad University جامعة بغداد

Loading...
Loading...
Abstract

Thin films of (Cu2S)100-x( SnS2 )x at X=[ 30,40, &50)]% with thickness (0.9±0.03)µm , had been prepared by chemical spray pyrolysis method on glass substrates at 573 K. These films were then annealed under low pressure of(10-2) mbar ,373)423&473)K for one hour . This research includes , studying the the optical properties of (Cu2S)100-x-(SnS2)x at X=[ 30,40, &50)]% .Moreover studying the effect of annealing on their optical properties , in order to fabricate films with high stability and transmittance that can be used in solar cells. The transmittance and absorbance spectra had been recorded in the wavelength range (310 - 1100) nm in order to study the optical properties . It was found that these films had direct optical band gap which decreases with the increasing SnS2 ratio , while it increasing with the increase in the annealing temperature at all ratio

اغشية Cu2S – SnS2 )) وبالنسب %[50:50),(60:40),(70:30))] وبسمك 0.9±0.03)um) حضرت بطريقة التحلل الكيميائي الحراري على قواعد زجاجية وبدرجة 573 K . وهذه الاغشية لدنت تحت ضغط واطئ 10-2 mbr وبثلاث درجات 373,423,473)K) ولمدة ساعة واحدة .هذا البحث يتضمن دراسة الخصائص البصرية ل(Cu2S- SnS2 ) وبالنسب %[50:50),(60:40),(70:30))] علاوة على دراسة تأثير التلدين على الخصائص البصرية من اجل تصنيع اغشية ذات استقرارية ونفاذية عالية من اجل استخدامها في الخلايا الشمسية والفلاتر البصرية . طيف النفاذية والامتصاصية سجل في مدى طول موجي (310-1100)nm من اجل دراسة الخصائص البصرية .وقد وجد الاغشية تمتلك فجوة طاقة مباشرة تقل من 2.28-2.15)eV) مع زيادة نسبة SnS2 , بينما تزداد فجوة الطاقة البصرية مع زيادة درجة حرارة التلدين ولجميع النسب .


Article
Preparation and Characterization of PAni Films by Electrochemical Polymerization

Author: Raid A.W. Ismail
Journal: Iraqi Journal of Applied Physics المجلة العراقية للفيزياء التطبيقية ISSN: 18132065 23091673 Year: 2014 Volume: 10 Issue: 2 Pages: 23-26
Publisher: iraqi society for alternative and renewable energy sources and techniques الجمعية العراقية لمصادر وتقنيات الطاقة البديلة والمستجدة

Loading...
Loading...
Abstract

In this paper, a thin film of H2SO4 doped polyaniline (PAni) has been electrochemically polymerized on conducting indium tin oxide (ITO) substrate. Electrochemical synthesis was carried out by potentiostatic method at 0.7V. The structural and chemical characteristics of the prepared film were investigated by using x-ray photoelectron spectroscopy (XPS), scanning electron microscopy SEM, energy dispersive spectroscopy EDS, and Fourier transformation infrared spectroscopy FT-IR. The direct optical band gap of PAni was estimated from the optical properties and found to be 2.6 eV. The optical properties confirmed that the synthesized film has two broad absorption bands. The surface conductivity measurement was conducted with a four point probe.


Article
Study on The Effect of Annealing On The Optical Properties of The Pure Lead Sulfide (PbS) Films and Doping by Copper

Author: We´am Sami
Journal: Al-Qadisiyah Journal of pure science(quarterly) مجلة القادسية للعلوم الصرفة (فصلية). ISSN: 19972490 Year: 2014 Volume: 19 Issue: 4 Pages: 42-49
Publisher: Al-Qadisiyah University جامعة القادسية

Loading...
Loading...
Abstract

lfide (PbS) thin films were prepared by spraying pytolysis Method(SPM). Glass substrates with (1 x 2.6 x 7.6) cm were used at room temperature . Thinfilm of (PbS) was a doped by (Copper ,Cu) then the effect of annealing at differenttemperatures(100,200)C0 on the optical properties of (pbS) and (PbS:Cu) areinvestigation. The optical properties of the (pbs)and (pbs:cu) such as absorbance andtransmittance have been analyzed by using (FTIR - 8400S) instrument. The opticalband gab energy has been obtained from the plot between the (αhυ) as a function ofphoton energy (hυ) was (0.43) eV for (pbs) and (0.41 ) eV for (pbs:cu) at the roomtemperature . The absorption spectra of the films showed that (pbs) and (pbs:cu) havea direct band gap increase slowly with temperature annealing


