research centers


Search results: Found 14

Listing 11 - 14 of 14 << page
of 2
>>
Sort by

Article
Structural and Optical Characteristics of CdSe Thin Films Prepared by Chemical Bath Deposition Technique

Authors: J. Chandrasekaran --- S.M. Mohan --- S. Thirumalairajan --- K. Girija
Journal: Iraqi Journal of Applied Physics Letters الرسائل العراقية في الفيزياء التطبيقية ISSN: 1999656X Year: 2009 Volume: 2 Issue: 4 Pages: 21-24
Publisher: iraqi society for alternative and renewable energy sources and techniques الجمعية العراقية لمصادر وتقنيات الطاقة البديلة والمستجدة

Loading...
Loading...
Abstract

Cadmium selenide thin films were deposited on glass substrate using chemical bath technique for different bath temperatures 313K, 333K and 353K. Polycrystalline nature of the material was confirmed by X-ray diffraction technique and various structural parameters were calculated. The optical properties were revealed by UV-Visible transmittance spectra and the band gap energy was determined.


Article
Studying the Effect of Doping With Aluminum on The Optical Properties Of CdSe Thin Films
دراسة تأثير التشويب بالالمنيوم في فجوة الطاقة البصرية لأغشيةCdSe الرقيقة

Loading...
Loading...
Abstract

CdSe thin films were deposited on glass sudstrate by thermal evaporation method with thickness of (300±25%) nm with deposition rate (2±0.1) nm/s and at substrate temperature at (R.T.). XRD analysis reveals that the structure of pure thin films are Hexagonal and polycrystalline with preferential orientation (002). In this research ,we study the effect of doping with (1,2,3)% Aluminum on optical energy gap of (CdSe) thin film . The absorption was studied by using (UV - Visible 1800 spectra photometer ) within the wavelength (300-1100) nm absorption coefficient was calculated as a function of incident photon energy for identify type of electronic transitions it is found that the type of transition is direct , and we calculated the optical energy gap before and after doping we found that the energy gap decreases after doping and absorption coefficient increases

رسبت أغشية CdSeعلى قواعد من الزجاج بأستخدام تقنية التبخير الحراري في الفراغ وبسمك (300±25%)nm وبمعدل ترسيب (2±0.1)nm/S عند درجة حرارة R.T. )( . اظهر تحليل ( XRD ) أن الغشاء الرقيق النقي هو تركيب متعدد التبلور مع أتجاه سائد (pe td 002 ) . درس تأثير التشويب بالالمنيوم بنسب (3,2,1) % في فجوة الطاقة البصرية . ومن دراسة الامتصاصية باستعمال (UV-visible 1800 spectra photometer) ضمن مدى الطول الموجي (300-1100)nm . تم ايجاد معامل الامتصاص دالة للطول الموجي الساقط وحدَد نوع لانتقالات الالكترونية ووجدنها مباشرة ومن ثم حسبت فجوة الطاقة البصرية قبل التشويب وبعده ووجد ان فجوة الطاقة البصرية تقل بعد التشويب بالالمنيوم مع زيادة في معامل الامتصاص .


Article
Optoelectronic Properties of CdSe/Si Heterojunction
الخصائصالكھروبصریة للمفرق الھجین CdSe/Si

Author: Waseem Najeeb Ibrahim
Journal: Engineering and Technology Journal مجلة الهندسة والتكنولوجيا ISSN: 16816900 24120758 Year: 2012 Volume: 30 Issue: 12 Pages: 2138-2149
Publisher: University of Technology الجامعة التكنولوجية

Loading...
Loading...
Abstract

In this paper n-CdSe/p-Si heteroj unction photodetector was fabricated bythermal-evaporation technique of CdSe thin film grown onto single crystalline Sisubstrate . The energy gap of CdSe film was estimated from transmittance spectraand found to be (1.89 eV) . The temperature dependence of Seebeck coefficientwas studied . The conductivity of CdSe thin film is n-type and the value ofactivation energy is (0.59 eV). Heterojunction properties included dark andilluminated current-voltage (I-V) and capacitance-voltage (C-V) characteristics.From I-V plot, junction ideality factor for heterojunction was calculated to be1.43, and providing information about the current transport mechanism. The linearvariation of the experimental curve C-2 vs. V is indicative of the presence ofabrupt heterojunction and it used to determine the experimental value of built-injunctionpotential Vbi . From illuminated I-V plot at different intensity levels(90,180,240) mW/cm2 , the linearity behavior of CdSe/Si heterojunction wasinvestigated .

