research centers


Search results: Found 5

Listing 1 - 5 of 5
Sort by

Article
Preparation and Characterization of PSi/Si Electrochemically Formed as Photodetectors

Author: Doaa S. Jbaier
Journal: Al-Nahrain Journal of Science مجلة النهرين للعلوم ISSN: (print)26635453,(online)26635461 Year: 2016 Volume: 19 Issue: 4 Pages: 103-112
Publisher: Al-Nahrain University جامعة النهرين

Loading...
Loading...
Abstract

Porous silicon were constructed electrochemically with various form ationtimes (5, 10, 15 and 20) min with current density 20mA/cm2 on p-type silicon. The influence of formation time on the structural and morphological properties have been presented by using SEM and optical microscopy. The SEM analysis was showed that the porous silicon layer has a uniform structure and this structure varied with increasing the etching time. The optical microscope was carried out to study the thickness, the pore diameter and etching rate of porous silicon layer, we have found the porous silicon thicknessis accretion with excess the formation time and pores diameter increased also. The etching rate was found to increase from 1.25 to 1.53 μm/min. The electrical properties of PSi samples which represented by I-V characterization under dark show that when the etching time increased the current which pass through the layer of porous silicon decreased because of increasing the resistivity of PSi surface. From I-V charecteristics PSi layer show a good rectification and high responsivity for visible and near IR region.

السيليكون المسامي تم تحضيره بالطريقة الكهروكيميائيةوبأزمان تحضير ) 5 و 01 و 05 و 01 ( دقيقة وبكثافة تيار01 ملي امبير/سم 0 على السيليكون نوع P . تأثير زمنالتشعيع على الخصائص التركبيبية والطبوغ ا رفية درستباستخدام المجهر الالكتروني الماسح والمجهر الضوئي.أظهرت نتائج المجهر الالكتروني الماسح ان السيليكونالمسامي الناتج ذو شكل منتظم وطبيعة الشكل تتغير بتغيرزمن التشعيع. المجهر الضوئي تم استخدامه لد ا رسة سمكالسطح، قطر المسام بالاضافة الى معدل التاكلفي طبقةالسيليكون وجدنا أن سمك السيليكون المسامي يزداد بزيادةزمن التشعيع بالاضافة الى قطر المسام يزداد كذلك بزيادةزمن التشعيع. معدل التاكل وجد انه يزداد من 0.05 الى0.51 مايكرون/دقيقة. الخصائص الكهربائية لعيناتالسيليكون المسامي والمتمثلة بخصائص تيار جهد تحت -الظلام بينت ان عند زيادة زمن التشعيع يقل التيار المارخلال طبقة السيليكون المسامي بسبب زيادة مقاومة سطحالسيليكون المسامي. من خصائص تيار جهد لسطح –السيليكون المسامي تبين انه يظهر تقويم جيد واستجابية عاليةعند المنطقة المرئية وتحت الحم ا رء الق ريبة .


Article
Morphology and Electrical Properties Study of Nanocrystalline Silicon Surface Prepared By Electrochemical Etching
دراسة الخصائص الطبوغرافية والكهربائية لسطح السيلكون ذو التركيب النانوي المحضر بطريقة التنميش الكهروكيميائي

Author: Jamal Fadhil Mohammad جمال فاضل محمد
Journal: Iraqi Journal of Science المجلة العراقية للعلوم ISSN: 00672904/23121637 Year: 2016 Volume: 57 Issue: 3A Pages: 1707-1714
Publisher: Baghdad University جامعة بغداد

Loading...
Loading...
Abstract

In this work, nanostructure porous silicon surface was prepared using electrochemical etching method under different current densities. I have studied the surface morphology and photoluminescence (PL) of three samples prepared at current densities 20, 30 and 40 mA/cm2 at fixed etching time 10 min. The atomic force microscopy (AFM) images of porous silicon showed that the nanocrystalline silicon pillars and voids over the entire surface has irregular and randomly distributed. Photoluminescence study showed that the emission peaks centered at approximately (600 – 612nm) corresponding energies (2.06 – 2.02eV).While current-voltage characteristics shows, as the current density increase the current flow in the forward bias is decreasing, while the rectification ratio and ideality factor varied from one sample to another. Finally, as etching current density increases the built in potential (Vbi) decreases (Vbi= 0.95, 0.75 and 0.55 volt corresponding 20, 30 and 40 mA/cm2) respectively.

تم في هذا البحث تحضير سطح السيلكون ذو التراكيب النانوية بطريقة التنميش الكهروكيميائي ولكثافة تيار مختلفة. وكذلك تم دراسة طبوغرافية سطح السيلكون والاضائية (اللمعان) للعينات المحضرة بكثافة تيار 20، 30 ، 40 ملي امبير/ سم2وعند زمن تنميش ثابت مقداره 10 ثانية.أوضحت صور مجهر القوة الذرية بان سطح السليكون ذو تراكيب نانوية بهيئة اعمدة وفجوات موزعة بصورة عشوائية غير منتظمة على سطح السيلكون. دراسة الاضائية أوضحت بان قمم الانبعاث متمركزة تقريبا بين مدى الاطوال الموجية(600-612 نانومتر) والتي تقابل الطاقات (2.02-2.06 الكترون فولط). بينما اوضحت دراسة خصائص تيار-جهد، عند زيادة كثافة التيار يتناقص التيار الامامي مع تغير لكل من نسبة التقويم و عامل المثالية من عينة الى اخرى. واخيرا، عند زيادة كثافة تيار (20، 30 ، 40 ملي امبير/ سم2 ) فان جهد البناء الداخلي يتناقص (0.55, 0.75, 0.95 فولط) على الترتيب.


