research centers


Search results: Found 41

Listing 1 - 10 of 41 << page
of 5
>>
Sort by

Article
Electrical properties of pure NiO and NiO:Au thin films prepared by using pulsed laser deposition
الخواص الكهربائية للاغشية الرقيقة لاوكسيد النيكل النقي والمشوب بالذهب المحضرة باستخدام ترسيب الليزر النبضي

Authors: Raied K. Jamal رائد كامل جمال --- Iman Naji ايمان ناجي
Journal: Iraqi Journal of Physics المجلة العراقية للفيزياء ISSN: 20704003 Year: 2016 Volume: 14 Issue: 29 Pages: 37-43
Publisher: Baghdad University جامعة بغداد

Loading...
Loading...
Abstract

The electrical properties of pure NiO and NiO:Au Films which are deposited on glass substrate with various dopant concentrations (1wt.%,2wt%, 3wt.% and 4wt.%) at room temperature 450Co annealing temperature will be presented. The results of the hall effectshowed that all the films were p-type. The Hall mobility decreases while both carrier concentration and conductivity increases with the increasing of annealing temperatures and doping percentage, Thus, indicating the behavior of semiconductor, and also the D.C conductivity from which the activation energy decrease with the doping concentration increase and transport mechanism of the charge carriers can be estimated.

الخواص الكهربائية للاغشية الرقيقة لاوكسيد النيكل النقي والمشوب بالذهب المرسبة على الزجاج بتراكيز تشويب مختلفهwt.%,2wt%, 3wt.% and 4wt.%) 1) بدرجة حرارة الغرفة ودرجة حرارة التلدين450 ̊C. نتائج تاثير هول بينت ان كل الافلام P- type. تحركية هول تقل بينما كل من تركيز الحاملات والتوصيلية تزداد مع زيادة درجة حرارة التلدين ونسبة التشويب, مما يدل على سلوك اشباة الموصلات. من خلال توصيلية ال D.C فان طاقة التنشيط تقل مع زيادة تركيز التشويب ويمكن حساب الية النقل لحاملات الشحنة.


Article
Fabrication of Laser Detectors using Ge wafer Doped with Sb

Authors: Ziad T. Al-Dhan --- Samar Y. Al-Dabagh --- Thalfaa R. Al-Hakeem
Journal: Al-Nahrain Journal of Science مجلة النهرين للعلوم ISSN: (print)26635453,(online)26635461 Year: 2016 Volume: 19 Issue: 4 Pages: 1-7
Publisher: Al-Nahrain University جامعة النهرين

Loading...
Loading...
Abstract

Germanium antimony (Ge:Sb) thin films have been fabricated by thermal evaporation system deposition at atmospheric pressure between (5.8x10-6 to 7.5x10-6) mbar. The (Ge:Sb) thin films then exposure to Nd:YAG laser with 1064μm wavelength at different energy densities (100,200) mj/cm2. XRD analysis show that Germanium antimony thin films are polycrystalline and the full width at half maximum (FWHM) increase as laser energy densities increases. Photocurrent and quantum efficiency of the detector increases as the laser energy densities increases.

في هذه الد ا رسة، حضرت أغشيه الجرمانيوم المشوبةبالانتموني في منظومة الترسيب التبخير الح ا رري عند ضغط6-01 ( ملي بار. عرضت الاغشية ×5.8-6-01× جوي ) 8.5لليزر نيدميوم ياك ذي الطول الموجي 0161 نانو متر عند. كثافة طاقات ليزرية مختلفة ) 011 و 011 ( ملي جول/سم 0اظهرت النتائج تحليل حيود الاشعة السينية ان الاغشيةجميعها متعددة التبلور. ان زيادة طاقة الليزر تودي الى زيادة.FWHMان تيار والكفاءة الكمية للكاشف يزداد بزيادة كثافة طاقةالليزر.

