research centers


Search results: Found 6

Listing 1 - 6 of 6
Sort by

Article
Behavior of A.C conductivity and Complex dielectric constant of ZnS Thin Films
سلوك التوصيلية الكهربائية AC وثابت العزل الكهربائي للاغشية لكبريتيد الخارصين الرقيقة ZnS

Authors: Zainab Taha A --- Khitam S. Shaker --- Suaad S. Shaker --- Raghdaa Hameed Hani
Journal: Engineering and Technology Journal مجلة الهندسة والتكنولوجيا ISSN: 16816900 24120758 Year: 2015 Volume: 33 Issue: 4 Part (B) Scientific Pages: 745-752
Publisher: University of Technology الجامعة التكنولوجية

Loading...
Loading...
Abstract

The effect of temperature on dielectric properties of the prepared ZnS thin films by chemical bath deposition at film thickness (200) nm deposited at substrate temperature 333 K, was measured at frequency range (0.04-10 MHz) in the temperature range (298- 473) K .The temperature – dependent of electrical conductivity, the real and imaginary parts of the complex dielectric constant are calculated at the selected frequencies. The frequency exponent n, and the activation energy, Ea, are determined. The a.c. conduction mechanism of ZnS films has been explained on the basis of hopping of charge carriers.

تأثير درجة الحرارة على خصائص العازلة للكهربائيةللأغشية الرقيقة ZnSالمرسبة بطريقة الترسيب الحمام الكيميائيلغشاء ذات سماكة (200) نانومتر ومرسب على ركيزة في درجة حرارة 333 K، تم القياس في مدى التردد (0،04 حتي 10 ميغاهيرتز) في نطاق درجات الحرارة (298- 473 ) K. تم حساب درجة الحرارة -المعتمدةعلى التوصيلية الكهربائية، والأجزاء حقيقية والخيالية لثابت العزل الكهربائي المعقد في ترددات محددة. كما وتم تحديد مركبة التردد، وطاقة التنشيط،. تم توضيح ميكانكية التوصيل الكهربائي المتناوب للاغشية الرقيقة على أساس التنقل من حاملات الشحنة.


Article
Behavior of Optical Parameters of CuZnSnO4Thin Films
سلوك العوامل البصرية لاغشيةCuZnSnO4 الرقيقة

Author: Salma M. Shaban
Journal: journal of kerbala university مجلة جامعة كربلاء ISSN: 18130410 Year: 2015 Issue: المؤتمر العلمي الثالث لكلية العلوم Pages: 59-67
Publisher: Kerbala University جامعة كربلاء

Loading...
Loading...
Abstract

A compound (CuZnSnO4) as thin films is deposited by thermal evaporation method at room temperature onto glass substrates at film thicknesses (100 & 300) nm. The structure of CuZnSnO4films is amorphous as indicated by X-ray diffraction pattern. Optical parameters like, transmittance, energy gap, constants of direct transition, Urbach energy, refractive index, extinction coefficient, and complex dielectric constant are studied. A good property for this compound, it can be used as window layer or absorbance layer with the variation of film thickness.

رسب مركب (CuZnSnO4) كاغشية رقيقة بطريقة التبخير الحراري في درجة حرارة الغرفة على قواعد زجاجية ولاسماك غشاء (100 &300) nm . التركيب عشوائي لاغشية (CuZnSnO4) كما بين نموذج حيود الاشعة السينية . درست العوامل البصرية مثل النفاذية, فجوة الطاقة, ثابت الانتقال المباشر, طاقة اورباخ, معامل الانكسار, معامل الخمود وثابت العزل المركب. خاصية جيدة لهذا المركب حيث يمكن استخدامه كطبقة نافذة او ماصة بتغير السمك.


Article
Thermoelectric power for thermally deposited cadmium telluride films
القدرة الكهروحرارية لاغشية CdTe المرسبة حراريا

Loading...
Loading...
Abstract

Thermal evaporation method has used for depositing CdTe films on corning glass slides under vacuum of about 10-5mbar. The thicknesses of the prepared films are400 and 1000 nm. The prepared films annealed at 573 K. The structural of CdTe powder and prepared films investigated. The hopping and thermal energies of as deposited and annealed CdTe films studied as a function of thickness. A polycrystalline structure observed for CdTe powder and prepared films. All prepared films are p-type semiconductor. The hopping energy decreased as thickness increased, while thermal energy increased.

