research centers


Search results: Found 42

Listing 11 - 20 of 42 << page
of 5
>>
Sort by

Article
The Role of Annealing Temperature on the Optical Properties of Thermally Deposited CdTe Films
دور درجة حرارة التلدين على الخصائص البصرية لاغشيةCdTe المرسبة حراريا

Loading...
Loading...
Abstract

A polycrystalline CdTe film has been prepared by thermal evaporation technique on glass substrate at substrate temperature 423 K with 1.0 m thicknesses. The film was heated at various annealing temperature under vacuum (Ta =473, 523 and K). Some of physical properties of prepared films such as structural and optical properties were investigated. The patterns of X-ray diffraction analysis showed that the structure of CdTe powder and all films were polycrystalline and consist of a mixture of cubic and hexagonal phases and preferred orientation at (111) direction. The optical measurements showed that un annealed and annealed CdTe films had direct energy gap (Eg). The Eg increased with increasing Ta. The refractive index and the real part of dielectric constant for films were observed to decrease with increasing Ta, while the extinction and the imaginary part of dielectric were increased. Our result is good candidate for manufacturing optoelectronic device such as solar cells.

حضرت أغشية CdTe متعددة التبلور بتقنية التفريغ الحراري على قواعد زجاجية بدرجة حرارة اساس 423كلفن وبسمك واحد مايكروميتر.لدنت الاغشية بدرجات حرارة تلدين مختلفة وتحت الفراغ ((Ta =473, 523 & 573 كلفن. درست بعض الخصائص الفيزيائية لاغشية CdTe المحضرة كالخصائص التركيبية والبصرية .أظهرت نتائج حيود الاشعة السينية بان تركيب المسحوق والاغشية المحضرة ذات تركيب متعدد التبلور متضمنا خليطا من الاطوار السداسية والمكعبة باتجاه ( 111). بينت الخصائص البصرية امتلاك الاغشية الغير ملدنة والملدنة فجوة طاقة مباشرة.تزداد فجوة الطاقة بزيادة درجة حرارة التلدين.لوحظ بان معامل الانكسار وثابت العزل الحقيقي يقل بزيادة درجة حرارة التلدين بينما يزداد معامل الخمود والجزء الخيالي لثابت العزل. أظهرت النتائح ملائمة هذه الاغشية لصناعة النبائط الالكتروبصرية كالخلايا الشمسية.


Article
Temperature Dependency of Hall Coefficients in Cadmium Oxide Thin Films Prepared by Thermal Evaporation Technique

Authors: H.M. Mikhlif --- A.M. Raouf --- A.D. Nusaif
Journal: Iraqi Journal of Applied Physics المجلة العراقية للفيزياء التطبيقية ISSN: 18132065 23091673 Year: 2009 Volume: 5 Issue: 4 Pages: 27-30
Publisher: iraqi society for alternative and renewable energy sources and techniques الجمعية العراقية لمصادر وتقنيات الطاقة البديلة والمستجدة

Loading...
Loading...
Abstract

In this work, the temperature dependencies of Hall coefficients in cadmium oxide thin films prepared by thermal evaporation technique. These coefficients included temperature-dependent Hall coefficient, logarithmic Hall coefficient and Hall mobility. Results showed that the extrinsic conduction prevails in studied samples and impurity atoms introduce energy levels within the energy gap and act as donors. The activation energy of the impurities generally ranged between 0.020eV and 0.070eV. An increase of carrier mobility with temperature was observed then it decreased in higher temperature due to lattice scattering of charge carriers. The values of optical bandgap ranged between 2.90eV and 3.30eV, which is in a good agreement with the those obtained for bulk CdO:Sn samples.