Article
Preparation of Schottky devices (Al-GaAs &Ni-GaAs) and study of some photoelectronic properties

Author: Burak Yahya Kadem
Journal: Journal of University of Babylon مجلة جامعة بابل ISSN: 19920652 23128135 Year: 2014 Volume: 22 Issue: 2 Pages: 873-884
Publisher: Babylon University جامعة بابل

Loading...
Loading...
Abstract

Four samples of metal (n-type) semiconductor contact had been prepared as a form of Schottky contact, Aluminum and Nickel metals and semiconductor substrate GaAs (donor) where used. The Ohmic contact has been firstly made with thickness (500 nm) using Aluminum for two samples and Nickel for other two, four samples were collected. These samples were annealed under the temperature of (450 K) and pressure (10-4Torr) for (30 min.) to avoid the interfacial layers. Then Schottky contact where made using Aluminum twice and Nickel twice with (120 nm) thickness and then we annealed the samples under temperature (450 K) and pressure (10-4Torr) , the samples are as follows:(Al/GaAs/Al Ohmic, Al/GaAs/Ni Ohmic, Ni/GaAs/Al Ohmic , Ni/GaAs/Ni Ohmic). The photocurrent as a function of wavelength was calculated and it was found that the maximum value for the sample (Al/GaAs/Al Ohmic) in the wavelength (800 nm), the dark current is (1.9 x 10-9Ampere). The detector coefficients of the samples where calculated, the maximum Response at the wavelength (800 nm) was (0.157 Ampere/ Watt) and maximum Specific Directivity at the same wavelength is ( 63.7 x1011 Hz ½ Watt-1), the maximum Noise Equivalent Power is (0.157 Watt Hz -½ ) and the maximum Efficiency is (24.4 %) at the same wavelength, the photocurrent and Response values depended on the absorption coefficients of metals and work functions the samples operated within the area under the near- infrared .

تم تحضير اربع نماذج شوتكي باتصال معدن شبه موصل (مانح) على شكل تماس شوتكي حيث تم باستخدام معدني الالمنيوم والنيكل وارضيه شبه موصل ارسنيد الكاليوم (مانح), تم اولاً اجراء الاتصال الاومي بسمك (500 nm) باستخدام معدن الالمنيوم لنموذجين ومعدن النيكل لنموذجين فكانت المحصله اربع نماذج وتمت عمليه التلدين لهذه النماذج تحت درجه حرارة (450 كلفن) وضغط (10-4تور) لمدة نصف ساعه لتفادي حالات السطح البينيه ومن ثم اجراء اتصال شوتكي باستخدام معدن الالمنيوم مرتين والنيكل مرتين وبسمك (120 nm) ومن ثم اجراء عمليه التلدين الحراري تحت درجه (450 كلفن) وضغط (10-4تور) فكانت النماذج كالاتي: ( المنيوم- ارسنيد الكاليوم وبتماس اومي المنيوم, المنيوم- ارسنيد الكاليوم وبتماس اومي نيكل, نيكل - ارسنيد الكاليوم وبتماس اومي المنيوم , نيكل - ارسنيد الكاليوم وبتماس اومي نيكل) ومن ثم تم حساب قيم التيار الضوئي كداله للطول الموجي حيث كانت اعلى قيمه للتيار الضوئي عند الطول الموجي (800 nm) وكانت قيمه تيار الظلام ( 1.9 x 10-9امبير) ومن ثم حساب معاملات الكاشف للنماذج الاربعه, حيث تم حساب اعلى قيمه للاستجابه عند الطول الموجي (800 nm) وكانت (0.157 Amp./ Watt) واعلى قيمه للكشفيه النوعيه كانت عند نفس الطول الموجي (63.7 X1011 Hz1/2 Watt -1) في حين كانت اقل قدرة مكافئة للضوضاء هي (0.157 Watt Hz-1/2) واعلى كفاءه كميه مسجله هي ( 24.4%) وسجلت قيم التيار الضوئي والاستجابه اعتمادا على معامل امتصاص المعدن وداله شغله وكانت النماذج تعمل ضمن منطقه تحت الحمراء القريبه.


