research centers


Search results: Found 181

Listing 11 - 20 of 181 << page
of 19
>>
Sort by

Article
Surface Area of Porous Silicon
المساحة السطحية للسيلكون المسامي

Authors: Mayasa AbdulWahid Shanon --- Mayada.H.Mouhsen --- Bassam.G.Rasheed
Journal: Engineering and Technology Journal مجلة الهندسة والتكنولوجيا ISSN: 16816900 24120758 Year: 2010 Volume: 28 Issue: 9 Pages: 1728-1734
Publisher: University of Technology الجامعة التكنولوجية

Loading...
Loading...
Abstract

The surface area of porous silicon layers produced by different methods hasbeen measured in this work. It is found that the surface area of the porous siliconis optimum when high laser power density is used to etch n –type silicon wafer viathe laser induced etching process compared with that for porous silicon producedby lower laser power density or by electrochemical etching process. A scanningelectron microscope (SEM) micrographs were used to estimate the surface area.The surface area of the porous layer is strongly dependent on the porous layergeometry and its depth.

تم قياس المساحة السطحية للسيلكون المسامي المنتج بطريقتين مختلفتين, حيث وجد بأنالمساحة السطحية لطبقة السيلكون المسامي المنتج بعملية القشط المحتث بالليزر وقدرة ليزريةعالية تكون اكبر مما هي عليه من استخدام كثافة قدرة ليزرية واطئة أو عند أنتاج السيلكونلطبقة (SEM) المسامي بعملية القشط الكهروكيمياوية . تم اعتماد صور لجهاز المسح الالكترونيالسطح الطبقة المسامي وذلك لقياس المساحة السطحية . وقد وجد أن المساحة السطحية للسيلكونالمسامي تعتمد على الشكل الهندسي وسمك هذه الطبقة .


Article
The Effect Of Thermal Oxidation Time On The Structure And Influence On Optical Properties For Porous Silicon Prepared By Photo Electrochemical Etching
تاثير زمن الاكسدة الحرارية على الخصائص التركيبية وتاثيرها على الخصائص البصرية للسيلكيون المسامي المحضر بطريقة الكهروكيميائية

Authors: Narges Z.Abd alzahra --- Alwan M.Alwan
Journal: Engineering and Technology Journal مجلة الهندسة والتكنولوجيا ISSN: 16816900 24120758 Year: 2009 Volume: 27 Issue: 4 Pages: 727-735
Publisher: University of Technology الجامعة التكنولوجية

Loading...
Loading...
Abstract

The morphological properties of the freshly and oxidized porous silicon atoxidation time (60, 90) sec were studied. A blue emission from PSi can be seen witheyes after thermal oxidation because the increasing of energy gab due to decreasedsilicon column (nano particles).Pore size and shape of n-type wafers are estimate andcorrelated with optical properties before and after rapid thermal oxidation (RTO).

في هذا البحث تم دراسة تأثير الأكسدة الحرارية السريعة على السليكون المسامي المحضر بطريقة القشط الكهروضوئيكيميائي على طبوغرافية السليكون المسامي . وقد تم من خلال صور الماسح الالكتروني حساب قطر وتوزيع المسامات وحسابحجم العمود الفاصل بين المسامات قبل وبعد عملية الأكسدة الحرارية كما تم قياس الخصائص البصرية والكهربائية قبل وبعدالمعالجة الحرارية


Article
The Effect of Laser Wavelength on Porous Silicon Formation Mechanisms
تأثير الطولِ الموجي لليزرِ على آليات التكوينِ للسليكونِ المسامي

Author: Narges Zamil Abdulzahra نرجس زامل عبد الزهره
Journal: AL-NAHRAIN JOURNAL FOR ENGINEERING SCIENCES مجلة النهرين للعلوم الهندسية ISSN: 25219154 / eISSN 25219162 Year: 2011 Volume: 14 Issue: 1 Pages: 97-101
Publisher: Al-Nahrain University جامعة النهرين