Article
The Effect of Some Experimental Parameters on the Properties of Porous Silicon

Author: Adawiya J. Haider
Journal: Iraqi Journal of Applied Physics المجلة العراقية للفيزياء التطبيقية ISSN: 18132065 23091673 Year: 2016 Volume: 12 Issue: 2 Pages: 37-40
Publisher: iraqi society for alternative and renewable energy sources and techniques الجمعية العراقية لمصادر وتقنيات الطاقة البديلة والمستجدة

Loading...
Loading...
Abstract

The influence of halogen lamp illumination intensity and HF acidconcentrations on the properties of n-type porous silicon samplesduring the light-induced etching process were investigated. Thephotoluminescence (PL) spectra were recorded for porous siliconsamples prepared at high illumination intensity. The peak and theshape of PL spectra are function to illumination intensities. Theetching rates and porosities increases with increasing light beamintensity and go through maximum with increasing HF acidconcentration.


Article
Photoluminescence lifetime in porous silicon
العمر الكلي للتألق الضوئي في السليكون المسامي

Author: Adwan N. H. Al-Ajili عدوان نايف حميد العجيلي
Journal: Tikrit Journal of Pure Science مجلة تكريت للعلوم الصرفة ISSN: 18131662 Year: 2016 Volume: 21 Issue: 1 Pages: 76-81
Publisher: Tikrit University جامعة تكريت

Loading...
Loading...
Abstract

Lifetime of photoluminescence emitted by porous silicon has been investigated by using pulsed nitrogen laser as excitation source. This research also involved sample preparation. This in itself necessitated software and hardware development to enable interfacing and data logging using PC. Orange and orange/red photoluminescence emitted from porous silicon samples have been studied at temperatures (77 - 295) K. The photoluminescence decay was intrinsically nonexponential at different temperatures. The photoluminescence lifetime, defined as 1/e times the initial intensity, decreased as emission energy increased, and increased with decreasing temperature. The time evolution of photoluminescence lifetimes and for orange porous silicon sample has been investigated.

تمت دراسة العمر الكلي للتألق الضوئي المنبعث من السليكون المسامي باستخدام ليزر النتروجين الومضي كمصدر تهيج. تضمن هذا البحث تحضير عينات، وكذلك استلزم تطوير برامجيات واجهزة مختبرية لربط الحاسوب الشخصي مع اجهزة القياس لغرض تسجيل البيانات باستخدام الحاسوب الشخصي.درس التألق الضوئي ذو اللون البرتقالي واللون البرتقالي المحمر المنبعث من عينات السليكون المسامي عند درجات حرارة مختلفة تتراوح بين (77 – 295) كلفن. لقد وجد بان انحلال التألق الضوئي كان غير اسيا عند درجات الحرارة المختلفة. يعرف العمر الكلي للتألق الضوئي بانه، 1/e مضروبا بالشدة الابتدائية، ويتناقص هذا العمر كلما ازدادت طاقة الانبعاث ويزداد بانخفاض درجة حرارة العينات. لقد تم حساب عمري التألق الضوئي و المنبعث من عينات السليكون المسامي الباعثة للضوء البرتقالي لعينة لم تتعرض للظروف الجوية المخترية ثم تعرضت بعد ذلك لفترات زمنية مختلفة للظروف الجوية المختبرية الطبيعية.


Article
Porous Silicon effect on the performance of CdS nanoparticles photodetector
تأثير تنميش السليكون على اداء كاشف الجسيمات النانويه كبريتيد الكادميوم

Authors: Mymana W. Eesa ميمنه وليد عيسى --- Manal M. Abdullah منال مدحت عبدالله
Journal: Iraqi Journal of Physics المجلة العراقية للفيزياء ISSN: 20704003 Year: 2016 Volume: 14 Issue: 31 Pages: 129-137
Publisher: Baghdad University جامعة بغداد

Loading...
Loading...
Abstract

Cadmium sulfide photodetector was fabricated. The CdSnano powder has been prepared by a chemical method and deposited as a thin film on both silicon and porous p- type silicon substrates by spin coating technique. Structural, morphological, optical and electrical properties of the prepared CdSnano powder are studied. The X-ray analysis shows that the obtained powder is CdS with predominantly hexagonal phase. The Hall measurements show that the nano powder is n-type with carrier concentration of about (-5.4×1010) cm-3. The response time of fabricated detector was measured by illuminating the sample with visible radiation and its value was 5.25 msec. The specific detectivity of the fabricated detector is found to be (9×1011 W-1 .Hz1/2.Cm- 1). The responsivity was (0.03A/W).

تم تصنيع كاشف ضوئي من كبريتيد الكادميوم بالحجم النانوي. حضر المسحوق بطريقه كيميائية ثم رسب كغشاء رقيق على قواعد السليكون والسليكون المسامي بواسطة تقنية الترسيب بالتدوير. درست الخصائص التركيبية والسطحية والبصرية والكهربائية لكبريتيد الكادميوم النانوي. تحليل الاشعة السينية بين أن مسحوق كبريتيد الكادميوم النانوي المحضر ذو تركيب سداسي ومن قياسات هول وجد ان المسحوق النانوي من النوع المانح وبتركيز حاملات شحنة حوالي 4.5-×1010سم-3. تم قياس زمن استجابة الكاشف المصنع بعد اضائتة بالاشعة المرئية فكانت قيمته 2,5 ملي ثانية. وجد ان تحسس الكاشف هو 9×1011 واط-1.هرتز1/2.سم-1.واستجابيتة 0.03 أمبير.واط-1.

Listing 1 - 5 of 5
Sort by
Narrow your search

Resource type

article (5)


Language

English (5)


Year
From To Submit

2016 (5)