Article
Thermoelectric power for thermally deposited cadmium telluride films
القدرة الكهروحرارية لاغشية CdTe المرسبة حراريا

Loading...
Loading...
Abstract

Thermal evaporation method has used for depositing CdTe films on corning glass slides under vacuum of about 10-5mbar. The thicknesses of the prepared films are400 and 1000 nm. The prepared films annealed at 573 K. The structural of CdTe powder and prepared films investigated. The hopping and thermal energies of as deposited and annealed CdTe films studied as a function of thickness. A polycrystalline structure observed for CdTe powder and prepared films. All prepared films are p-type semiconductor. The hopping energy decreased as thickness increased, while thermal energy increased.

تم استخدام تقنية التبخير الحراري لترسيب اغشية CdTeعلى ارضية زجاجية تحت الفراغ وبضغط 10-5 ملي بار. كانت سمك الاغشية المحضرة 400 و1000 نانومتر. لدنت الاغشية المحضرة بدرجة حرارة573 كلفن. تم دراسة التركيب لمسحوق واغشيتهCdTe . درست الطاقات الحرارية والتنطط للاغشية الغير ملدنة والملدنة كدالة للسمك. لوحظ ان تركيب مسحوق CdTe والاغشية المحضرة هو متعدد التبلور. جميع النماذج المحضرة من النوع الموجب. طاقة التنطط تقل مع زيادة السمك بينما تزداد الطاقة الحرارية.


Article
Impact of thickness and heat treatment on some physical properties of thin Cu2SnS3 films
تأثير السمك والمعاملة الحرارية على بعض الخصائص الفيزيائية لاغشية Cu2SnS3 الرقيقة

Authors: Iqbal S. Naji اقبال سهام ناجي --- Hoolya Abdulrasool هوليا عبدالرسول لفته
Journal: Iraqi Journal of Physics المجلة العراقية للفيزياء ISSN: 20704003 Year: 2016 Volume: 14 Issue: 30 Pages: 120-128
Publisher: Baghdad University جامعة بغداد

Loading...
Loading...
Abstract

Copper tin sulfide (Cu2SnS3) thin films have been grown on glass substrate with different thicknesses (500,750 and 1000) nm by flash thermal evaporation method after prepare its alloy from their elements with high purity.The as-deposited films were annealed at 473 K for 1h. Compositional analysis was done using Energy dispersive spectroscopy (EDS). The microstructure of CTS powder examined by SEM and found that the large crystal grains are shown clearly in images. XRD investigation revealed that the alloy was polycrystalline nature and has cubic structure with preferred orientation along (111) plane, while as deposited films of different thickness have amorphous structure and converted to polycrystalline with annealing temperature for high thickness. AFM measurements showed that the grain size of the films was increasing by annealing. The ultraviolet- visible absorption spectrummeasurement indicated that the films have a direct energy band gap. Eg decrease with thickness and increase with annealing.

تم ترسيب أغشية Cu2SnS3الرقيقة على قواعد من الزجاج وبسمك مختلف (500،750،1000) نانومتر بطريقة التبخير الحراري الوميضي بعد تحضير السبيكة من عناصرها وبنقاوة عالية. تم معاملة الاغشية المرسبة حراريا عند 473 كلفن لمدة ساعة واحدة. تم تحليل المكونات بأستخدام مجهر تفريق الطاقة ((EDS وتم اختبار التركيب الدقيق لمسحوق CTS بأستخدام المجهر الالكتروني الماسح (SEM) وأوضحت الصور وجود حبيبات بلورية كبيرة. اظهرت قياسات حيود الاشعة السينية (XRD) ان السبيكة كانت ذات تركيب متعدد التبلور ولها تركيب مكعب باتجاه مفضل (111) بينما الاغشية المرسبة ولسمك مختلف تمتلك تركيب عشوائي ويتحول الى متعدد التبلور عند تلدينها بدرجة 473 كلفن للسمك العالي. بينت قياسات مجهر القوة الذرية(AFM) ان الحجم الحبيبي للاغشية يزداد بالتلدين. تشير قياسات طيف ألامتصاص للاشعة فوق البنفسجية - مرئية الى أن الاغشية تمتلك فجوة طاقة مباشرة وان Eg تقل بأزدياد السمك وتزداد بالتلدين.