Article
Effect of Silver Oxide Film Thickness on Some Optical Parameter
تأثير السمك لغشاء اوكسيد الفضة على بعض المعلمات البصرية

Authors: Zahrra H. HilaL زهراء هادي هلال --- Waffaa K. Salman وفاء خضير سلمان --- Israa H. Hilal أسراء هادي هلال
Journal: Baghdad Science Journal مجلة بغداد للعلوم ISSN: 20788665 24117986 Year: 2014 Volume: 11 Issue: 2 عدد خاص بالمؤتمر النسوي الثاني Pages: 690-694
Publisher: Baghdad University جامعة بغداد

Loading...
Loading...
Abstract

Films of silver oxide of different thickness have been prepared by the chemical spray paralysis. Transmission and absorption spectra have recorded in order to study the effect of increasing thickness on some optical parameter such as reflectance, refractive index , and dielectric constant in its two parts . This study reveals that all these paramters affect by increasing the thickness .

حضرت اغشية اوكسيد الفضة بأسماك مختلفة بأستعمال طريقة الرش الكيميائي الحراري , اذ سجل طيفي النفاذية والامتصاصية وذلك لغرض دراسة بعض المعلمات البصرية مثل : الانعكاسية , معامل الانكسار , و ثابت العزل الكهربائي بجزئيه الحقيقي والخيالي . توصلت هذه الدراسة الى أن لسمك الغشاء تأثير على كافة المعلمات البصرية .


Article
The Effect of Annealing on The Structural and Optical Properties of Copper Oxide Thin Films Prepared by SILAR Method
تأثير التلدين على الخواص التركيبية والبصرية لأغشية اوكسيد النحاس المحضر بطريقة الترسيب بالطبقة الايونية المتعاقبة SILAR

Authors: Hayder M. Ajeel حيدر محمد عجيل --- Shatha S. Batros Jam شذى شمعون بطرس --- Ashwaq A. Jabor اشواق عبد الحسين جبر --- Elham H. Nassir الهام هاني ناصر
Journal: Baghdad Science Journal مجلة بغداد للعلوم ISSN: 20788665 24117986 Year: 2014 Volume: 11 Issue: 2 عدد خاص بالمؤتمر النسوي الثاني Pages: 718-729
Publisher: Baghdad University جامعة بغداد

Loading...
Loading...
Abstract

Copper oxide thin films were deposited on glass substrate using Successive Ionic Layer Adsorption and Reaction (SILAR) method at room temperature. The thickness of the thin films was around 0.43μm.Copper oxide thin films were annealed in air at (200, 300 and 400°C for 45min.The film structure properties were characterized by x-ray diffraction (XRD). XRD patterns indicated the presence of polycrystalline CuO. The average grain size is calculated from the X-rays pattern, it is found that the grain size increased with increasing annealing temperature. Optical transmitter microscope (OTM) and atomic force microscope (AFM) was also used. Direct band gap values of 2.2 eV for an annealed sample and (2, 1.5, 1.4) eV at 200, 300,400oC respectively.

رسبت أغشية اوكسيد النحاس على قواعد زجاجية باستخدام طريقة الترسيب بالطبقة الايونية المتعاقبة (SILAR) بدرجة حرارة الغرفة. اسمك الاغشية كانت بحدود 0.45 m.لدنت اغشية اوكسيد النحاس في الهواء بدرجات حرارة مختلفة (200, 300 and 400)°C لمدة 45 دقيقة . شخصت الخواص التركيبية باستخدام حيود الاشعة السينية (XRD) وتبين من نمط حيود الاشعة السينية ان المادة متعددة التبلور وقد تم حساب الحجم الحبيبي باستخدام نمط الحيود وتبين ازدياد الحجم الحبيبي بازدياد درجة حرارة التلدين . كذلك تم استخدام المجهر البصري النافذ ومجهر القوى الذرية . كانت قيمة فجوة الطاقة المباشرة للعينة بدون تلدين 2.2)) الكترون فولت والقيم (2, 1.5, 1.4) الكترون فولت لدرجات حرارة تلدين تتراوح ما بين (200,300,400)ºC على التوالي.


