research centers


Search results: Found 7

Listing 1 - 7 of 7
Sort by

Article
Responsivity of porous silicon for blue visible light with high sensitivity
التحسسية العالية لاستجابة السليكون المسامي للضوء الازرق المرئي

Authors: Massar A. Kaood مسار عبد كعود --- Iftikhar M. Ali افتخار محمود علي
Journal: Iraqi Journal of Physics المجلة العراقية للفيزياء ISSN: 20704003 Year: 2018 Volume: 16 Issue: 37 Pages: 98-107
Publisher: Baghdad University جامعة بغداد

Loading...
Loading...
Abstract

In this work, porous silicon (PS) are fabricated using electrochemical etching (ECE) process for p-type crystalline silicon (c-Si) wafers of (100) orientation. The structural, morphological and electrical properties of PS synthesized at etching current density of (10, 20, 30) mA/cm2 at constant etching time 10 min are studied. From X-ray diffraction (XRD) measurement, the value of FWHM is in general decreases with increasing current density for p-type porous silicon (p-PS). Atomic force microscope (AFM) showed that for p-PS the average pore diameter decreases at 20 mA. Porous silicon which formed on silicon will be a junction so I-V characteristics have been studied in the dark to calculate ideality factor (n), and saturation current (Is) for these junctions. These junctions are used in photo sensors applications, where the photo sensors have been examined at blue light region. Sensitivity, rise and fall times have been calculated for this wavelength, the maximum value for sensitivity is (3797.6 %) at etching current density 10 mA/cm2 under blue light illumination at zero bias voltage.

في هذا البحث تم تصنيع كواشف السيليكون المسامي على القواعد السيليكونية من النوع p ذوات الاتجاهية (100) باستخدام عملية التنميش الكهروكيميائية (ECE) باختلاف كثافة التيار وثبوت زمن التنميش. درست الخصائص التركيبية والكهربائية لمدى من كثافة التيار (10 ،20، 40) mA/cm2 وزمن التنميش .(10min) تم تأكيد التركيب النانوي لطبقة السيليكون المسامي من خلال قياسات حيود الاشعة السينية XRD حيث اظهرت النتائج ان قيمة FWHM بشكل عام تقل بزياده كثافة تيار التنميش. اظهرت دراسة طبقه السيليكون المسامي للنوع P بواسطه مجهر القوه الذريه ان حجم المسام يقل عند كثافه التيار .20 mA/cm2 درست قياسات التيار- الفولتيه لطبقة السيليكون المسامي للنوع (p) في حالة الظلام لحساب عامل المثالية (n) وتيار الاشباع (Is) لهذه المفارق. وتستخدم هذه المفارق في تطبيقات اجهزة الاستشعار الضوئية، حيث تم فحص اجهزة الاستشعار الضوئية في460 nm الضوء الازرق. وقد تم حساب التحسسية، وكذلك صعود ونزول الزمن لهذا الطول الموجي واعلى تحسسية تكون (3797.6 %) عند كثافة التيار 10 mA/cm2 للمنطقة الزرقاء من الطيف بدون تسليط اي جهد انحياز.


Article
Fabrication and characterization of porous silicon for humidity sensor application
تصنيع و توصيف السليكون المسامي لتطبيق متحسس الرطوبة

Loading...
Loading...
Abstract

Porous Silicon (PS) layer has been prepared from p-type silicon by electrochemical etching method. The morphology properties of PS samples that prepared with different current density has been study using atom force measurement (AFM) and it show that the Layer of pore has sponge like stricture and the average pore diameter of PS layer increase with etching current density increase. The x-ray diffraction (XRD) pattern indicated the nanocrystaline of the sample. Reflectivity of the sample surface is decrease when etching current density increases because of porosity increase on surface of sample. The photolumenses (PL) intensity increase with increase etching current density. The PL is affected by relative humidity (RH) level so we can use as humidity sensor. The electrical resistivity has been increased after PS layer formed due to the variation of the pore size and it was much higher after increase etching current.