Keywords

Cu2SnS3 --- flash thermal evaporation --- X-ray --- AFM --- SEM.


Article
Synthesis and study the optical properties of 〖Ge〗_20 〖Bi〗_x 〖Se〗_(80-x) thin films
تحضير ودراسة الخواص البصرية لأغشية Ge20BixSe80-x

Authors: Jassim Mohammed Salih AlFahdawi جاسم محمد صالح --- Waleed Bdaiwi وليـد بديـوي صالح
Journal: Iraqi Journal of Physics المجلة العراقية للفيزياء ISSN: 20704003 Year: 2016 Volume: 14 Issue: 30 Pages: 180-186
Publisher: Baghdad University جامعة بغداد

Loading...
Loading...
Abstract

The optical propertiesof Ge_20 Bi_x Se_(80-x) thin filmatx=0,0.2 and 0.6 deposited on glass substrate with thickness of (205±50 nm ) was prepared using thermal evaporation technique. X-ray diffraction has been study and show amorphous crystalline for the films prepared with different concentration of Bismuth and annealed at temperatures 373 K and 473 K at one hour. A study of the absorption spectrum in the wavelengths (300-900) nm has been used to calculated the optical energy (Eg^opt) of the samples. The results show a decrease in the value of the optical energy with increase in Bismuth concentration in the sample, while increase (1.5-2)eV with increase of the temperature of annealing from 373 K to 473 K.

الخواص البصرية لغشاء Ge20BixSe80-x عندx=0,0.2 و0.6 والتي رسبت على قواعد من الزجاج بسمك 205 nm والذي حضر باستخدام طريقة التبخير الحراري. من خلال فحص حيود الاشعة السينية تبين لنا ان الغشاء المحضر نوع عشوائي لكل الاغشية والتي حضرت باختلاف نسب البزموث والتي لدنت بدرجة حرارة373k و 473k لمدة ساعة. ومن دراسة امتصاصية الطيف الموجي بول موجي (300-900)nm استطعنا ان نحسب فجوة الطاقة البصرية والنتيجة كانت كلما زادة نسبة البزموث كلما قلت فجوة الطاقة البصرية في العينات المحضرة, ولاحظنا زيادة في فجوة الطاقة تتراوح بين (1.5-2)eV مع زيادة درجة التلدين من 373k الى 743k.


Article
Post Thermal Oxidation of Tin Thin Film on Silicon Substrate for MIS Hetrojunction Prepared by Thermal Evaporation

Author: Halah H. Rashed
Journal: Engineering and Technology Journal مجلة الهندسة والتكنولوجيا ISSN: 16816900 24120758 Year: 2016 Volume: 34 Issue: 4 Part (B) Scientific Pages: 499-511
Publisher: University of Technology الجامعة التكنولوجية

Loading...
Loading...
Abstract

In this work, preparation of high quality conductive oxide SnO2 thin film by post-thermal trearment of deposited tin by vacuum thermal evaporation on glass and p -type silicon substratesfor preparation of metal-insulator-semiconductor hetrojunction.The opticalabsorption, electrical, structural and surface morphology of the SnO2 thin film on glass substrate were characterized byUV-VIS-NIR spectrophotometer, electrical conductivity, X-ray diffraction spectrum andatomic force microscope respectively.The X-Ray Diffraction pattern show that the SnO2 thin film is polycrystalline with and tetragonal rutile, Atomic Force Microscope show that the grains size of the thin film varies from 50 to 150 nm .The optical properties show that SnO2 thin film is high absorbance in Ultra-violet region, whereas it's transparent in the visible and near infrared regions and have direct optical band gap of 3.6 eV, and last the electrical conductivity results show that the resistivity is decrease with increase the temperature and activation energy is approximately to the 0.107eV.The electrical properties of n SnO2/SiO2/p Sihetrojunctionwere studied by I–V measurement under dark and illumination conditions, in the dark condition, I–V measurement reveals that the heterojunction have rectifying behavior, the ideality factor and the reverse saturation current of this diode are 5.18 and 1.5×10–6 A respectively. Under illumination condition, I–V measurement reveals that the photocurrent is larger than the dark current, and a linear relation between ISC and VOC with the incident light intensity to reach a maximum value beyond tends to saturated and become constant. These electrical properties of prepared device can its work as a detector or solar cell.