Loading...
Loading...
Abstract

In this work, the effects of coherent radiation (Laser) with different wavelength and photon energy during the electrochemical etching process on the structural characteristics PS samples were investigated. The porosity values were measured by depending on the microstructure analyses and gravimetric measurements. Surface morphology, layer thickness, pore diameter, pore shape, wall thickness and etching rate were studied by depending on Scanning electron-microscopic (SEM) images

في هذا البحث تم دراسة تأثير الإشعاع المتشاكه (الليزر) بأطوال موجية وطاقة فوتونية مختلفة خلال عملية القشط الكهروكيميائي على الخصائص التركيبية للسليكون المسامي. ان قيم المسامية تم قياسها بالاعتماد على التحاليل التركيبية الدقيقة وبالطريقة الوزنية. طبوغرافية السطح، سمك الطبقة، قطر الفجوة، شكل الفجوة، وسمك طبقة الجدار بين الفجوات وكذلك معدل القشط تم قياسها بالاعتماد على تحليل صور المجهر الالكتروني الماسح


Article
Study of Some Structural Properties of Porous Silicon Preparing by Photochemical Etching
دراسة بعض الخصائص التركيبية للسليكون المسامي و المحضر بأستخدام طريقة التنميش الكيميائي –الضوئي

Authors: Ghaida.S.M غيداء سلمان --- N.A.A.AL-Temeeme نذيرة عباس التميمي
Journal: Iraqi Journal of Physics المجلة العراقية للفيزياء ISSN: 20704003 Year: 2009 Volume: 7 Issue: 8 Pages: 49-52
Publisher: Baghdad University جامعة بغداد

Loading...
Loading...
Abstract

Porous Silicon (PSi) has been produced in this work by using Photochemical (PC) etching process by using a hydrofluoric acid (HF) solution. The irradiation has been achieved using quartz- tungsten halogen lamp. The influence of various irradiation times on the properties of PSi اmaterial such as layer thickness, etching rate and porosity was investigated in this work too.The XRD has been studied to determine the crystal structure and the crystalline size of PSi material

في هذا البحث، تم تحضير السيلكون المسامي بأستخدام طريقة التنميش الكيميائي –الضوئي وباستخدام حامض (HF). لقد تم استخدام المصدرالضوئي(كوارتز-تنكستن هالوجين) . وكذلك تم في هذا البحث دراسة تأثير زمن التشعيع على بعض خصائص السيلكون المسامي مثل سمك طبقة السيلكون المسامي ,معدل التنميش والمسامية . وكذلك تم دراسة حيود الأشعة السينية لمعرفة البناء البلوري لكل من السليكون والسليكون المسامي.


Article
NUMERICAL ANALYSIS OF UNSTEADY NATURAL CONVECTION IN SQUARE CAVITY FILLED WITH A POROUS MEDIA
التحليل العددي لانتقال الحرارة بالحمل الطبيعي غير المستقر

Author: Khaled Abdul Hussein Al-Farhany
Journal: Iraqi journal of mechanical and material engineering المجلة العراقية للهندسة الميكانيكية وهندسة المواد ISSN: 20761819 Year: 2008 Volume: 8 Issue: 1 Pages: 14-24
Publisher: Babylon University جامعة بابل

Loading...
Loading...
Abstract

Numerical Analysis of Unsteady Natural convection in square cavity filled with a porous media studied in this paper. The left vertical wall preserves the constant high temperature Th , and the right wall preserves the constant low temperature Tc and both the horizontal walls are insulated . The alternating –direction implicit method ( A.D.I ) is used to solve the non-dimensional governing equations, and finite differences method devoted to Nussele numbers and the horizontal and vertical velocity flow . The results are obtained for the initial transient start up to the steady state, and for Rayleigh number( ). It is observed that the results for average Nusselt number showing an undershoot during the transient period and that the time required to reach the steady state is longer for low Rayleigh number and shorter for high Rayleigh number.ٌِ