حضرت طبقات السليكون المسامي باستخدام السليكون من النوع القابل (P-type) بواسطة طريقة التنميش االكهروكيميائي. خصائص التركيبية لعينات السليكون المسامي التي حضرت باستخدام كثافات تيار مختلفة درست بواسطة مجهر القوى الذرية (AFM)والتي بينت بان طبقات المسام تمتلك تركيب يشبة الاسفنج, وان معدل قطر المسام لعينات سطح السلكون المسامي تزداد مع زيادة كثافة تيار التنميش. حيود الاشعة السينية (XRD) بينت التركيب البلوري النانوي للعينة. انعكاسية سطح النموذج تقل بزيادة كثافة تيار التنميش وهذا يعود الى زيادة المسامية على سطح النموذج. ان كثافة الاستضاءة الضوئية (PL)تزداد بزيادة كثافة تيار التنميش, وكذلك تتاثر بواسطة بواسطة مستوى الرطوبة النسبية(RH) لذلك يمكن استخدامها كمتحسس للرطوبة. المقاومية الكهربائية للعينة تزداد بعد تكوين الطبقات المسامية على السطح ويعزى ذلك الى اختلاف حجم المسام وانها تكون اعلى مايمكن مع زيادة تيار التنميش.


Article
Synthesis of gold nanoparticles by laser ablation on porous silicon for sensing CO2 gas
تحضير دقائق الذهب النانوية بالازالة الليزرية على السليكون المسامي للتحسس بغاز ثنائي اوكسيد الكاربون

Authors: Uday Muhsin Nayef عدي محسن نايف --- Intisar Mohammed Khudhair انتصار محمد خضير
Journal: Iraqi Journal of Physics المجلة العراقية للفيزياء ISSN: 20704003 Year: 2018 Volume: 16 Issue: 36 Pages: 1-10
Publisher: Baghdad University جامعة بغداد

Loading...
Loading...
Abstract

In this research, porous silicon (PS) prepared by anodization etching on surface of single crystalline p-type Si wafer, then Gold nanoparticle (AuNPs) prepared by pulsed laser ablation in liquid. NPs deposited on PS layer by drop casting. The morphology of PS, AuNPs and AuNPs/PS samples were examined by AFM. The crystallization of this sample was characterized by X-ray diffraction (XRD). The electrical properties and sensitivity to CO2 gas were investigated to Al/AuNPs/PS/c-Si/Al, we found that AuNPs plays crucial role to enhance this properties.

في هذا البحث تم تحضير السليكون المسامي بالتنميش الكهروكيميائي لشريحة السليكون نوع القابل وتم تحضير مادة الذهب النانوية بطريقة التشظية بالليزر النبضي في سائل بعد عملية التحضير تم ترسيب المادة النانوية بطريقة الترسيب بالقطرات؛ ثم درسة الخصائص الطبوغرافية باستخدام ( AFM) للسليكون المسامي وللذهب النانوي ول ذهب النانوي/سليكون مسامي. والخصائص التركيبية للعينة المحضرة درست باستخدام حيود الاشعة السينية. وكذلك درست الخصائص الكهربائية وتحسسية العينات لغاز ثنائي اوكسيد الكاربون حيث وجد ان الذهب لعب دور جوهري بتحسين تلك الخصائص.


Article
Synthesis and Fabrication of In2O3: CdO Nanoparticles for NO2 Gas Sensor
NO2 النانوية لغاز In2O3: CdO تصنيع متحسس غازي ودراسة الخصائص الفيزيائية والمورفولوجي للجسيمات

Loading...
Loading...
Abstract

The physical and morphological characteristics of porous silicon (PS) synthesized via gas sensor was assessed by electrochemical etching for a Si wafer in diluted HF acid in water (1:4) at different etching times and different currents. The morphology for PS wafers by AFM show that the average pore diameter varies from 48.63 to 72.54 nm with increasing etching time from 5 to 15min and from 72.54 to 51.37nm with increasing current from 10 to 30 mA. From the study, it was found that the gas sensitivity of In2O3: CdO semiconductor, against NO2 gas, directly correlated to the nanoparticles size, and its sensitivity increases with increasing operating temperature.

