research centers


Search results: Found 3

Listing 1 - 3 of 3
Sort by

Article
Morphological and Electrical Properties of gold nanoparticles /macroPorous Silicon for CO2 Gas
الخصائص المورفولوجية والكهربائية للجسيمات الذهب النانوية مع السيليكون مسامي ماكروية الهجينه مستخدمة في تحسس عن الغاز CO2

Authors: Alwan M. Alwan علوان محمد علوان --- Rasha B. Rashid رشا بشار رشيد --- Amer B. Dheyab عامر بدر ذياب
Journal: Iraqi Journal of Science المجلة العراقية للعلوم ISSN: 00672904/23121637 Year: 2018 Volume: 59 Issue: 1A Pages: 57-66
Publisher: Baghdad University جامعة بغداد

Loading...
Loading...
Abstract

In this work, the fine structure macro-porous silicon (macroPS) substrate was prepared by photo-electro-chemical etching of n-type silicon wafer. Ultraviolet illumination condition of wavelength 360nm wavelength and intensity of about 100mW/cm2 with etching current density of about 50 mA/cm2 and etching time 5 min was employed. The Hybrid device gold nanoparticles /macroPorous Silicon (AuNPs/macroPS) was fabricated by deposition AuNPs into mPS substrate Via immersion plating process of macroPS in the solution of HAuCl4 with the (10-3M) concentration and 2min immersion time. The characteristics of PS before and after immersion process were investigated by scanning electron microscopy (SEM), EDS, X-Ray diffraction (XRD), photoluminescence (PL) and Infrared spectroscopy (FTIR). The J-V characteristics of sandwich structure showed that the maximum sensitivity of the AuNPs/macro PS was about (90.5%)for compared with macro-PS substrate. The current-voltage characteristics were performed in primary vacuum with a base pressure of about 0.2mbar and CO2 with 1mbare concentrations. Significant enhancement was observed in sensitivity of the AuNPs/macroPS hybrid device and temporal response after deposition the AuNPs.

في هذا العمل تم تحضير سيلكون مسامي ماكروي بطريقة التنميش الضوء- كهروكيميائية للشريحة السليكون من النوع المانح. المحضرة باستخدام الليزر البنفسجي ذو الطول الموجي 630 نانومتر,بشدة اضاءة حوالي 100 ملي واطسم2,وكثافة تيار التنميش50ملي أمبيرسم2 وزمن التنميش 5 دقائق تم استخدامها خلال عملية التنميش. تم تركيب السليكون المسامي المجرد )قبل عملية الترسيب المعدني( والسليكون المسامي المطعم بجسيمات الذهب النانوية تم دراستها بواسطة قياس حيود الاشعة السينية،المجهر الماسح الالكتروني،وقياس تشتت طاقة الاشعة السينية , وقياسات التلؤلؤ الضوئي تم دراسته كدالة لحجم جسيمات الذهب النانوية وتوزيعها على سطح السليكون المسامي, وقياسات تحويلات فورير للاشعة تحت الحمراء وتم دراسة خصائص التيار- فولتية للتركيب الهندسي المركب اظهرت اعلى قيمة للتحسسية لطبقة السليكون المسامي ماكروي مع جسيمات الذهب النانوية حوالي(90.5%) بمقارنه مع العينة السليكون المسامي. وتم قياس خصائص الكهربائية تحت ضغط 0.2 ملي بار, وبعد ذلك مع الغاز تحت تركيز 1بار . ولوحظ تحسن كبير في حساسية للعينة الهجينة والاستجابة الزمنية بعد ترسب جسيمات الذهب النانوية.


Article
Fabrication and characterization of porous silicon for humidity sensor application
تصنيع و توصيف السليكون المسامي لتطبيق متحسس الرطوبة

Loading...
Loading...
Abstract

Porous Silicon (PS) layer has been prepared from p-type silicon by electrochemical etching method. The morphology properties of PS samples that prepared with different current density has been study using atom force measurement (AFM) and it show that the Layer of pore has sponge like stricture and the average pore diameter of PS layer increase with etching current density increase. The x-ray diffraction (XRD) pattern indicated the nanocrystaline of the sample. Reflectivity of the sample surface is decrease when etching current density increases because of porosity increase on surface of sample. The photolumenses (PL) intensity increase with increase etching current density. The PL is affected by relative humidity (RH) level so we can use as humidity sensor. The electrical resistivity has been increased after PS layer formed due to the variation of the pore size and it was much higher after increase etching current.

حضرت طبقات السليكون المسامي باستخدام السليكون من النوع القابل (P-type) بواسطة طريقة التنميش االكهروكيميائي. خصائص التركيبية لعينات السليكون المسامي التي حضرت باستخدام كثافات تيار مختلفة درست بواسطة مجهر القوى الذرية (AFM)والتي بينت بان طبقات المسام تمتلك تركيب يشبة الاسفنج, وان معدل قطر المسام لعينات سطح السلكون المسامي تزداد مع زيادة كثافة تيار التنميش. حيود الاشعة السينية (XRD) بينت التركيب البلوري النانوي للعينة. انعكاسية سطح النموذج تقل بزيادة كثافة تيار التنميش وهذا يعود الى زيادة المسامية على سطح النموذج. ان كثافة الاستضاءة الضوئية (PL)تزداد بزيادة كثافة تيار التنميش, وكذلك تتاثر بواسطة بواسطة مستوى الرطوبة النسبية(RH) لذلك يمكن استخدامها كمتحسس للرطوبة. المقاومية الكهربائية للعينة تزداد بعد تكوين الطبقات المسامية على السطح ويعزى ذلك الى اختلاف حجم المسام وانها تكون اعلى مايمكن مع زيادة تيار التنميش.


Article
Effect of Laser Fluence on Structural Transformations and Photoluminescence Quenching of Zinc Selenide Nanoparticles Thin Films

Authors: Nadheer Jassim Mohammed --- Hala Adnan Ahmed
Journal: Al-Mustansiriyah Journal of Science مجلة علوم المستنصرية ISSN: 1814635X Year: 2018 Volume: 29 Issue: 4 Pages: 122-127
Publisher: Al-Mustansyriah University الجامعة المستنصرية

Loading...
Loading...
Abstract

We reported in this work the growth of ZnSe nanoparticles thin films deposited on glass substrates were synthesized by a pulsed laser deposition (PLD) method. The as obtained films were characterized by X-ray diffraction (XRD), Scanning electron microscopy (SEM), Transmission electron microscopy (TEM), UV-VIS Spectrophotometer, and Photoluminescence (PL) spectra. X-ray diffraction study confirmed the transformation the cubic phase of ZnSe nanoparticles into hexagonal phase by increase the laser fluence from (4.77-5.97) J/cm2. The particle size variations were achieved by varying the laser fluence of prepared films. XRD studies and TEM images confirmed the nanometer size was found to lie in the range of 12-80 nm. A UV-VIS study was carried out to measure the band gap of the ZnSe nanoparicles thin films and it showed a blue shift with respect to the bulk value. The PL spectra at room temperature (300K) of the films showed the decrease of maximum values at at 522 nm( 2.379), 521 nm (2.3838) and 520 nm (2.3882 eV) for the laser fluences (4.77, 5.57 and 5.97 J/cm2), respectively. We assigned the variation due a larger number of non-radiative recombination centers appears in the films.

Listing 1 - 3 of 3
Sort by
Narrow your search

Resource type

article (3)


Language

English (3)


Year
From To Submit

2018 (3)