تم استخدام تقنية التبخير الحراري لترسيب اغشية CdTeعلى ارضية زجاجية تحت الفراغ وبضغط 10-5 ملي بار. كانت سمك الاغشية المحضرة 400 و1000 نانومتر. لدنت الاغشية المحضرة بدرجة حرارة573 كلفن. تم دراسة التركيب لمسحوق واغشيتهCdTe . درست الطاقات الحرارية والتنطط للاغشية الغير ملدنة والملدنة كدالة للسمك. لوحظ ان تركيب مسحوق CdTe والاغشية المحضرة هو متعدد التبلور. جميع النماذج المحضرة من النوع الموجب. طاقة التنطط تقل مع زيادة السمك بينما تزداد الطاقة الحرارية.


Article
Study of the Optical properties for CdS before and after irradiated by CO2 laser for different exposure times
دراسة الخواص البصرية لغشاء CdS قبل وبعد التشعيع بليزر CO2 وبأزمان تشعيع مختلفة

Author: Najat A. Dahham نجاة احمد دحام
Journal: Tikrit Journal of Pure Science مجلة تكريت للعلوم الصرفة ISSN: 18131662 Year: 2015 Volume: 20 Issue: 2 Pages: 171-176
Publisher: Tikrit University جامعة تكريت

Loading...
Loading...
Abstract

Cadmium sulphide (CdS) thin films were deposited on glass substrates using thermal vacuum evaporation technique at pressure (10-6) Torr at room temperature then samples irradiated by CO2 laser of power (1 watt) and wave length (10.6) μm at distance 10 cm from the source during different exposure times (3, 5, 10, 15) sec. The absorbance spectra was recorded using UV-visible spectrophotometer .Optical properties such as transmission , reflection ,absorption coefficient (α), optical band gap (Eg), extinction coefficient (K), refractive index (n), and complex dielectric constants (r&i) were evaluated from absorbance spectra. The results shows that the laser irradiation cause increased in reflectance R, absorption coefficient , the extinction coefficient K, the refractive index n and the real part and imaginary part of dielectric constant while irradiation cause decrease in the transmittance T and the value of the energy gap Eg.

تم في هذه الدراسة تحضير اغشية رقيقة من مادة CdS والمحضرة بطريقة التبخير الحراري الفراغي تحت ضغط (10 -6 torr ) على قواعد من الزجاج في درجة حرارة الغرفة وتم تشعيع العينات بليزر CO2 ذو طاقة (1watt) وطول موجي(10.6μm) وعلى بعد ( (10 Cmمن المصدر وبأزمان تعرض مختلفة (3, 5, 10, 15) sec وتم تسجيل طيف الامتصاصية باستخدام مطياف UV-visible ومنه تم حساب بعض الخواص البصرية والتي تتضمن النفاذية، الانعكاسية، فجوة الطاقة، معامل الامتصاص، معامل الخمود ،معامل الانكسار وثابت العزل الحقيقي والخيالي. ومن نتائج تبين ان التشعيع بالليزر ادى زياده في الانعكاسيةR ، معامل الامتصاص α ، معامل الخمود K، معامل الانكسار n وثابت العزل الحقيقي والخيالي بينما التشعيع ادى الى نقصان في النفاذية T وفي قيمة فجوة الطاقة .Eg


Article
The Influence of Annealing and Doping by Copper on Electrical Conductivity of CdTe Thin Films
تأثير التلدين والتشويب بالنحاس فى التوصيلية الكهربائية لأغشية CdTeالرقيقة

Author: Bushra. K.H.Al-Maiyaly بشرى كاظم حسون الميالي
Journal: Ibn Al-Haitham Journal For Pure And Applied Science مجلة ابن الهيثم للعلوم الصرفة والتطبيقية ISSN: 16094042 Year: 2015 Volume: 28 Issue: 1 Pages: 33-42
Publisher: Baghdad University جامعة بغداد

Loading...
Loading...
Abstract

In this research CdTe and CdTe: Cu thin films with different doping ratios (1, 2, 3, 4 and5) %, were deposited by thermal evaporation technique under vacuum on glass substrates atroom temperature in thickness 450 nm.The measurements of electrical conductivity (σ), and activation energies (Ea1, Ea2), havebeen investigated on (CdTe) thin films as a function of doping ratios, as well as the effect ofthe heat treatment at (373, 423, and 473) K° for one hour on these measurements werecalculated and all results are discussed.The electrical conductivity measurements show all films prepared contain two types oftransport mechanisms, and the electrical conductivity (σ) increases whereas the activationenergy (Ea) would decrease as the increasing (Cu) percentage in the sample except 5%. It isalso noticed that the electrical conductivity (σ) showed a decreasing trend with increasingannealing temperature, while the activation energies (Ea1, Ea2) showed opposite trend, wherethe activation energies increased with annealing temperature. Also the electrical conductivityvalues was found increased about 3- 4 orders when pure CdTe films are doped with (3, 4) %Cu and annealing at 473 K°.