Article
Structural and Surface Characteristics of Cd0.9Sb0.1Se Thin Films Prepared by Thermal Evaporation

Author: Wisam A. Altun
Journal: Iraqi Journal of Applied Physics المجلة العراقية للفيزياء التطبيقية ISSN: 18132065 23091673 Year: 2018 Volume: 14 Issue: 1 Pages: 23-26
Publisher: iraqi society for alternative and renewable energy sources and techniques الجمعية العراقية لمصادر وتقنيات الطاقة البديلة والمستجدة

Loading...
Loading...
Abstract

In this work, thin films of Cd0.9Sb0.1Se were successfully deposited on glass substrates by thermal evaporation method at room temperature. The Cd1-xSbxSe alloy composed of highly-pure Cd, Sb and Se samples was prepared with x=0.1 by melting method in a tube furnace at 900°C. The structural and surface characteristics of these thin films were studied by the x-ray diffraction and atomic force microscopy to determine their dependencies on film thickness. These films were amorphous and the grain size as well as the surface roughness was increasing with film thickness. The energy band gap was decreased from 2.6 to 2.15 eV with increasing film thickness from 150 to 450 nm. These structures are efficient candidates for some applications such as quantum devices.


Article
Seed/Catalyst-Free Growth of 2D And 3D Zno Nanostructures on Glass Substrate by Thermal Evaporation Method: Effects of Carrier Gas Flow Rate

Authors: Forat H.Alsultany --- Rusul A.Ghazia
Journal: Al-Mustansiriyah Journal of Science مجلة علوم المستنصرية ISSN: 1814635X Year: 2018 Volume: 29 Issue: 3 ICSSSA 2018 Conference Issue Pages: 129-132
Publisher: Al-Mustansyriah University الجامعة المستنصرية

Loading...
Loading...
Abstract

Here, we report the seed/catalyst-free growth of 2D and 3D ZnO nanostructures on a glass substrate by thermal evaporation of Zn powder in the presence of O2 gas. These nanostructures were grown on (75 ± 5 nm) ZnO seed layers, which were deposited on glass substrates by radio frequency magnetron sputtering. Prior to synthesized ZnO nanostructures, the sputtered ZnO seeds were annealed using the continuous wave CO2 laser at 450 ℃ in air for 15 min.The effects of carrier gas flow rate on the morphological, structural, and optical properties were systematically studied using field emission scanning electron microscopy, X-ray diffraction and UV-Vis spectroscopy.

هنا ، نقوم بالإبلاغ عن النمو الخالي من البذرة / المحفز للبُنى النانوية ثنائية وثلاثية الأبعاد على ركيزة زجاجية بواسطة التبخر الحراري لمسحوق الزنك في وجود غاز الاوكسجين. نمت هذه البنى النانوية على طبقات من بذور الزنك (75 ± 5 نانومتر) والتي تم ترسيبها على ركائز زجاجية بواسطة طريقة الرش. قبل تركيب البنى النانوية لأكاسيد الزنك ، تم ترسيب بذور أكسيد الزنك باستخدام ليزر ثاني اوكسيد الكاربون ذو الموجة المستمر عند ℃ 450 في الهواء لمدة 15 دقيقة. تم دراسة تأثير معدل تدفق الغاز الناقل على الخصائص المورفولوجيا والبنيوية والبصرية بشكل منهجي باستخدام انبعاثات مجال مسح المجهر الإلكتروني ، حيود الأشعة السينية والتحليل الطيفي للأشعة فوق البنفسجي .


