research centers


Search results: Found 3

Listing 1 - 3 of 3
Sort by

Article
Structural Properties of Nano (CdO) Semiconduction Thin Film Deposited by Spray Pyrolysis Technique
النانوية شبه الموصلة المحضرة بتقنية ( CdO ) * الخصائص التركيبية لأغشية الرش الحراري الكيميائي

Author: Nahida Bukheet Hasan ناهدة بخيت حسن
Journal: journal of al-qadisiyah for pure science(quarterly) مجلة القادسية للعلوم الصرفة (فصلية). ISSN: 19972490 Year: 2016 Volume: 3 Issue: 21 Pages: 83-89
Publisher: Al-Qadisiyah University جامعة القادسية

Loading...
Loading...
Abstract

In this paper CdO films of 160 nm thickness were deposited onto glass substrates byspray pyrolysis technique at 400 oC temperature. The structure of films where studied , X-raymeasurements showed that the polycrystalline film and have a grain size of 14.63 nm. As shownimages of atomic force microscope that the film surface roughness of 3.26 nm .The photo ofscanning electron microscope show that the film and free from cracks and holes have a superficialhomogeneity. The energy-dispersive X-ray analysis show that the film containing the pure andelemental cadmium and oxygen only signifying purity film prepared.

160 على قواعد من الزجاج nm في هذا البحث تم ترسيب أغشية اوكسيد الكادميوم النانوية بسمكباستخدام تقنية الرش الكيميائي عند درجة حرارة 400 درجة سيليزية . اختبرت الخصائص التركيبية للأغشية14.63 . كما بينت nm المحضرة حيث أظهرت قياسات الأشعة السينية إن الغشاء متعدد التبلور ويملك حجم حبيبي3.26 . وأظهرت صور المجهر nm صور المجهر الالكتروني الذري إن الأغشية ذات خشونة سطحيةالالكتروني الماسح إن الغشاء يملك تجانس سطحي عالي وخالي من التشققات والثقوب. وبين فحص التشتتبواسطة أشعة اكس إن الأغشية تحتوي على عنصري الكادميوم والأوكسجين فقط مما يدل على نقاوة الغشاءالمحضر.


Article
Effect of Substrate Temperature on Structural and Optical Properties of CdO Thin Films
تأثير درجة حرارة القاعدة في الصفات التركيبية والبصرية لأغشيةCdO الرقيقة

Author: Hanan R. A. Ali حنان رضا عبد علي
Journal: Tikrit Journal of Pure Science مجلة تكريت للعلوم الصرفة ISSN: 18131662 Year: 2016 Volume: 21 Issue: 3 Pages: 121-124
Publisher: Tikrit University جامعة تكريت

Loading...
Loading...
Abstract

Thin films of CdO have been prepared by spray pyrolysis technique. XRD analysis reveals that all the prepared samples were polycrystalline and have preferred orientation along [111] orientation. The surface topography was determined by AFM which indicate that surface roughness and rms roughness were increased by the increasing of substrate temperature. The optical energy gap was determined and its value lies between (2.4-2.5) eV.

تم تحضير اغشية CdO الرقيقة بتقنية التحلل الكيميائي الحراري. اظهر تحليل حيود الاشعة السينية XRD ان جميع النماذج المحضرة هي من نوع متعدد التبلور وأن اعلى المستويات البلورية كانت (111) للأغشية المرسبة كافة . وبينت نتائج مجهر القوة الذرية AFM ان جميع الأغشية المحضرة تمتلك سطحا ناعما وان قيمة متوسط الجذر التربيعي rms)) تزداد بزيادة درجة حرارة القاعدة وتراوحت قيمة فجوة الطاقة بين2.4- 2.5 الكترون فولت.


Article
Characterization of n-CdO:Mg /p-Si Heterojunction Dependence on Annealing Temperature
اعتماد خصائص المفرق الهجيه n-CdO:Mg /p-Si علي درجت حرارة التلذيه

Loading...
Loading...
Abstract

In this research, thin films of CdO: Mg and n-CdO: Mg/ p-Si heterojunction with thickness (500±50) nm have been deposited at R.T (300 K) by thermal evaporation technique. These samples have been annealed at different annealing temperatures (373 and 473) K for one hour. Structural, optical and electrical properties of {CdO: Mg (1%)} films deposited on glass substrate as a function of annealing temperature are studied in detail.The C-V measurement of n-CdO: Mg/ p-Si heterojunction (HJ) at frequency (100 KHz) at different annealing temperatures have shown that these HJ were of abrupt type and the built-in potential (Vbi) increase as the annealing temperature increases.The I-V characteristics of heterojunction prepared under dark case at different annealing temperatures show that the values of ideality factor and potential barrier height increase with the increase of annealing temperature.

حى ف هزا انبحث ححض شٍ اغش تٍ CdO: Mg انشق قٍت وان فًشق انهد n-CdO:Mg/p- Si وبس كً (500±50) nmػ ذُ دسخت حشاسة انغشفت 300 K) ( باسخؼ اًل حق تٍُ انخبخ شٍ انحشاسي. ونذ جَ ان اًُرج ن ذًة ساػت واحذة ػ ذُ دسخاث حشاسةحهذ يخخهفت . (373,473)K% حى دساست انخىاص انخشك بٍ تٍ وانبصش تٌ وانكهشبائ تٍ لاغش تٍ ) 1 (CdO: Mg وان شًسبت ػهى اسض اٍث ي انضخاج كذانتنذسخت حشاسة انخهذ بانخفص مٍ.اوضحج خَائح ق اٍساث C-V نه فًشق انهد n-CdO:Mg/p- Si ػ ذُ حشدد 100KHz وػ ذُ دسخاث حشاسة حهذ يخخهفت ا ان فًشق ي ان ىُع انحاد وا خهذ انب اُء انذاخه ضٌداد يغ ص اٌدة دسخت حشاسة انخهذ .ٌٍو اوضحج خصائض I-V ف حانت انظلاو نه فًشق انهد ان حًضش وػ ذُ دسخاث حشاسة حهذ يخخهفت ا كم ي ق ىٍ ػايمان ثًان تٍ واسحفاع حاخض اندهذ حضداد يغ ص اٌدة دسخت حشاسة انخهذ .ٌٍ

Listing 1 - 3 of 3
Sort by
Narrow your search

Resource type

article (3)


Language

English (2)

Arabic and English (1)


Year
From To Submit

2016 (3)