research centers


Search results: Found 12

Listing 11 - 12 of 12 << page
of 2
>>
Sort by

Article
Influence of substrate temperature on structural and optical properties of SnO2 films
تأثير درجة حرارة الأرضية على الخواص التركيبية والبصرية لأغشية SnO2الرقيقة

Loading...
Loading...
Abstract

Tin Oxide (SnO2) films have been deposited by spray pyrolysis technique at different substrate temperatures. The effects of substrate temperature on the structural, optical and electrical properties of SnO2 films have been investigated. The XRD result shows a polycrystalline structure for SnO2 films at substrate temperature of 673K. The thickness of the deposited film was of the order of 200 nm measured by Toulansky method. The energy gap increases from 2.58eV to 3.59 eV when substrate temperature increases from 473K to 673K .Electrical conductivity is 4.8*10-7(.cm)-1 for sample deposited at 473K while it increases to 8.7*10-3 when the film is deposited at 673K

تم ترسيب اغشية (SnO2) بطريقة الرش الكيميائي عند درجات حرارة ارضية مختلفة وقد تمت دراسة تاثير تغيير تلك الدرجات الحرارية على تركيب الاغشية وخصائصها البصرية والكهربائية. أظهرت نتائج حيود الاشعة السينية ان الاغشية المحضرة عند درجة حرارة ارضية (673K) كانت ذات تركيب متعدد البلورات. كان سمك الاغشية المحضرة بحدود (200nm) وقد تم قياسها بطريقة تولانسكي(Toulansky). ازدادت فجوة الطاقة البصرية من 2.58 الى 3.59 الكترون-فولت .كما ان التوصيلية الكهربائية ازدادت من 4.8*10-7(ohm.cm)-1 الى 8.7*10-3 (ohm.cm)-1 عند زيادة درجة حرارة الارضية من 473K الى 673K.


Article
Influence of Nd and Ce doping on the structural, optical and electrical properties of V2O5 thin films
تأثير التطعيم بالنديميوم والسيريوم على الخصائص التركيبية والبصرية والكهربائية لأغشية اوكسيد الفناديوم

Loading...
Loading...
Abstract

Nano-structural of vanadium pentoxide (V2O5) thin films were deposited by chemical spray pyrolysis technique (CSPT). Nd and Ce doped vanadium oxide films were prepared, adding Neodymium chloride (NdCl3) and ceric sulfate (Ce(SO4)2)of 3% in separate solution. These precursor solutions were used to deposit un-doped V2O5 and doped with Nd and Ce films on the p-type Si (111) and glass substrate at 250°C. The structural, optical and electrical properties were investigated. The X-ray diffraction study revealed a polycrystalline nature of the orthorhombic structure with the preferred orientation of (010) with nano-grains. Atomic force microscopy (AFM) was used to characterize the morphology of the films. Un-doped V2O5 and doped with 3% concentration of Nd and Ce films have direct allowed transition band gap.The mechanisms of dc-conductivity of un-doped V2O5 and doped with Nd and Ce filmsat the range 303Kto 473K have been discussed.

اغشية اوكسيد الفناديوم الرقيقة ذات التركيب النانوي قد تم ترسيبها بتقنية الرش الكيميائي، كما تم تطعيم اغشية اوكسيد الفناديوم بالنيديميوم Ndوالسيريوم Ceبإضافة كلوريد النيديميوم وكبريتات السيريوم بنسبة 3% لكل من Nd و Ce في محلولين منفصلين. ورسبت الاغشية على ارضية من السليكون نوع N ذات التوجه بلوري (111) وارضيات من الزجاج وبدرجة حرارة اساس °C 250. تم اجراء الفحوصات التركيبية والبصرية والكهربائية حيث اظهرت نتائج فحوصات الاشعة السينية ان العينات لها تركيب متعدد التبلور ومعيني قائم وبدورانية (010) وبحجم نانوي. كما تمت معرفة خواص السطح بإجراء فحوصات مجهر القوة الذرية. تمتلك اغشية V2O5 النقية والمطعمة بالنيديميوم Ndوالسيريوم Ceفجوة طاقة مباشرة مسموحة كما نوقشت ميكانيكيه التوصيلية المباشرة للأغشية المحضرة.

Listing 11 - 12 of 12 << page
of 2
>>
Sort by
Narrow your search

Resource type

article (12)


Language

English (11)

Arabic (1)


Year
From To Submit

2019 (3)

2018 (1)

2017 (2)

2016 (3)

2012 (1)

More...