research centers


Search results: Found 15

Listing 1 - 10 of 15 << page
of 2
>>
Sort by

Article
حساب معدل الحركة لنقطة كمية بحجم الذرة باستخدام المجهر النفقي الماسح

Author: فؤاد نمر عجيل و جنان مجيد المخ
Journal: Journal of Basrah Researches (Sciences) مجلة ابحاث البصرة ( العلميات) ISSN: 18172695 Year: 2012 Volume: 38 Issue: 1B Pages: 33-52
Publisher: Basrah University جامعة البصرة

Loading...
Loading...
Abstract

في هذا العمل سيتم حساب معدل حركة نقطة كمية بحجم الذرة ملتصقة على سطح صلب باستخدام مجس مجهر STM, ولذلك استند في حساباتنا الى طريقة دالة گرين غير المتزنة لـ Keldysh. حيث وُصفَهاملتونين الانتقال لنمط الارتفاع الثابت. وتم حساب وفحص معدل الاضمحلال الاهتزازي بسبب أثارة زوج الكترون-فجوة ومعدل التوليد الاهتزازي بسبب تيار النفق غير المرن وكذلك المعدلات الكلية للأثارة الاهتزازية واعادة التهدئة بين مستويات بئر الجهد. هذه المعدلات ترتبط بمفهوم ما يسمى بدرجة الحرارة المؤثرة والتي تدخل جميعها في حساب معدل الحركة كدالة لكل متغيرات المعالجة وبالأخص فولتية الانحياز ودرجة الحرارة وتفاعل اقتران الكترون-اهتزاز.

Keywords


Article
في هذا البحث، تم اقتراح تقنية جديدة لترميز الصور الرقمية بتقسيمها إلى كتل متغيرة الإحجام، حيث تم اختيار كتل باحجام صغيرة للمناطق الفعالة وعلى العكس للمناطق غير الفعالة، بعد عملية التقسيم يتم إجراء تحويل الجيب تمام المتقطع على الكتل مختلفة الإحجام، وتتبع ذلك مجموعة من العمليات اللازمة لتقليل نسبة البت المستخدمة.

Author: جنان مجيد المخ ذكرى صبار الناصر
Journal: Journal of Basrah Researches (Sciences) مجلة ابحاث البصرة ( العلميات) ISSN: 18172695 Year: 2005 Volume: 31 Issue: 3B Pages: 20-32
Publisher: Basrah University جامعة البصرة

Loading...
Loading...
Abstract

لغرض دراسة استطارة ايون من سطح غير نظيف، استخدم المؤثر الهاملتوني لاندرسون بحيث تضمن التأثيرات الموضعية واشتمل على التفاعلات الرنينية: الأول تفاعل شبه رنيني بين المستوى الذري للأيون المستطير والمستوى الذري للذرة الملتصقة والاخر تفاعل رنيني بين المستوى الذري للآيون المستطير ومستويات حزمة المعدن وكذلك بين المستوي الذري للذرة الملتصقة ومستويات المعدن بينما اهملت تأثيرات التبادل.لقد بدء أولاً بفحص معادلات الحركة الثلاث بحيث تحقق قانون حفظ الشحنة ثم تمت معالجتها باستخدام تقريب مبسط إذ حل نظام المعادلات حلاً عددياً الامر الذي ساعدنا على دراسة تأثير كثافة الحالات السطحية. وبعد فحص المظاهر العامة لهذه العملية اتضح انها تطابق الملاحظات العملية، كما استنتجنا انه لغرض فهم استطارة آيونات عن سطوح غير نظيفة كان لا بد من اخذ تغيرات اطوار التفاعلات غير المباشرة بنظر الاعتبار.

Keywords


Article
Theoretical Treatment for Electron Transport throughout Benzene Ring Model
معالجة نظرية لنقل الإلكترون خلال نموذج حلقة البنزين

Authors: لافي فرج البدري --- جنان مجيد المخ --- شاكر أبراهيم عيسى
Journal: journal of kerbala university مجلة جامعة كربلاء ISSN: 18130410 Year: 2014 Issue: المؤتمر العلمي الثاني لكلية العلوم Pages: 97-104
Publisher: Kerbala University جامعة كربلاء

Loading...
Loading...
Abstract

In this paper we present our theoretical treatment for electron transport through benzene ring attached to donor and left lead in the left side, while in the right side it is attached to acceptor and right lead. Our treatment is based on the time-dependent Anderson – Newns Hamiltonian. The equations of motion are derived for all subsystems then the steady state is considered to obtain analytical expression for the transmission probability as a function of system energies. The subsystems eigenvalues, the coupling interaction between them as well as the leads band width all are taken into consideration and highlighted. We concluded that the variation of contact's position of the acceptor with the benzene ring may have great effects on the electronic transport properties of molecular devices because of quantum interference.

