research centers


Search results: Found 2

Listing 1 - 2 of 2
Sort by

Article
Improvement the efficiency of SnO2/n-Si detector by engraving method using a CNC machine
تحسين كفاءة كاشف SnO2/n-Si بأسلوب الحفر باستعمال ماكينة CNC

Author: Wlla M. Mohammed ولاء محفوظ محمد
Journal: Iraqi Journal of Physics المجلة العراقية للفيزياء ISSN: 20704003 Year: 2019 Volume: 17 Issue: 41 Pages: 51-57
Publisher: Baghdad University جامعة بغداد

Loading...
Loading...
Abstract

Tin oxide was deposited by using vacuum thermal method on silicon wafer engraved by Computer Numerical Controlled (CNC) Machine. The inscription was engraved by diamond-made brine. Deep 0.05 mm in the form of concentric squares. Electrical results in the dark were shown high value of forward current and the high value of the detection factor from 6.42 before engraving to 10.41 after engraving. (I-V) characters in illumination with powers (50, 100, 150, 200, 250) mW/cm2 show Improved properties of the detector, Especially at power (150, 200, 250) mW/cm2. Response improved in rise time from 2.4 µs to 0.72 µs and time of inactivity improved 515.2 µs to 44.2 µs. Sensitivity angle increased at zone from 40o to 65o.

تم في هذا البحث ترسيب أوكسيد القصدير على قواعد من السليكون المحفور بواسطة ماكينة مسيطر عليها رقمياً بالحاسبة الالكترونية CNC. تمت عملية الحفر بعمق 0.05 mm على شكل مربعات بواسطة برينة من الألماس. الخواص الكهربائية في الظلام بينت زيادة في قيمة التيار الامامي بالنسبة للتيار العكسي مع ارتفاع في قيمة عامل الكشفية من 6.42 قبل الحفر الى 10.4. اما الخواص الكهربائية عند الاضائة بقدرات (50, 100, 150, 200, 250) mW/cm2 فبينت زيادة في قيمة الكشفية وخصوصاً عند القدرات(150, 200, 250) mW/cm2. زمن الاستجابة لنهوض الإشارة تحسن من 2.4 µs الى 0.72 µs وتحسن زمن الخمود من 515.2 µs الى 44.2 µs. اما بالنسبة الى زاوية التحسس للكاشف فبينت النتائج الى زيادة ملحوظة في المنطقة المحصورة بين 40o الى65o .


Article
Gas Sensing of (SnO2)1-x(ZnO)x composite films associating with structural and electrical properties
التحسس الغازي لأغشية مركب (SnO2)1-x(ZnO)x مع الخصائص التركيبية والكهربائية

Loading...
Loading...
Abstract

Semiconductor-based gas sensors were prepared, using n-type tin oxide (SnO2) and tin oxide: zinc oxide composite [(SnO2)1-x(ZnO)x] at different atomic ratios (x) using pulsed laser deposition at room temperature, without any treatment. The prepared thin films were examined in order to obtain the optimum conditions for gas sensing applications, using X-ray diffraction, Hall effect measurements, and direct current conductivity. It was found that the optimum crystallinity and maximum electron density, corresponding to the minimum charge carrier mobility, appeared at 10% ZnO ratio. This sample has the optimum gas sensitivity was 358 % against 10% NO2 gas appeared at 473 K working temperature.

تم تحضير المتحسس الغازي المعتمد على شبه الموصل، باستخدام أوكسيد القصدير((SnO2 من النوع n و مزيج أوكسيد القصدير: أوكسيد الزنك (SnO2)1-x(ZnO)x عند نسب ذريةx مختلف باستخدام الترسيب بالليزر النبضي في درجة حرارة الغرفة، بدون اي معالجة. فحصت الأغشية الرقيقة المحضرة للوصول الى الظروف المثلى لتطبيقات المتحسس الغازي، باستخدام حيود الأشعة السينية، وقياسات تأثير هول، وتوصيلية التيار الكهربائي المباشر. وقد وجد أن درجة التبلور المثلى وكثافة الإلكترون القصوى، المقابلة لتحركية حاملات الشحنة الدنيا، تظهر عند النسبة %10 من ZnO. وكانت أعلى حساسية لغاز لثاني أوكسيد النيتروجين هي %358 عند تركيز 10% وعند درجة حرارة تشغيل473 كلفن.

Listing 1 - 2 of 2
Sort by
Narrow your search

Resource type

article (2)


Language

English (2)


Year
From To Submit

2019 (2)