Keywords

Germanium --- Antimony --- thin films --- Nd:YAG laser


Article
Synthesis of Ag –TiO2 Thin Films by Spin Coating process

Author: Sinan Salman Hamdi
Journal: Engineering and Technology Journal مجلة الهندسة والتكنولوجيا ISSN: 16816900 24120758 Year: 2016 Volume: 34 Issue: 13 Part (A) Engineering Pages: 2443-2449
Publisher: University of Technology الجامعة التكنولوجية

Loading...
Loading...
Abstract

In this research, Sol-gel technique prepared Ag–TiO2 nano-composite thin films, which were deposited onto a glass substrate by the spin coating process. The microstructures and chemical ingredients of the obtained thin films were characterized by UV-visible spectroscopy (UV), Scanning Electron Microscopy (SEM), X-ray diffraction (XRD), and Fourier Transform Infrared Spectroscopy (FT-IR). It was discovered that the silver nano-particles completely joined to the TiO2 matrix, where those nanoparticles distributed uniformly. In this way, the molar percent of the silver nitrate watery solution dominated the morphology of the thin film. Ag-TiO2 Nano composite is very useful for expanding antibacterial of nanomaterials purpose.


Article
Nonlinear Optical Characteristics of Crystal VioletDye Doped Polystyrene Films by Using Z-Scan Technique

Authors: Mahasin F. Hadi1 --- Eman Mohi Alwaan1 --- Wafaa Hameed Abass2
Journal: Al-Mustansiriyah Journal of Science مجلة علوم المستنصرية ISSN: 1814635X Year: 2016 Volume: 27 Issue: 5 Pages: 83-88
Publisher: Al-Mustansyriah University الجامعة المستنصرية

Loading...
Loading...
Abstract

Z-scan technique was employed to study the nonlinear optical properties (nonlinear refractive index and nonlinear absorption coefficient) for crystal violet doped polystyrene films as a function of doping ratio in chloroform solvent. Samples exhibits in closed aperture Z-scan positive nonlinear refraction (self-focusing). While in the open aperture Z-scan gives reverse saturation absorption (RSA) (positive absorption) for all film with different doping ratio making samples candidates for optical limiting devices for protection of sensors and eyes from energetic laser light pulses under the experimental conditions.


Article
Zinc Oxide Nanowires Prepared by Oblique Angle Deposition Method

Authors: Wafaa K. Khalef --- Ali A. Aljubouri --- Hayfa G. Rashid
Journal: Iraqi Journal of Applied Physics المجلة العراقية للفيزياء التطبيقية ISSN: 18132065 23091673 Year: 2016 Volume: 12 Issue: 1 Pages: 3-9
Publisher: iraqi society for alternative and renewable energy sources and techniques الجمعية العراقية لمصادر وتقنيات الطاقة البديلة والمستجدة

Loading...
Loading...
Abstract

This paper presents a detailed study of the oblique deposition effect on the morphology, structure and optical properties of ZnO nanowires (NWs) prepared by the deposition of zinc metallic films on glass substrates at different angles (0, 50 and 70°) and then oxidized in air at 650°C. Highly transparent ZnO thin films were successfully prepared by the oblique angle deposition (OAD) technique on glass substrates at room temperature. Atomic force microscopy (AFM) results show that the sample obliquely deposited presented greater roughness as compared with normally deposited ZnO NWs (Ө=0). Optical measurements showed a sharp absorption edge, near 380 nm, in both normal and oblique films. When the oblique angle increased, the absorption edge of spectra demonstrated a red shift with a direct band gap (3.11eV). Scanning electron microscopy (SEM) results show that the OAD led to the formation of bent columnar ZnO NWs. These NWs were inclined from the substrate normal in a direction opposite to the incident vapor beam. Due to the OAD technique, surface diffusion enhanced the self-shadowing effect. When oblique Zn thin film was later oxidized in air at 650°C for a longer time, the ZnO NWs had a needle-like structure, as was clearly shown by SEM images obtained.