تم دراسة التحليل العددي لانتقال الحرارة بالحمل الطبيعي غير المستقر في تجويف مربع مملوء بوسط مسامي في هذا البحث . الجدار العمودي الأيسر يحتفظ بدرجة حرارة عالية ثابتة Th والجدار العمودي الأيمن يحتفظ بدرجة حرارة منخفضة ثابتة Tc وكل من الجدارين الأفقيين معزولين عزلا تاما . استخدمت طريقة الاتجاه الضمني المتناوب ( A.D.I ) لحل المعادلات الحاكمة ، واستخدم طريقة الفروق المحددة لحساب عدد نسلت والسرعة الأفقية والعمودية للجريان . ان النتائج المكتسبة للانتقال الحراري من الحالة الابتدائية إلى حالة الاستقرار ولعدد رالي ( ) . وقد لوحظ إن معدل عدد نسلت يبين من خلال الفترة العابرة والذي يتطلب وقت للوصول الى حالة الاستقرار أطول عند قيمة عدد رالي قليلة وأقصر عندما تكون قيمة عدد رالي كبيرة .


Article
The effect of the etching time on the electrical properties of nano structure silicon
تأثير زمن الحفر على الخواص الكهربائية للبناء النانوي للسيليكون

Loading...
Loading...
Abstract

This work presents the study of the dark current density and the capacitance for porous silicon prepared by photo-electrochemical etching for n-type silicon with laser power density of 10mw/cm2 and wavelength (650nm) under different anodization time (30,40,50,60) minute. The results obtained from this study shows different chara that different characteristic of porous diffecteristics for the different porous Silicon layers.

تمت دراسة كثافة التيار الكهربائي في غياب الاستضاءة والسعة الكهربائية لنماذج من السليكون المسامي المحضر بواسطة الحفر الضوئي الكهربائي الكيميائي للسليكون نوع n-type باستخدام كثافة قدرة ليزرية cm2 /mW10 وبطول موجي 650 نانوميتروبأزمان أنودة مختلفة (30,40,50,60) دقيقة والتي ستعطينا مميزات مختلفة لطبقات مسامية مختلفة.


Article
Structural and electrical properties of CdO/porous Si heterojunction
دراسة الخصائص الكهربائية للمفرق الهجيني CdO/porous Si/c-Si المصنع بطريقة التنميش الكيميائي

Loading...
Loading...
Abstract

The electrical properties of CdO/porous Si/c-Si heterojunction prepared by deposition of CdO layer on porous silicon synthesized by electrochemical etching were studied. The structural, optical, and electrical properties of CdO (50:50) thin film prepared by rapid thermal oxidation were examined. X-ray diffraction (XRD) results confirmed formation of nanostructured silicon layer the full width half maximum (FWHM) was increased after etching. The dark J-V characteristics of the heterojunction showed strong dependence on etching current density and etching time. The ideality factor and saturation current of the heterojunction were calculated from J-V under forward bias. C-V measurements confirmed that the prepared heterojunctions are abrupt type .The value of built-in-potential as function of etching current density was estimated.

تم دراسة الخصائص الكهربائية للمفرق الهجيني من خلال ترسيب غشاء رقيق من اوكسيد الكادميوم على السليكون المسامي المحضر بطريقة التنميش الكهروكيميائي. تم دراسة الخصائص التركيبية والبصرية والكهربائية لغشاء اوكسيد الكادميوم المحضر بطريقة الاكسدة الحرارية السريعة.لقد اثبتت نتائج حيود الاشعة السينية ان السليكون المعالج كهروكيميائيا هو من النوع النانوي.اوضحت النتائج العملية ان خصائص تيار-جهد في حالة الظلام اعتمدت بشكل كبير على كثافة تيار وزمن التنميش الكهروكيميائي.مقدار عامل المثالية وتيار الاشباع كدالة لكثافة تيار التنميش تم حسابها من خصائص تيار–جهد في حالة الانحياز الامامي. لقد اوضحت خصائص سعة – جهد ان المفارق الهجينة هي من النوع الحاد وتم حساب جهد البناء الداخلي كدالة لظروف التحضير.


