research centers


Search results: Found 1

Listing 1 - 1 of 1
Sort by

Article
Responsivity of porous silicon for blue visible light with high sensitivity
التحسسية العالية لاستجابة السليكون المسامي للضوء الازرق المرئي

Authors: Massar A. Kaood مسار عبد كعود --- Iftikhar M. Ali افتخار محمود علي
Journal: Iraqi Journal of Physics المجلة العراقية للفيزياء ISSN: 20704003 Year: 2018 Volume: 16 Issue: 37 Pages: 98-107
Publisher: Baghdad University جامعة بغداد

Loading...
Loading...
Abstract

In this work, porous silicon (PS) are fabricated using electrochemical etching (ECE) process for p-type crystalline silicon (c-Si) wafers of (100) orientation. The structural, morphological and electrical properties of PS synthesized at etching current density of (10, 20, 30) mA/cm2 at constant etching time 10 min are studied. From X-ray diffraction (XRD) measurement, the value of FWHM is in general decreases with increasing current density for p-type porous silicon (p-PS). Atomic force microscope (AFM) showed that for p-PS the average pore diameter decreases at 20 mA. Porous silicon which formed on silicon will be a junction so I-V characteristics have been studied in the dark to calculate ideality factor (n), and saturation current (Is) for these junctions. These junctions are used in photo sensors applications, where the photo sensors have been examined at blue light region. Sensitivity, rise and fall times have been calculated for this wavelength, the maximum value for sensitivity is (3797.6 %) at etching current density 10 mA/cm2 under blue light illumination at zero bias voltage.

في هذا البحث تم تصنيع كواشف السيليكون المسامي على القواعد السيليكونية من النوع p ذوات الاتجاهية (100) باستخدام عملية التنميش الكهروكيميائية (ECE) باختلاف كثافة التيار وثبوت زمن التنميش. درست الخصائص التركيبية والكهربائية لمدى من كثافة التيار (10 ،20، 40) mA/cm2 وزمن التنميش .(10min) تم تأكيد التركيب النانوي لطبقة السيليكون المسامي من خلال قياسات حيود الاشعة السينية XRD حيث اظهرت النتائج ان قيمة FWHM بشكل عام تقل بزياده كثافة تيار التنميش. اظهرت دراسة طبقه السيليكون المسامي للنوع P بواسطه مجهر القوه الذريه ان حجم المسام يقل عند كثافه التيار .20 mA/cm2 درست قياسات التيار- الفولتيه لطبقة السيليكون المسامي للنوع (p) في حالة الظلام لحساب عامل المثالية (n) وتيار الاشباع (Is) لهذه المفارق. وتستخدم هذه المفارق في تطبيقات اجهزة الاستشعار الضوئية، حيث تم فحص اجهزة الاستشعار الضوئية في460 nm الضوء الازرق. وقد تم حساب التحسسية، وكذلك صعود ونزول الزمن لهذا الطول الموجي واعلى تحسسية تكون (3797.6 %) عند كثافة التيار 10 mA/cm2 للمنطقة الزرقاء من الطيف بدون تسليط اي جهد انحياز.

Listing 1 - 1 of 1
Sort by
Narrow your search

Resource type

article (1)


Language

English (1)


Year
From To Submit

2018 (1)