research centers


Search results: Found 2

Listing 1 - 2 of 2
Sort by

Article
Preparation single layer of (MgO) as antireflection coating using PLD technique
تحضير غشاء مضاد للانعكاس احادي الطبقة من اوكسيد المغنسيوم باستخدام تقانة الترسيب بالليزر النبضي

Loading...
Loading...
Abstract

In this work preparation of antireflection coating with single layer of MgO using pulsed laser deposition (PLD) method which deposit on glass substrate with different thicknesses (90 and 100) nm annealed at temperature 500 K was done. The optical and structural properties (X-ray diffraction) have been determined. The optical reflectance was computed with the aid of MATLAB over the visible and near infrared region. Results shows that the best result obtained for optical performance of AR'Cs at 700 shots with thickness 90 nm nanostructure single layer AR'Cs and low reflection at wavelength 550 nm.

في هذا البحث تم تحضير طلاء مضاد للانعكاس احادي الطبقة لمادة اوكسيد المغنسيوم بطريقة الترسيب بالليزر النبضي. وعلى اساس من الزجاج وباسماك مختلفة 90-100 نانومتر وفي درجة حرارة التلدين (500) درجة كلفنية.تم دراسة الخصائص البصرية والتركيبية للطلاء. الانعكاسية حسبت بواسطة برنامج MATLABضمن المنطقة المرئية والقريبة من الحمراء, النتائج اظهرت ان الحصول على افضل اداء بصري للطلاء المضاد للانعكاس عند سمك الغشاء 90 نانومتر وبعدد نبضات 700 نبضة وباقل انعكاسية و كان بطول موجي 550 نانومتر.


Article
Synthesis and Fabrication of In2O3: CdO Nanoparticles for NO2 Gas Sensor
NO2 النانوية لغاز In2O3: CdO تصنيع متحسس غازي ودراسة الخصائص الفيزيائية والمورفولوجي للجسيمات

Loading...
Loading...
Abstract

The physical and morphological characteristics of porous silicon (PS) synthesized via gas sensor was assessed by electrochemical etching for a Si wafer in diluted HF acid in water (1:4) at different etching times and different currents. The morphology for PS wafers by AFM show that the average pore diameter varies from 48.63 to 72.54 nm with increasing etching time from 5 to 15min and from 72.54 to 51.37nm with increasing current from 10 to 30 mA. From the study, it was found that the gas sensitivity of In2O3: CdO semiconductor, against NO2 gas, directly correlated to the nanoparticles size, and its sensitivity increases with increasing operating temperature.

تصنيع متحسس غازي ودراسة الخصائص الفيزيائية والمورفولوجي للسليكون المسامي باستخدام عملية الحفر الكهروكيميائية على السليكون باستخدام حامض الهدرفلوريك المخفف في الماء (1: 4) في أوقات حفر مختلفة وتيارات مختلفة. أظهرت فحوصات مجهر القى الذرية لطوبوغرافية السطح أن متوسط قطر المسام يختلف من 48.63 إلى 72.54 نانومتر مع زيادة وقت الحفر من 5 إلى 15 دقيقة ومن 72.54 إلى 51.37nm مع زيادة التيار من 10 إلى 30 ملي أمبير.. في حين أظهرت نتائج العينات للتيارات المختلفة أن متوسط قطر المسامية وسماكة طبقة السليكون المسامي انخفض مع زيادة التيار، وجد أن حساسية الغاز من In2O3:CdO أشباه الموصلات، لغاز NO2، ترتبط مباشرة بحجم الجسيمات النانوية، وحساسيته يزيد مع زيادة درجة حرارة التشغيل .

Listing 1 - 2 of 2
Sort by
Narrow your search

Resource type

article (2)


Language

English (2)


Year
From To Submit

2018 (2)