Article
NATURAL CONVECTION IN A PARTIALLY OPENED BOX FILLEDWITH A POROUS MEDIUM
انتقال الحرارة بالحمل الحر في تجويف مفتوح جزئيا مملوء بوسط مسامي

Loading...
Loading...
Abstract

This research studies the heat transfer in porous medium experimentally. Experimental investigation is carried out of free convection heat transfer for three dimensional in a box. The box filled with saturated porous medium, manufactured from glass with dimensions (30 × 30 × 30) cm. The porous media of plastic balls is used with homogeneous in diameter (11.7 mm). The lower wall of the box is heated by an electrical heater, while the other walls are thermally isolated. The effect of a porous medium on free convection heat transfer is studied for five values of heat fluxes (348, 576, 839, 1147, and 1384W/m2).Rayleigh number is ranging between () and for average Nusselt number between (). The results showed that the temperature inside the space increases as Rayleigh number increases. Also, the average Nusselt number increases with increase of Rayleigh number for the first three values of heat flux, but it decreases after heat flux because of domination of the conduction heat transfer on convection heat transfer. Also an empirical correlations were obtained in this study.

يدرس هذا البحث انتقال الحرارة في الاوساط المسامية عمليا. العمل التجريبي تم لانتقال الحرارة بالحمل الحر لصندوق30 سم) . وان الحشوة المسامية المستخدمة تتكون *30* مكعب مملوء بوسط مسامي مشبع بالهواء مصنوع من الزجاج بابعاد ( 30من كرات بلاستيكية متجانسة القطر بمقدار ( 11.7 ملم) حيث يكون الجدار الاسفل من الصندوق مسخن عن طريق مسخنكهربائي، بينما الجدران الاخرى معزولة حراريا ، تم دراسة تأثير الوسط المسامي على انتقال الحرارة بالحمل الحر لخمسة قيم مختارة للفيض الحراري وهي ( 348,576,839,1147,1384 واط/متر مربع) لمدى رقم رايلي ( 1537.64 الى 5260.62ولمدى رقم نسلت ( 52.44 الى 61.24 ) وقد اظهرت النتائج العملية ان درجة الحرارة داخل الحيز تزداد بزيادة رقم رايلي . كمابينت ايضا ان معدل رقم نسلت يزداد مع زيادة رقم رايلي في القيم الثلاثة الاولى للفيض الحراري ، لكنه يتناقص بعد القيمةالرابعة للفيض الحراري وذلك بسبب سيطرة التوصيل الحراري على انتقال الحرارة بالحمل. وكذلك فقد تم في هذا البحث استنتاجعلاقات ارتباطية (تجريبية)


Article
Preparation and Characterization of PSi/Si Electrochemically Formed as Photodetectors

Author: Doaa S. Jbaier
Journal: Al-Nahrain Journal of Science مجلة النهرين للعلوم ISSN: (print)26635453,(online)26635461 Year: 2016 Volume: 19 Issue: 4 Pages: 103-112
Publisher: Al-Nahrain University جامعة النهرين

Loading...
Loading...
Abstract

Porous silicon were constructed electrochemically with various form ationtimes (5, 10, 15 and 20) min with current density 20mA/cm2 on p-type silicon. The influence of formation time on the structural and morphological properties have been presented by using SEM and optical microscopy. The SEM analysis was showed that the porous silicon layer has a uniform structure and this structure varied with increasing the etching time. The optical microscope was carried out to study the thickness, the pore diameter and etching rate of porous silicon layer, we have found the porous silicon thicknessis accretion with excess the formation time and pores diameter increased also. The etching rate was found to increase from 1.25 to 1.53 μm/min. The electrical properties of PSi samples which represented by I-V characterization under dark show that when the etching time increased the current which pass through the layer of porous silicon decreased because of increasing the resistivity of PSi surface. From I-V charecteristics PSi layer show a good rectification and high responsivity for visible and near IR region.

