research centers


Search results: Found 7

Listing 1 - 7 of 7
Sort by

Article
Impact of thickness and heat treatment on some physical properties of thin Cu2SnS3 films
تأثير السمك والمعاملة الحرارية على بعض الخصائص الفيزيائية لاغشية Cu2SnS3 الرقيقة

Authors: Iqbal S. Naji اقبال سهام ناجي --- Hoolya Abdulrasool هوليا عبدالرسول لفته
Journal: Iraqi Journal of Physics المجلة العراقية للفيزياء ISSN: 20704003 Year: 2016 Volume: 14 Issue: 30 Pages: 120-128
Publisher: Baghdad University جامعة بغداد

Loading...
Loading...
Abstract

Copper tin sulfide (Cu2SnS3) thin films have been grown on glass substrate with different thicknesses (500,750 and 1000) nm by flash thermal evaporation method after prepare its alloy from their elements with high purity.The as-deposited films were annealed at 473 K for 1h. Compositional analysis was done using Energy dispersive spectroscopy (EDS). The microstructure of CTS powder examined by SEM and found that the large crystal grains are shown clearly in images. XRD investigation revealed that the alloy was polycrystalline nature and has cubic structure with preferred orientation along (111) plane, while as deposited films of different thickness have amorphous structure and converted to polycrystalline with annealing temperature for high thickness. AFM measurements showed that the grain size of the films was increasing by annealing. The ultraviolet- visible absorption spectrummeasurement indicated that the films have a direct energy band gap. Eg decrease with thickness and increase with annealing.

تم ترسيب أغشية Cu2SnS3الرقيقة على قواعد من الزجاج وبسمك مختلف (500،750،1000) نانومتر بطريقة التبخير الحراري الوميضي بعد تحضير السبيكة من عناصرها وبنقاوة عالية. تم معاملة الاغشية المرسبة حراريا عند 473 كلفن لمدة ساعة واحدة. تم تحليل المكونات بأستخدام مجهر تفريق الطاقة ((EDS وتم اختبار التركيب الدقيق لمسحوق CTS بأستخدام المجهر الالكتروني الماسح (SEM) وأوضحت الصور وجود حبيبات بلورية كبيرة. اظهرت قياسات حيود الاشعة السينية (XRD) ان السبيكة كانت ذات تركيب متعدد التبلور ولها تركيب مكعب باتجاه مفضل (111) بينما الاغشية المرسبة ولسمك مختلف تمتلك تركيب عشوائي ويتحول الى متعدد التبلور عند تلدينها بدرجة 473 كلفن للسمك العالي. بينت قياسات مجهر القوة الذرية(AFM) ان الحجم الحبيبي للاغشية يزداد بالتلدين. تشير قياسات طيف ألامتصاص للاشعة فوق البنفسجية - مرئية الى أن الاغشية تمتلك فجوة طاقة مباشرة وان Eg تقل بأزدياد السمك وتزداد بالتلدين.

Keywords

Cu2SnS3 --- flash thermal evaporation --- X-ray --- AFM --- SEM.


Article
Synthesis and study the optical properties of 〖Ge〗_20 〖Bi〗_x 〖Se〗_(80-x) thin films
تحضير ودراسة الخواص البصرية لأغشية Ge20BixSe80-x

Authors: Jassim Mohammed Salih AlFahdawi جاسم محمد صالح --- Waleed Bdaiwi وليـد بديـوي صالح
Journal: Iraqi Journal of Physics المجلة العراقية للفيزياء ISSN: 20704003 Year: 2016 Volume: 14 Issue: 30 Pages: 180-186
Publisher: Baghdad University جامعة بغداد

Loading...
Loading...
Abstract

The optical propertiesof Ge_20 Bi_x Se_(80-x) thin filmatx=0,0.2 and 0.6 deposited on glass substrate with thickness of (205±50 nm ) was prepared using thermal evaporation technique. X-ray diffraction has been study and show amorphous crystalline for the films prepared with different concentration of Bismuth and annealed at temperatures 373 K and 473 K at one hour. A study of the absorption spectrum in the wavelengths (300-900) nm has been used to calculated the optical energy (Eg^opt) of the samples. The results show a decrease in the value of the optical energy with increase in Bismuth concentration in the sample, while increase (1.5-2)eV with increase of the temperature of annealing from 373 K to 473 K.