Article
Preparation and Characterization Study of ZnS Thin Films with Different Substrate Temperatures
تحضير وتشخيص دراسة اختلاف درجات حرارة قاعدة الاساس على اغشية كبريتيد الزنك الرقيقة

Author: Kadhim Abid Hubeatir
Journal: Engineering and Technology Journal مجلة الهندسة والتكنولوجيا ISSN: 16816900 24120758 Year: 2016 Volume: 34 Issue: 1 Part (A) Engineering Pages: 178-185
Publisher: University of Technology الجامعة التكنولوجية

Loading...
Loading...
Abstract

Zinc sulfide (ZnS) thin films were deposited on a glass and n-type Silicon wafer substrates attemperature range from 50 - 200 Co using pulsed laser deposition (PLD) technique. Thestructural, morphological, optical and electrical properties of the films have been investigated.The XRD analyses indicate that ZnS films have zinc blende structures with plane (111)preferential orientation, whereas the diffraction patterns sharpen with the increase in substratetemperatures. The Atomic Force Microscopy (AFM) Images shows the particle size and surfaceroughness of the deposited ZnS thin film at substrate temperature 50 and 150 Co were about62.90nm, 74.68nm respectively. Also we noticed that the surface roughness is increased atsubstrate temperature 150 Co compared with temperature 50 Co. At 200 Co the formed filmsexhibit a good optical property with 80% transmittance in the visible region. The electricalproperties confirmed that they depend strongly on the bias voltage and the amount of currentproduced by a photovoltaic device which is directly related to the number of photons absorbed.C-V results demonstrated that the fabricated heterojunction is of abrupt type.

الرقيقة على قواعد من الزجاج وشرائح سليكونية من نوع ZnS تم ترسيب أغشية مادة كبريتيد الخارصينالتغير في درجات الحرارة كان ضمن المدى .(PLD) بإستخدام تقنية الترسيب بالليزر النبضي n-type200- م 0) الخواص التركيبية وتركيب السطح والبصرية وكذلك الكھربائية تم دراستھا والتحقق منھا مع تغير 50)تبين ان ھذه الاغشية تمتلك تراكيب من خليط الزنك ذات توجه عالي عند (XRD) درجات الحرارة. من تحليلات(AFM)ِ المستوى ( 111 ) وذات انماط حيود حادة تزداد مع زيادة درجة الحرارة. اما صور تركيب السطحكانت o و 150 م o عند درجة حرارة 50 م (PLD) المرسبة بطريقة ZnS الموضحة فقد بينت ان حجم الجسيم لأغشيةالأغشية المرسبة عند .o 62.9 نانومترو 74.6 نانومتر على التوالي. وخشونة السطح كانت اكبر منه عند درجة 50 مكانت ذات خصائص بصرية جيدة مع نفاذية عالية نسبيا 80 % ضمن المنطقة المرئية. لوحظ ان الخواص o 200 مالكھربائية للأغشية المتكونة تعتمد بشدة على فولتية الانحياز وكمية التيار الناتج الذي يرتبط مباشرة بعدد الفوتوناتاثبتت ان الاغشية من النوع الحاد. (C-V) الممتصة. نتائج


Article
Morphology and electrical properties of Cu XZn1-XOthin films prepared by PLD technique
الخصائص التركيبية و الكهربائية للاغشية الرقيقة Cu XZn1-XO المحضرة بتقنية (PLD)

Loading...
Loading...
Abstract

Cu XZn1-XO films with different x content have been prepared by pulse laser deposition technique at room temperatures (RT) and differentannealing temperatures (373 and 473) K.The effect of x content of Cu (0,0.2,0.4, 0.6, 0.8) wt.% on morphology and electricalproperties of CuXZn1-XO thin films have been studied. AFM measurements showed that the average grain size values for CuXZn1-xO thin films at RT and different annealing temperatures (373,473)K decreases,while the average Roughness values increase with increasing x content. The D.C conductivity for all films increases as the x content increase and decreases with increasing the annealing temperatures. Hall measurements showed that there are two types of conductance (n- type and p-type charge carriers). Also the variation of drift velocity (vd), carrier life time (), and free mean path (l)with different x content and annealing temperatures were measured.