Article
Fabrication based porous silicon photo-detector and improving its spectral responsivity by depositing IZO thin films
صناعة كاشف ضوئي بالاعتماد على السليكون المسامي وتحسين استجابته الطيفية بترسيب اغشية اوكسيد الخارصين الرقيقه المشوبه بالانديوم

Author: Wisam J. Aziz and Abbas K. Jarhallah
Journal: journal of kerbala university مجلة جامعة كربلاء ISSN: 18130410 Year: 2014 Volume: 12 Issue: 4 Pages: 166-172
Publisher: Kerbala University جامعة كربلاء

Loading...
Loading...
Abstract

In this work porous silicon was prepared by electrochemical etching, then IZO thin films were deposited on porous silicon. SEM pictures showed different morphology for all from porous silicon and IZO films deposited on porous silicon. The pores diameter ranges from (0.5-1 μ m). AFM pictures showed the smoothness increased with depositing IZO films. The average roughness is (34.12 nm), (23.4 nm) and the root mean square is approximately (41.88 nm), (28 nm) for porous silicon and IZO film deposited on porous silicon respectively. The results showed increasing of the spectral responsivity with depositing IZO film. Spectral responsivity for photo detractor is about (0.69 A / Watt) then it improved by depositing IZO films and becomes (0.84 A / Watt).

في هذا العمل تم تحضير السيليكون المسامي بالتنميش الكهروكيميائي، ثم تم ترسيب اغشية اوكسيد الخارصين المشوبة بالأنديوم على السيليكون المسامي. صور المجهر الالكتروني الماسح لكل من السيليكون المسامي و اغشية اوكسيد الخارصين المشوبة بالأنديوم المترسبة على السيليكون المسامي تظهر اختلاف في طبيعة السطح، تتراوح اقطار المسامات (0.5-1) مايكرو متر. بينت صور مجهر القوة الذرية زيادة النعومة مع ترسيب اغشية اوكسيد الخارصين المشوبة بلانديوم. متوسط الخشونة (34.12نانو متر),(23.4نانومتر) ومتوسط الجذر التربيعي تقريبا (41.88نانو متر)، (28نانو متر) للسيليكون المسامي و اغشية اوكسيد الخارصين المشوبة بلانديوم المترسبة على السيليكون المسامي على التوالي. بينت النتائج ازدياد الاستجابة الطيفية مع ترسيب اغشية اوكسيد الخارصين المشوبة بلانديوم. الاستجابة الطيفية للكاشف الضوئي (0.69 امبيرواط) ثم تحسنت بترسيب اغشية اوكسيد الخارصين المشوبة بلانديوم واصبحت (0.84امبير واط).


Article
Structural and optical properties of ZnO doped Mg thin films deposited by pulse laser deposition (PLD)
الخصائص التركيبية والبصرية لاغشية اكاسيد الزنك المطعم بالمغنيزيوم المرسبة بطريقة ترسيب الليزر النبضي

Loading...
Loading...
Abstract

This paper reports the effect of Mg doping on structural and optical properties of ZnO prepared by pulse laser deposition (PLD). The films deposited on glass substrate using Nd:YAG laser (1064 nm) as the light source. The structure and optical properties were characterized by X-ray diffraction (XRD) and transmittance measurements. The films grown have a polycrystalline wurtzite structure and high transmission in the UV-Vis (300-900) nm. The optical energy gap of ZnO:Mg thin films could be controlled between (3.2eV and 3.9eV). The refractive index of ZnO:Mg thin films decreases with Mg doping. The extinction coefficient and the complex dielectric constant were also investigate.

في هذا العمل درسنا تأثير التشويب المغنيزيوم على الخصائص التركيبة والبصرية لاغشية اوكسيد الزنك بطريقة التسريب باستخدام الليزر النبضي( PLD) . رسبت اغشية اوكسيد الزنك على اساس من الزجاج باستخدام ليزر نيوديوم ياك (Nd:YAG) كمصدر ضوئي. تم فحص أغشيه اوكسيد الزنك بواسطة حيود الاشعه السينيه (XRD) و وجد ان تركيبها متعدد البلورات ذات تركيب سداسي. تم حساب فجوه الطاقه من طيف الامتصاص و وجد انها تزداد عند التشويب بالمغنيزيوم من )3.2 الى 3.9 (الكترون فولط, كذلك وجد ان معامل الانكسار يتناقص عند التشويب.

Listing 1 - 10 of 49 << page
of 5
>>
Sort by
Narrow your search

Resource type

article (49)


Language

English (36)

Arabic and English (7)

Arabic (6)


Year
From To Submit

2014 (49)