الخواص البصرية لغشاء Ge20BixSe80-x عندx=0,0.2 و0.6 والتي رسبت على قواعد من الزجاج بسمك 205 nm والذي حضر باستخدام طريقة التبخير الحراري. من خلال فحص حيود الاشعة السينية تبين لنا ان الغشاء المحضر نوع عشوائي لكل الاغشية والتي حضرت باختلاف نسب البزموث والتي لدنت بدرجة حرارة373k و 473k لمدة ساعة. ومن دراسة امتصاصية الطيف الموجي بول موجي (300-900)nm استطعنا ان نحسب فجوة الطاقة البصرية والنتيجة كانت كلما زادة نسبة البزموث كلما قلت فجوة الطاقة البصرية في العينات المحضرة, ولاحظنا زيادة في فجوة الطاقة تتراوح بين (1.5-2)eV مع زيادة درجة التلدين من 373k الى 743k.


Article
Post Thermal Oxidation of Tin Thin Film on Silicon Substrate for MIS Hetrojunction Prepared by Thermal Evaporation

Author: Halah H. Rashed
Journal: Engineering and Technology Journal مجلة الهندسة والتكنولوجيا ISSN: 16816900 24120758 Year: 2016 Volume: 34 Issue: 4 Part (B) Scientific Pages: 499-511
Publisher: University of Technology الجامعة التكنولوجية

Loading...
Loading...
Abstract

In this work, preparation of high quality conductive oxide SnO2 thin film by post-thermal trearment of deposited tin by vacuum thermal evaporation on glass and p -type silicon substratesfor preparation of metal-insulator-semiconductor hetrojunction.The opticalabsorption, electrical, structural and surface morphology of the SnO2 thin film on glass substrate were characterized byUV-VIS-NIR spectrophotometer, electrical conductivity, X-ray diffraction spectrum andatomic force microscope respectively.The X-Ray Diffraction pattern show that the SnO2 thin film is polycrystalline with and tetragonal rutile, Atomic Force Microscope show that the grains size of the thin film varies from 50 to 150 nm .The optical properties show that SnO2 thin film is high absorbance in Ultra-violet region, whereas it's transparent in the visible and near infrared regions and have direct optical band gap of 3.6 eV, and last the electrical conductivity results show that the resistivity is decrease with increase the temperature and activation energy is approximately to the 0.107eV.The electrical properties of n SnO2/SiO2/p Sihetrojunctionwere studied by I–V measurement under dark and illumination conditions, in the dark condition, I–V measurement reveals that the heterojunction have rectifying behavior, the ideality factor and the reverse saturation current of this diode are 5.18 and 1.5×10–6 A respectively. Under illumination condition, I–V measurement reveals that the photocurrent is larger than the dark current, and a linear relation between ISC and VOC with the incident light intensity to reach a maximum value beyond tends to saturated and become constant. These electrical properties of prepared device can its work as a detector or solar cell.


Article
Electrical Conductivity and Hall Effect Measurements of (CuInTe2) Thin Films
التوصيلية الكهربائية وقياسات تأثير هول لأغشية (CuInTe) الرقيقة

Loading...
Loading...
Abstract

In this research, the electrical conductivity and Hall effect measurements have beeninvestigated on the CuInTe2 (CIT) thin films prepared by thermal evaporation technique onglass substrate at room temperature as a function of annealing temperature (R.T,473,673)Kfor different thicknesses (300 and 600) nm. The samples were annealed for one hour.The electrical conductivity analysis results demonstrated that all samples prepared have twotypes of transport mechanisms of free carriers with two values of activation energy (Ea1, Ea2),and the electrical conductivity increases with the increase of annealing temperature whereas itshowed opposite trend with thickness , where the electrical conductivity would decrease asthe films thickness increases.The results of Hall effect measurements of CuInTe2 films show that all films were (p-type) ,the carrier concentration and Hall mobility are strongly dependent on the annealingtemperature and film thickness.