تم تحضير اغشية Cu XZn1-XO لنسب مختلفة من المحتوى x بدرجة حرارة الغرفة و بدرجات التلدين المختلفة ( 373و (473كلفن. بتقنية الترسيب بالليزر النبضي. وقد تم دراسة تأثير نسب مختلفة من المحتوى x(0,0.2,0.4, 0.6, 0.8) على الخصائص التركيبية والكهربائية للاغشية Cu XZn1-XO. قياسات AFMاظهرت ان حجم الحبيبة للاغشية CuXZn1-xO عند درجة حرارة الغرفة و درجات التلدين المختلفة(373,473) كلفن تقل بينما قيم معدل الخشونة تزداد بزيادة المحتوى x. التوصيلية الكهربائية للاغشية اظهرت ان هناك نوعين من حاملات الشحنة ((n- type و (p- type) كذلك تم حساب التركيز للحاملات و سرعة الانجراف (vd) و زمن عمر الحاملات () و معدل المسار الحر(l) لنسب المحتوى x المختلفة و درجات التلدين المختلفة.


Article
The effect of annealing temperatures on the optical parameters of NiO0.99Cu0.01thin films
تأثير درجة حرارة التلدين على المعلمات البصرية لأغشية NiO0.99Cu0.01 الرقيقه

Author: Ramiz A.Mohammed Al-Ansari رامز احمد محمد الانصاري
Journal: Iraqi Journal of Physics المجلة العراقية للفيزياء ISSN: 20704003 Year: 2016 Volume: 14 Issue: 29 Pages: 73-81
Publisher: Baghdad University جامعة بغداد

Loading...
Loading...
Abstract

NiO0.99Cu0.01 films have been depositedusing thermal evaporation technique on glass substrates under vacuum 10-5mbar.The thickness of the films was 220nm. The as -deposited films were annealed to different annealing temperatures (373, 423, and 473) K under vacuum 10-3mbar for 1 h.The structural properties of the films were examined using X-ray diffraction (XRD).The results show that no clear diffraction peaks in the range 2θ= (20-50)o for the as deposited films. On the other hand, by annealing the films to 423K in vacuum for 1 h, a weak reflection peak attributable to cubic NiO was detected. On heating the films at 473K for 1 h, this peak was observed to be stronger. The most intense peak is at 2θ = 37.12o with the preferential orientation of the films being (111) plane. The optical properties of the films have been studied. The effect of annealing temperature on the optical parameters of NiO0.99Cu0.01 such as transmittance, reflectance, absorption coefficient, refractive index, extinction coefficient, and real and imaginary parts of dielectric constant has been reported.

تم ترسيب أغشيه رقيقه من أوكسيدالنيكل المشوب بالنحاس NiO0.99:Cu0.01 على قواعد زجاجية باستخدام تقنية التبخير الحراري. تم دراسة الخواص البصرية للاغشية المحضرةكداله لدرجة حرارة التلدين. تم تلدين الاغشية المحضرة لثلاث درجات حرارة تلدين (373, 423, و 473) كلفن.تم فحص خصائص تركيب الاغشية المحضرة باستخدام حيود الاشعة السينية(XRD).لقد اظهر فحص تركيب هذه الاغشية بانه لاتوجد اي قمم ضمن المدى 2θ (20-50)o للغشاء المحضر في درجة حرارة الغرفة, بينما عند تلدين الاغشية لدرجة حرارة 423K ولمدة ساعة واحدة ظهرت قمة ضعيفة, وبزيادة درجة حرارة التلدين الى 473K ظهر بان القمة اصبحت اكثر شدة وان الأتجاهات الشبيكية المفضلة لبلورات الغشاء هي .(111)تم دراسة تأثير التلدين على المعلمات البصرية لأغشية NiO0.99:Cu0.01الرقيقة مثل: النفاذية، الانعكاسية، معامل الامتصاص, معامل الأنكسار، معامل الخمود، ثابت العزل الحقيقي وثابت العزل الخيالي.