تصنيع متحسس غازي ودراسة الخصائص الفيزيائية والمورفولوجي للسليكون المسامي باستخدام عملية الحفر الكهروكيميائية على السليكون باستخدام حامض الهدرفلوريك المخفف في الماء (1: 4) في أوقات حفر مختلفة وتيارات مختلفة. أظهرت فحوصات مجهر القى الذرية لطوبوغرافية السطح أن متوسط قطر المسام يختلف من 48.63 إلى 72.54 نانومتر مع زيادة وقت الحفر من 5 إلى 15 دقيقة ومن 72.54 إلى 51.37nm مع زيادة التيار من 10 إلى 30 ملي أمبير.. في حين أظهرت نتائج العينات للتيارات المختلفة أن متوسط قطر المسامية وسماكة طبقة السليكون المسامي انخفض مع زيادة التيار، وجد أن حساسية الغاز من In2O3:CdO أشباه الموصلات، لغاز NO2، ترتبط مباشرة بحجم الجسيمات النانوية، وحساسيته يزيد مع زيادة درجة حرارة التشغيل .


Article
Preparation of porous silicon Wafers using sun light photo chemical etching (SLPCE)
تحضير شرائح السليكون المسامي النانوي باستخدام ضوء الشمس

Authors: I. K. Jassim1 اسماعيل خليل جاسم1 --- A. Y. Khudair1 احمد ياس خضير1 --- , H. Asker k2 حسن عسكر كاظم2
Journal: Tikrit Journal of Pure Science مجلة تكريت للعلوم الصرفة ISSN: 18131662 Year: 2018 Volume: 23 Issue: 7 Pages: 78-84
Publisher: Tikrit University جامعة تكريت

Loading...
Loading...
Abstract

porous Silicon (PS) Layers were prepared by photochemical etching using Sun Light as a Source of energy for the first time instead of industrial Sources of light Such as Lasers, Halogen and tungsten lamps. That was used to preparation (PS) by photochemical etching. Silicon Wafers n-type (100), resistivity (10Ω.cm), (40%) HF Acid, with different illumination intensities(power density) (1758, 3956, 6182 and 8902)mw /cm2 were obtained using different Lenses with different diameters (40, 60, 75 and 90) mm, focal length (13,18,41,45) cm respectively and constant etching time (60min). The morphology of the surface was studied by using an (atomic force microscope) (AFM) and (scanning electron microscope) (SEM) results shows formation of groups of pores and crystals in (nm)size with different diminution are distributed in etched area in wavy forms. The thickness of porous layers ranged from (50.06 3.68, 3.79 and 3.39) nm and the diameter of the particles are(84.06, 59.42, 51.12 and 34.8)nm respectively. The current voltage characteristics for ALthin/n-si/PS/ALthin device fabricated by sun light photochemical etching technique showed a rectifying behavior which improved with increasing light intensity.

تم تحضير طبقات من السليكون المسامي بطريقة التنميش الكيميائي الضوئي. استخدمنا ضوء الشمس وللمرة الاولى كمصدر للطاقة الضوئية بدلاً عن مصادر الطاقة الصناعية كالليزر والهالوجين ومصابيح التنكستن التي كانت تستخدم لتحضير طبقات السليكون المسامي. السليكون المستخدم من نوع n-type(100) وبمقاومة (10Ω.cm) وحامض بتركيز (40%HF). تم الحصول على شدات اضاءة مختلفة mw/cm2(1758,3956,6182,8902 ) باستخدام عدسات لامة بأقطار مختلفة mm(40,60,75,90) وذات ابعاد بؤرية 13,18,41,45)cm)على التوالي ,وزمن تنميش ثابت (60min) .تم استخدام مجهر القوة الذرية (AFM) والمجهر الضوءي الماسح (SEM) لدراسة طبيعة سطح طبقات السليكون المسامي وبينت نتائج السطح تشكيل طبقات سليكون مسامي كمجاميع من المسامات والبلورات النانوية وبمختلف الاقطار وبأشكال تموجيه متوزعة على السطح المسامي وذلك بازدياد شدة الإضاءة. سمك الطبقة المسامية بمدى من50.06,3.06,3.79and3.39)nm)وبمعدل قطر للجسيمات nm(84.37,59.42,51.12,34.8)على التوالي.خصائص تيار – فولطية على النبائط (ALthin/n-Si/PS/ALthin) المصنعة من السليكون المسامي المحضر بطريقة التنميش الكيميائي الضوئي باستخدام ضوء الشمس اظهرت خصائص تقويمية تزداد مع زيادة شدة الاضاءة.