بتقنی ة التبخی ر n-CdSe/p-Si في ھ ذا البح ث ت م تص نیع كاش ف ض وئي م ن المف رق الھج یناحادي التبلور . ان قیم ة Si المنماة على قواعد من السیلیكون CdSe الحراري في الفراغ لأغشیةالمحضرة حددت من خلال دراسة طیف النفاذیة للأغشیة والتي بلغ ت CdSe فجوة الطاقة لأغشیة1.89 ) . من خلال دراسة تغیر معامل سیبك مع درجة الحرارة تبین ان نوع التوصیلیة eV) حواليوان قیمة طاق ة التنش یط لھ ذه الأغش یة ھ ي ( 0.59 n-type ھي من النوع المانح CdSe لأغشیةتضمنت خصائص المفرق الھجین دراسة خصائصتیار- جھ د ف ي ح التي الظ لام والاض اءة .(eVوخصائص سعة – جھد . بینت خصائصتیار- جھ د ان قیم ة عام ل المثالی ة للمف رق الھج ین كان ت1.43 ) ، اضافة الى توض یح الی ة نق ل التی ار عن د من اطق الفولتی ات الواطئ ة والعالی ة . ان العلاق ة )اوضحت ان المفرق الھجین غیر V وفولتیة الانحیاز العكسي C- الخطیة مابین مقلوب مربع السعة 2المتماثل من النوع الحاد وأستخدمت ھذه العلاق ة ف ي تحدی د قیم ة جھ د البن اء ال داخلي للمف رق . م نmW/cm خ لال دراس ة خص ائصتی ار- جھ د ف ي حال ة الاض اءة عن د ق درات ض وئیة مختلف ة 2یعطي خصائص خطیة جی دة لم دیات الق درة CdSe/Si 90,180,240 ) وجد ان المفرق الھجین )الضوئیة الساقطة


Article
Structural and Optical Properties of Cadimium Selenide Thin Films Prepared via Direct Current Sputtering Technique
الخواص التركيبيه والبصريه لأغشيه الكادميوم سيلينايد المحضره بالترذيذ المستمر

Loading...
Loading...
Abstract

The influence of preparation condition on the structural and optical properties of Cadmium Selenide (CdSe) thin films deposited onto glass substrates was studied. The structural investigations performed by means of X-ray diffraction (XRD) technique showed that the films have polycrystalline, hexagonal structure, Moreover, the AFM study showed that the film of uniform nano-grain size about 10nm. Transmission spectra in the spectral domain (200-1200nm), were investigated. The values of some important parameters of the studied films (absorption coefficient, optical energy band gap and refractive index) were determined from these spectra. The values of the energy gap, Eg (allowed direct transitions), calculated from the absorption spectra, ranged between 2 and 2.2eV.

درس في هذا البحث تأثير ظروف التحضير على الخواص التركيبية والبصرية لأغشية كادميوم سيلينايد المرسبة على قواعد زجاجية بطريقة الترذيذ. الخواص التركيبية لهذه الأغشية درست باستخدام فحوص حيود الأشعة السينية (XRD) والتي بينت أن هذه الأغشية لها تركيب متعدد التبلور وبالشكل السداس، وأظهرت نتائج مجهر القوة الذرية AFM أن الأغشية المحضرة ذات سطوح متجانسة وحجم حبيبي بأبعاد نانوية بحدود 10nm، قيس طيف النفاذية للمدى الطيفي (200-1200nm)ومن خلاله حسبت بعض المعلمات المهمة مثل:(معامل الأمتصاص، فجوة الطاقة البصرية ومعامل الأنكسار). وكذلك حسبت فجوة الطاقة (Eg) للانتقال المباشر المسموح من قياس طيف الامتصاص ووجدت ان قيمها تراوحت بين (2-2.2eV).

Listing 11 - 14 of 14 << page
of 2
>>
Sort by
Narrow your search

Resource type

article (14)


Language

English (9)

Arabic (2)

Arabic and English (2)


Year
From To Submit

2018 (3)

2017 (1)

2015 (3)

2014 (1)

2012 (2)

More...