الرقيقة والمحضرة CuInTe2 (CIT) تم في هذا البحث حساب التوصيلية الكهربائية وقياسات تأثير هول لأغشيةباستعمال تقنية التبخير الحراري على ارضيات من الزجاج عند درجة حرارة الغرفة كدالة لدرجة حرارة التلدين300,600 ) ولدنت النماذج لمدة ساعة واحدة. )nm ولسمك مختلف (R.T,473,673)Kاوضحت نتائج تحليل التوصيلية الكهربائية ان جميع الاغشية المحضرة تمتلك آليتين للانتقال الالكتروني لحاملات الشحنةولوحظ زيادة التوصيلية الكهربائية مع زيادة درجة حرارة التلدين واظهرت سلوكا (Ea1, Ea وقيمتين لطاقات التنشيط ( 2معاكسا مع السمك اذ تناقصت قيم التوصيلية الكهربائية مع زيادة سمك الغشاء.واعتمدت قيم كل من تركيز . (p-type) كانت من نوع CuInTe وبينت نتائج قياسات تأثير هول ان جميع أغشية 2حاملات الشحنة وتحركية هول على درجة حرارة التلدين وسمك الاغشية


Article
The Structural and Optical Properties of Zinc Telluride Thin Films by Vacuum Thermal Evaporation Technique
لخواص التركيبية والبصرية لاغشية ZnTe والمحضرة بتقنية التبخير الحراري في الفراغ

Authors: Samir A. Maki سمير عطا مكي --- Hanan K. Hassun حنان كاظم حسون
Journal: Ibn Al-Haitham Journal For Pure And Applied Science مجلة ابن الهيثم للعلوم الصرفة والتطبيقية ISSN: 16094042 Year: 2016 Volume: 29 Issue: 2 Pages: 70-80
Publisher: Baghdad University جامعة بغداد

Loading...
Loading...
Abstract

Different thicknesseses of polycrystalline ZnTe films have been deposited on to glasssubstrates by vacuum evaporation technique under vacuum 2.1x10-5 mbar. The structuralcharacteristics studied by X-ray diffraction (XRD) showed that the films are polycrystallineand have a cubic (zinc blende ) structure. The calculated microstructure parameters revealedthat the crystallite size increases with increasing film thicknesses. The optical measurementson the deposited films were performed in different thicknesseses [ 400 , 450 and 500]nm, todetermine the transmission spectrum and the absorption spectra as a function of incidentwavelength. The optical absorption coefficient (α) of the films was determined fromtransmittance spectra in the range of wavelength (400-1100) nm. The dependence ofabsorption coefficient, on the photon energy showed the occurrence of a direct transition withband gap energy from 2.24eV to 1.92eV (for ZnTe films of different thicknesseses), wherewith high film thicknesses there are several energy levels resulting in several overlappingenergy bands in the band gap of these films. The overlapping energy bands therefore tend toreduce the energy band gap, resulting in lower band gaps for thicker films.

المتعددة التبلور على ارضية من الزجاج وباسماك مختلفة باستعمال تقنية التبخير الحراري بالفراغ ZnTe رسبت اغشية2.1 وبدرجة حرارة الغرفة . تم دراسة الخواص التركيبية من خلال حيود الاشعة السينية قد x10-5 mbar تحت ضغطوهوالتركيب (Zinc-blende structure) اظهرت النتائج بأن الاغشية متعددة التبلور وهي من نوع ركاز الزنكالمكعبي. وكشفت الحسابات التركيبية للحجم الحبيبي بأنه يزداد مع زيادة سمك الاغشية .وحددت القياسات البصرية للاغشية400 ] طيف النفاذية والامتصاصية كدالة للطول الموجي ,ومن طيف , 450 and 500 ]nm المرسبة باسماك مختلفة400-1100 ) تم تحديد معامل الامتصاص البصري . وكان الانتقال المباشر لفجوة ) nm النفاذية لمدى الاطوال الموجيةوللاسماك المختلفة ) التأثير في اعتماد معامل الامتصاص في فجوة ZnTe 1.92 ( لاغشية eV 2.24 الى eV الطاقة منالطاقة والاستدلال على فجوة الطاقة من سمك الغشاء .


Article
تأثير السمك على الخصائص التركيبية والبصرية لأغشية (Bi2O3) الرقيقة
Effect of Thickness on the Structural and Optical Properties of (Bi2O3) thin films

Authors: Bushra. K.H.Al-Maiyaly بشرى كاظم حسون --- Nassr. I.Najm نصرعيسى نجم
Journal: Journal of College of Education مجلة كلية التربية ISSN: 18120380 Year: 2016 Issue: 5 Pages: 75-88
Publisher: Al-Mustansyriah University الجامعة المستنصرية

Loading...
Loading...
Abstract

In this research , the influence of different thickness (250,350 and 450 ±20 nm) on the structural and optical properties have been investigated on the thin films of (Bi2O3) which deposited on glass substrates using thermal evaporation technique under vacuum , ( XRD) is used to characterize the structural properties, the results indicate that all films prepared have polycrystalline structure with preferentially oriented in the [ 201] with tetragonal structure, The optical analyses shows that these films have high absorption coefficient ( α > 104 cm-1 ) and direct energy gap which increase with the increase of film thickness , Also optical measurements shows that , the values of absorption coefficient , refractive index , extinction coefficient , the dielectric constants with both parts real and imaginary Optical Conductivity are change with on film thickness for the wavelength in the range ( 300 – 1100 nm ) .