السيليكون المسامي تم تحضيره بالطريقة الكهروكيميائيةوبأزمان تحضير ) 5 و 01 و 05 و 01 ( دقيقة وبكثافة تيار01 ملي امبير/سم 0 على السيليكون نوع P . تأثير زمنالتشعيع على الخصائص التركبيبية والطبوغ ا رفية درستباستخدام المجهر الالكتروني الماسح والمجهر الضوئي.أظهرت نتائج المجهر الالكتروني الماسح ان السيليكونالمسامي الناتج ذو شكل منتظم وطبيعة الشكل تتغير بتغيرزمن التشعيع. المجهر الضوئي تم استخدامه لد ا رسة سمكالسطح، قطر المسام بالاضافة الى معدل التاكلفي طبقةالسيليكون وجدنا أن سمك السيليكون المسامي يزداد بزيادةزمن التشعيع بالاضافة الى قطر المسام يزداد كذلك بزيادةزمن التشعيع. معدل التاكل وجد انه يزداد من 0.05 الى0.51 مايكرون/دقيقة. الخصائص الكهربائية لعيناتالسيليكون المسامي والمتمثلة بخصائص تيار جهد تحت -الظلام بينت ان عند زيادة زمن التشعيع يقل التيار المارخلال طبقة السيليكون المسامي بسبب زيادة مقاومة سطحالسيليكون المسامي. من خصائص تيار جهد لسطح –السيليكون المسامي تبين انه يظهر تقويم جيد واستجابية عاليةعند المنطقة المرئية وتحت الحم ا رء الق ريبة .


Article
Morphology and Electrical Properties Study of Nanocrystalline Silicon Surface Prepared By Electrochemical Etching
دراسة الخصائص الطبوغرافية والكهربائية لسطح السيلكون ذو التركيب النانوي المحضر بطريقة التنميش الكهروكيميائي

Author: Jamal Fadhil Mohammad جمال فاضل محمد
Journal: Iraqi Journal of Science المجلة العراقية للعلوم ISSN: 00672904/23121637 Year: 2016 Volume: 57 Issue: 3A Pages: 1707-1714
Publisher: Baghdad University جامعة بغداد

Loading...
Loading...
Abstract

In this work, nanostructure porous silicon surface was prepared using electrochemical etching method under different current densities. I have studied the surface morphology and photoluminescence (PL) of three samples prepared at current densities 20, 30 and 40 mA/cm2 at fixed etching time 10 min. The atomic force microscopy (AFM) images of porous silicon showed that the nanocrystalline silicon pillars and voids over the entire surface has irregular and randomly distributed. Photoluminescence study showed that the emission peaks centered at approximately (600 – 612nm) corresponding energies (2.06 – 2.02eV).While current-voltage characteristics shows, as the current density increase the current flow in the forward bias is decreasing, while the rectification ratio and ideality factor varied from one sample to another. Finally, as etching current density increases the built in potential (Vbi) decreases (Vbi= 0.95, 0.75 and 0.55 volt corresponding 20, 30 and 40 mA/cm2) respectively.

تم في هذا البحث تحضير سطح السيلكون ذو التراكيب النانوية بطريقة التنميش الكهروكيميائي ولكثافة تيار مختلفة. وكذلك تم دراسة طبوغرافية سطح السيلكون والاضائية (اللمعان) للعينات المحضرة بكثافة تيار 20، 30 ، 40 ملي امبير/ سم2وعند زمن تنميش ثابت مقداره 10 ثانية.أوضحت صور مجهر القوة الذرية بان سطح السليكون ذو تراكيب نانوية بهيئة اعمدة وفجوات موزعة بصورة عشوائية غير منتظمة على سطح السيلكون. دراسة الاضائية أوضحت بان قمم الانبعاث متمركزة تقريبا بين مدى الاطوال الموجية(600-612 نانومتر) والتي تقابل الطاقات (2.02-2.06 الكترون فولط). بينما اوضحت دراسة خصائص تيار-جهد، عند زيادة كثافة التيار يتناقص التيار الامامي مع تغير لكل من نسبة التقويم و عامل المثالية من عينة الى اخرى. واخيرا، عند زيادة كثافة تيار (20، 30 ، 40 ملي امبير/ سم2 ) فان جهد البناء الداخلي يتناقص (0.55, 0.75, 0.95 فولط) على الترتيب.

Listing 11 - 20 of 181 << page
of 19
>>
Sort by
Narrow your search

Resource type

article (181)


Language

English (164)

Arabic (11)

Arabic and English (5)


Year
From To Submit

2019 (8)

2018 (18)

2017 (24)

2016 (12)

2015 (13)

More...