في هذا البحث حضرت اغشية CdTe الرقيقة غير المشوبة والمشوبة بالنحاس بنسب تشويب مختلفة (1,2,3,4, 5) %بتقنية التبخير الحراري بالفراغ على ارضيات من الزجاج وبسمك 450nm عند درجة حرارة الغرفة . وحسبتقياسات التوصيلية الكهربائية (σ),وطاقات التنشيط(Ea1, Ea2) لاغشية (CdTe)دالة لتغيرنسب التشويب.وكذلك حسب تاثير المعاملة الحرارية بدرجات (373, 423, and 473) K° ومدة ساعة واحدة على هذه القياسات ونوقشت جميع هذه النتائج.وقد أظهرت قياسات التوصيلية الكهربائية ان لكل الاغشية المحضرة آليتين للانتقال الالكتروني ولوحظ زيادة التوصيلية الكهربائية مع نقصان طاقات التنشيط بزيادة نسبة (Cu) بالانموذج ماعدا النسبة 5%. كما لوحظ نقصان التوصيلية الكهربائية مع زيادة درجات حرارة التلدين ، بينما أظهرت طاقات التنشيط سلوكاُ معاكساُ,إذ أزدادت طاقات التنشيط مع زيادة درجة حرارة التلدين. كذلك وجد ان قيم التوصيلية الكهربائية تزداد بمقدار 3- 4 مراتب عند تطعيم اغشية CdTe النقية بنسبة (3, 4) % Cu وتلدينها عند درجة حرارة 473 K°.


Article
Effect of Tin Additive in Cadmium Sulfide Thin Films on ac Mechanism and Cole-Cole Diagram
تاثير اضافة القصدير باغشية كبريتيد الكدادميوم الرقيقة على الميكانيكية المتناوبة ومخطط Cole-Cole

Author: Salma M. Shaban سلمى مهدي شعبان
Journal: Journal of Kufa - physics مجلة الكوفة للفيزياء ISSN: 20775830 Year: 2015 Volume: 7 Issue: 2 English and Arabic Pages: 47-53
Publisher: University of Kufa جامعة الكوفة

Loading...
Loading...
Abstract

Thin Films of pure and Sn doped CdS have been prepared via thermal evaporation method onto glass substrates at room temperature at 600 ± 10 nm film thickness. Real and imaginary ( ) part of dielectric constant, ac conductivity (σac) and cole - cole diagram of thin films for Sn ratios (0%, 10%, 25& , and 30%) have been studied at room temperature as a function of frequency range (20 kHz - 4 MHz). The results indicated that the dielectric constant increases with the increase of Sn concentration but it decreases with the increase of frequency. The mechanism of ac conductivity matches with correlated barrier hoping model. From cole-cole diagram, the polarization and the relaxation time increase with the increase of concentration.

حضرت اغشية CdS النقي والمطعم بال Sn الرقيقة بطريقة التبخير الحراري على قواعد زجاجية عند درجة حرارة الغرفة ولسمك غشاء 600 ± 10 nm . درس الجزأ الحقيقي والخيالي (( لثابت العزل, التوصيلية المتناوبة (σac) ومخطط cole – cole لاغشية CdS:Sn لنسبة Sn (0%, 10%, 25& , and 30%) عند درجة حرارة الغرفة ولمدى تردد (20 kHz - 4 MHz) . بينت النتائج زيادة ثابت العزل مع زيادة تركيز Sn ولكن يتناقص مع زيادة التردد. تطابقت ميكانيكية التوصيلية المتناوبة مع نموذج القفز فوق الحاجز. من مخطط cole – cole , زيادة زمن الاسترخاء مع زيادة التركيز.

Listing 1 - 6 of 6
Sort by
Narrow your search

Resource type

article (6)


Language

English (5)

Arabic and English (1)


Year
From To Submit

2015 (6)