Article
Structural and optical properties of CdS:Sn thin films prepared by chemical spray pyrolysis method
الخصائص التركيبية والبصرية لاغشية كبريتيد الكادميوم المشوبة بالقصدير المحضرة بطريقة التحلل الكيميائي الحراري

Author: Nadia Jasim Ghdeeb نادية جاسم غضيب
Journal: Iraqi Journal of Physics المجلة العراقية للفيزياء ISSN: 20704003 Year: 2016 Volume: 14 Issue: 29 Pages: 182-190
Publisher: Baghdad University جامعة بغداد

Loading...
Loading...
Abstract

CdS and CdS:Sn thin films were successfully deposited on glasssubstrates by spray pyrolysis method. The films were grown atsubstrate temperatures 300 C°. The effects of Sn concentration on thestructural and optical properties were studied.The XRD profiles showed that the films are polycrystalline withhexagonal structure grown preferentially along the (002) axis. Theoptical studies exhibit direct allowed transition. Energy band gapvary from 3.2 to 2.7 eV.

اغشية كبريتيد الكادميوم و كبريتيد الكادميوم المشوبة بالقصدير الرقيقة رسبت بنجاح على قواعد زجاجيةبطريقة التحلل الكيميائي. الاغشية نمت على القاعدة بدرجة حرارة 300 درجة مئوية. دُرس تأثير تركيزالقصدير على الخصائص التركيبية والبصرية.بينت فحوصات الاشعة السينية ان الاغشية متعددة التبلور وذات تركيب سداسي والاتجاه السائد ( 200 ). بينتدراسة الخصائص البصرية ان الانتقال مباشر مسموح وفجوة الطاقة تتغير من 3.2 الى 2.7 الكترون فولت.


Article
Influence of Nd and Ce doping on the structural, optical and electrical properties of V2O5 thin films
تأثير التطعيم بالنديميوم والسيريوم على الخصائص التركيبية والبصرية والكهربائية لأغشية اوكسيد الفناديوم

Loading...
Loading...
Abstract

Nano-structural of vanadium pentoxide (V2O5) thin films were deposited by chemical spray pyrolysis technique (CSPT). Nd and Ce doped vanadium oxide films were prepared, adding Neodymium chloride (NdCl3) and ceric sulfate (Ce(SO4)2)of 3% in separate solution. These precursor solutions were used to deposit un-doped V2O5 and doped with Nd and Ce films on the p-type Si (111) and glass substrate at 250°C. The structural, optical and electrical properties were investigated. The X-ray diffraction study revealed a polycrystalline nature of the orthorhombic structure with the preferred orientation of (010) with nano-grains. Atomic force microscopy (AFM) was used to characterize the morphology of the films. Un-doped V2O5 and doped with 3% concentration of Nd and Ce films have direct allowed transition band gap.The mechanisms of dc-conductivity of un-doped V2O5 and doped with Nd and Ce filmsat the range 303Kto 473K have been discussed.

اغشية اوكسيد الفناديوم الرقيقة ذات التركيب النانوي قد تم ترسيبها بتقنية الرش الكيميائي، كما تم تطعيم اغشية اوكسيد الفناديوم بالنيديميوم Ndوالسيريوم Ceبإضافة كلوريد النيديميوم وكبريتات السيريوم بنسبة 3% لكل من Nd و Ce في محلولين منفصلين. ورسبت الاغشية على ارضية من السليكون نوع N ذات التوجه بلوري (111) وارضيات من الزجاج وبدرجة حرارة اساس °C 250. تم اجراء الفحوصات التركيبية والبصرية والكهربائية حيث اظهرت نتائج فحوصات الاشعة السينية ان العينات لها تركيب متعدد التبلور ومعيني قائم وبدورانية (010) وبحجم نانوي. كما تمت معرفة خواص السطح بإجراء فحوصات مجهر القوة الذرية. تمتلك اغشية V2O5 النقية والمطعمة بالنيديميوم Ndوالسيريوم Ceفجوة طاقة مباشرة مسموحة كما نوقشت ميكانيكيه التوصيلية المباشرة للأغشية المحضرة.

Listing 1 - 10 of 41 << page
of 5
>>
Sort by
Narrow your search

Resource type

article (41)


Language

English (31)

Arabic (6)

Arabic and English (4)


Year
From To Submit

2016 (41)