Article
Annealing effect on the structural and Morphological properties of Organic Semiconductor Alq3:C60 blend Thin Films

Authors: Lamiaa Kh. Abbas --- Husham N. Noori --- Ameer F. Abdulameer
Journal: Iraqi Journal of Science المجلة العراقية للعلوم ISSN: 00672904/23121637 Year: 2018 Volume: 59 Issue: 3A Pages: 1253-1264
Publisher: Baghdad University جامعة بغداد

Loading...
Loading...
Abstract

In this work, has been a studied the effect of thermal treatment using different annealing temperatures (373, 423 and 473) K in vacuum on structural and morphological properties of organic semiconductor Alq3:C60 thin films which are prepared by the spin coating on a glass, silicon and porous silicon. These films have been coated on substrates with speed of 2000 rpm. The structure properties of Tris(8-hydroxyquinoline) aluminum (III) (Alq3) and fullerene (C60) (100:1) and (100:10) blend as-deposited and treated have been studied by X-ray diffraction (XRD) for glass only and morphological properties by Atomic Force Microscope (AFM) for silicon and porous silicon substrates. The results of XRD pattern shows that the structure of (Alq3:C60) as-deposited and annealed thin films are polycrystalline in nature for both mixed weight ratio. The result of AFM measurements show that grain size increase is due to the increases of surface energy at high temperature. Surface roughness increasing and decreased randomly with the temperature can be attributed to the random distributions of the grains and also due to the phase change.


Article
Effect of wafer resistivity and light intensity on the topography of porous silicon surfaces produced by photo chemical method
تأثير مقاومية الشريحة وشدة الاضاءة على طبوغرافية سطوح شرائح السليكون المسامي المنتجة بالطريقة الكيميائية الضوئية

Loading...
Loading...
Abstract

This study includes the effect of wafer resistivity and intensity of light on topography of porous silicon surfaces which produced by photo chemical etching method, the results showed that changing of the resistivity led to change the porosity, where it found the porous silicon layer be less of high value resistivity. Once all the wafers have same resistivity's value that’s found the light intensity effect on porosity, the less value of porosity produced by the less value of intensity light focused.The production of Nano crystalline silicon structures and control of their production conditions is the first step to control the properties of the devices (detectors, diodes, solar cells, sensors) and their appropriate applications. Ultimately, this is important in promoting research and development of renewable energy.

شملت هذه الدراسة تأثير مقاومية الشريحة وشدة الاضاءة على طبوغرافية سطوح السليكون المسامي المنتجة بطريقة التنميش الكيميائي الضوئي، وقد اظهرت النتائج ان تغيير المقاومية ادى الى تغيير في المسامية ، حيث وجد ان اقل سمك للطبقة المسامية كان عند اعلى قيمة للمقاومية.عندما تكون قيمة المقاومية نفسها لجميع الشرائح وجد ان شدة الاضاءة تؤثر على المسامية ، فاقل قيمة للمسامية تنتج عند اقل قيمة للشدة الضوئية المسلطة.ان انتاج تراكيب السليكون النانوي والتحكم في ظروف انتاجها تعتبر الخطوة الاولى للتحكم في خواص النبائط (كواشف، مفارق (Diods)، خلايا شمسية ، متحسسات) وتطبيقاتها المناسبة وفي النهاية كل هذا مهم في تعزيز عمليات البحث والتطوير للطاقة المتجددة.

Listing 1 - 7 of 7
Sort by
Narrow your search

Resource type

article (7)


Language

English (7)


Year
From To Submit

2018 (7)