يتنـاول هـذا البحـث دراسـة تأثيـر تغيـر السمـك (250, 350 and 450 ±20 nm)على الخصائص التركيبية والبصرية لأغشية اوكسيد البزموث الرقيقة (Bi2O3)والمحضرة على قواعد زجاجيـة بتقنيـة التبخـر الحـراري فـي الفـراغ , اسـتعملـت حيود الاشعة السينية (XRD) لدراسةالخصائص التركيبية وبينـت النتائـج ان لجميـع الاغـشيـة المحضـرة تـركيب متعدد التبلور وبطور رباعي والاتجاه السائد [201] وقـد بينـت النتـائـج البصـريـة ان لهـذه الأغشيـة معامل امتصاص عالي (α > 104 cm-1 ) وفجوة طاقة بصرية مباشرة تزداد قيمتهـا بزيادة السمك وكذلك اظهرت القيـاسـات البصـريـة ان قيـم كـل مـن ( معـامـل الامتـصـاص , معـامـل الانكسـار , معامل الخمود وثابـت العـزل بجـزئيـه الحقيقي والخيالي والتوصيلية البصرية خـلال مـدى مـن الاطـوال الموجية (300 – 1100 nm) تتغيـر مع سمـك الغـشـاء.


Article
Characterization of n-CdO:Mg /p-Si Heterojunction Dependence on Annealing Temperature
اعتماد خصائص المفرق الهجيه n-CdO:Mg /p-Si علي درجت حرارة التلذيه

Loading...
Loading...
Abstract

In this research, thin films of CdO: Mg and n-CdO: Mg/ p-Si heterojunction with thickness (500±50) nm have been deposited at R.T (300 K) by thermal evaporation technique. These samples have been annealed at different annealing temperatures (373 and 473) K for one hour. Structural, optical and electrical properties of {CdO: Mg (1%)} films deposited on glass substrate as a function of annealing temperature are studied in detail.The C-V measurement of n-CdO: Mg/ p-Si heterojunction (HJ) at frequency (100 KHz) at different annealing temperatures have shown that these HJ were of abrupt type and the built-in potential (Vbi) increase as the annealing temperature increases.The I-V characteristics of heterojunction prepared under dark case at different annealing temperatures show that the values of ideality factor and potential barrier height increase with the increase of annealing temperature.

حى ف هزا انبحث ححض شٍ اغش تٍ CdO: Mg انشق قٍت وان فًشق انهد n-CdO:Mg/p- Si وبس كً (500±50) nmػ ذُ دسخت حشاسة انغشفت 300 K) ( باسخؼ اًل حق تٍُ انخبخ شٍ انحشاسي. ونذ جَ ان اًُرج ن ذًة ساػت واحذة ػ ذُ دسخاث حشاسةحهذ يخخهفت . (373,473)K% حى دساست انخىاص انخشك بٍ تٍ وانبصش تٌ وانكهشبائ تٍ لاغش تٍ ) 1 (CdO: Mg وان شًسبت ػهى اسض اٍث ي انضخاج كذانتنذسخت حشاسة انخهذ بانخفص مٍ.اوضحج خَائح ق اٍساث C-V نه فًشق انهد n-CdO:Mg/p- Si ػ ذُ حشدد 100KHz وػ ذُ دسخاث حشاسة حهذ يخخهفت ا ان فًشق ي ان ىُع انحاد وا خهذ انب اُء انذاخه ضٌداد يغ ص اٌدة دسخت حشاسة انخهذ .ٌٍو اوضحج خصائض I-V ف حانت انظلاو نه فًشق انهد ان حًضش وػ ذُ دسخاث حشاسة حهذ يخخهفت ا كم ي ق ىٍ ػايمان ثًان تٍ واسحفاع حاخض اندهذ حضداد يغ ص اٌدة دسخت حشاسة انخهذ .ٌٍ

Listing 1 - 7 of 7
Sort by
Narrow your search

Resource type

article (7)


Language

Arabic and English (3)

English (3)

Arabic (1)


Year
From To Submit

2016 (7)