Article
دراسة تأثير التشعيع على الثوابت البصرية لأغشية CuIn(SexTe1-x)2 المحضرة بطريقة التبخير الحراري في الفراغ

Authors: محمد حميد عبد الله --- عمار عايش حبيب --- صباح أنور سلمان
Journal: Diyala Journal For Pure Science مجلة ديالى للعلوم الصرفة ISSN: 83732222 25189255 Year: 2010 Volume: 6 Issue: 1 Pages: 345-357
Publisher: Diyala University جامعة ديالى

Loading...
Loading...
Abstract

Thin films of CuIn(SexTe1-x)2 have been deposited on glass substrates by vacuum thermal evaporation of thickness (250nm) , the study of the effect of irradiation by gamma rays from ) Cs137(source on the following optical constants : Absorptions, Reflectance , Extinction Coefficient , Refractive Index , Real and Imaginary Parts of the Dielectric Constant, It was found the all these parameters were affected by irradiation.

حضرت أغشية CuIn(SexTe1-x)2 الرقيقة على قواعد من الزجاج بأستخدام تقنية التبخير الحراري في الفراغ بسمك(250nm)، تم دراسة تأثير التشعيع بأشعة كاما من المصدر المشع (Cs137) على الثوابت البصرية الآتية : الامتصاصية ، الانعكاسية ، معامل الخمود ، معامل الانكسار، و ثابت العزل الكهربائي بجزأيه الحقيقي والخيالي ، لقد وجد بان كافة هذه العوامل قد تأثرت بعملية التشعيع.


Article
Effect of irradiation on the optical properties of PbSe thin film prepared by thermal evaporation method
لرقیقة المحضر PbSe تأثیر أشعة كاما على الخصائص البصریة لأغشیة بطریقة التبخیر الحراري في الفراغ

Author: Jasim Mohammed Abid Al-Leteef جاسم محمد عبد اللطیف
Journal: Diyala Journal For Pure Science مجلة ديالى للعلوم الصرفة ISSN: 83732222 25189255 Year: 2012 Volume: 8 Issue: 2 Pages: 50-59
Publisher: Diyala University جامعة ديالى

Loading...
Loading...
Abstract

In this research, the effect of γ -rays from (Cs137) source a time period (21) days onoptical properties such as energy gap (Eg) , the optical Transmittance (T%) spectra , opticalAbsorption spectra (A), optical reflectance spectra (R %), absorption coefficient () ,Urbachenergy (Eu), extinction coefficient (k) , refractive index(n) and dielectric constants for the leadselenide (PbSe) thin films prepared by the thermal evaporation on a glass substrate in5 ×10-5 mbar pressure at room temperature of thickness (7000 Å) and rate of deposition(1.46 nm/s ) . it were seen that all the parameters under investigation affected by gammairradiation.

تم في هذا البحث دراسة تأثير التشعيع بأشعة كاما لمصدر (Cs137)لمدة 21 يوم على الخواص البصرية المتمثلة بفجوة الطاقة البصرية (Eg). طيف النفاذية البصرية ، طيف الامتصاص ، طاقة اورباخ ((Eu ، معامل الخمود (K)، معامل الانكسار (n)وثابت العزل بجزأيه الحقيقي والخيالي لاغشية سلايند الرصاصPbSe))المحضرة بطريقة التبخير الحراري على قواعد زجاجية في ضغط 5*10-5 mbar عند درجة حرارة الغرفة بسمك 7000Aoومعدل ترسيب 1.46nm/s . ولقد وجد ان جميع المعلمات التي تمت دراستها قد تأثرت باشعة كاما.

Listing 11 - 20 of 42 << page
of 5
>>
Sort by
Narrow your search

Resource type

article (42)


Language

English (30)

Arabic and English (9)

Arabic (3)


Year
From To Submit

2019 (2)

2018 (4)

2017 (3)

2016 (7)

2015 (6)

More...