نقدم في هذا البحث معالجتنا النظرية لنقل الإلكترون خلال حلقة بنزين مربوطة إلى واهب وقطب أيسر في الجانب الأيسر، بينما في الجانب الأيمن فهي مربوطة إلى قابل وقطب أيمن. معالجتنا أسست على هاملتونين أندرسون –نيونس المعتمد على الزمن. تم أشتقاق معادلات الحركة لكل أجزاء النظام ثم أعتبرت الحالة المستقرة من أجل الحصول على تعبير تحليلي لأحتمالية النفاذية كدالة لطاقات النظام. تم الأخذ بنظر الأعتبار القيم الذاتية لأجزاء النظام وتفاعل الأزدواج بينها فضلاً عن عرض حزمة الأقطاب . نستنتج أن تغيير موقع ربط القابل مع حلقة البنزين قد يكون له تأثيرات عظيمة على خواص نقل الألكترون للأجهزة الجزيئية بسبب التداخل الكمي.

Keywords


Article
The Chemisorption of Hydrogen Atom on solid surface and The Effect of External Magnetic Field
الالتصاق الكيميائي لذرة الهيدروجين على سطح صلب وتأثير مجال مغناطيسي خارجي

Author: J. M. Al-Mukh , R. D. Al-Kafaaji جنان مجيد المخ و رسل داود سالم الخفاجي
Journal: Journal of Basrah Researches (Sciences) مجلة ابحاث البصرة ( العلميات) ISSN: 18172695 Year: 2011 Volume: 37 Issue: 3B Pages: 1-12
Publisher: Basrah University جامعة البصرة

Loading...
Loading...
Abstract

The Chemisorptions of Hydrogen atom on tungsten surface is studied in this work . Our study has two mean goals , the first is to study the dependence of coupling term on the atomic energy levels occupation through out the chemisorptions process . The second is to study the chemisorptions process for the same system in the existence of external magnetic field . For this purpose extended model calculation has presented to calculate the atomic energy levels occupation numbers and all the related chemisorptions functions . The image and correlation effects are all taken into consideration . The localized states are also determined and calculated as well as their occupation numbers which taken into consideration in the chemisorptions energy calculation . Throughout our calculations , the general features of the system under consideration have investigated using physical initial conditions getting use of the coupling - occupation numbers dependence . Our calculations show two types of solutions from its ranges for coupling strength values are characterized . The first is weak coupling where the solution is magnetic with no localized states . The second is strong coupling where the solution is nonmagnetic with localized states . And for the second goal , the chemisorptions process for the system under consideration in the existence of external magnetic field is studied. Since the external field effect is added as shifts with finite values to the atomic levels . The atomic levels occupation numbers and the related chemisorptions functions , the localized states and this occupations and the energy are all calculated in the existence of the external field for the three coupling ranges . Discussion and important conclusions about the band width , the condition for the localized states existence , the image and the correlation effects ,are presented .

تضمن بحثنا دراسة الالتصاق الكيميائي لذرة الهيدروجين على سطح التنكستن . ولدراستنا هدفان أساسيان ، يهدف الأول إلى دراسة تأثير اعتماد حد الاقتران على أشغال المستوى الذري خلال عملية الالتصاق الكيميائي . آما الثاني فيتضمن دراسة عملية الالتصاق للنظام نفسه بوجود مجال مغناطيسي خارجي . ولهذا الغرض تم تقديم أنموذج حسابي مفصل لحساب أعداد الأشغال للمستويات الذرية لذرة الهيدروجين وكل دوال الالتصاق الكيميائي المتعلقة . علما بأنه تم اخذ تأثيرات التبادل والتأثيرات الصورية بنظر الاعتبار . كذلك حددت وحسبت الحالات المتموضعة وأعداد أشغالها التي تم أخذها بالحسبان عند حساب طاقة الالتصاق الكيميائي .ومن خلال حساباتنا تم فحص المظاهر العامة للنظام قيد الدراسة مستخدمين شروطا ابتدائية فيزياوية مستفيدين من اعتماد حد الاقتران على أعداد الأشغال للمستويات الذرية . واتضح من الحسابات ظهور نوعين من الحلول بحيث يمكن آن نميز منه مديين لقيم قوة الاقتران . يتضمن المدى الأول الاقتران الضعيف حيث تكون الحلول مغناطيسية ولا تظهر فيها الحالات المتموضعة . آما المدى الثاني فيتضمن الاقتران القوي حيث تكون الحلول غير مغناطيسية وتظهر فيها الحالات المتموضعة . وفيما يخص الهدف الثاني درست عملية الالتصاق الكيميائي للنظام قيد الدراسة بوجود مجال مغناطيسي خارجي . إذ أضيف تأثير المجال الخارجي كإزاحة للمستويات الذرية بقيم محددة و حسبت أعداد الأشغال للمستويات الذرية وكل دوال الالتصاق الكيميائي المتعلقة والحالات المتموضعة والطاقة بوجود المجال الخارجي ولمديات الاقتران الثلاث .قدمت مناقشة واستنتاجات مهمه حول قوة الاقتران وعلاقته بعرض حزمة الطاقة للمعدن وشرط ظهور الحالات المتموضعة والتأثيرات الصورية والتبادل.


Article
Laser Field Effect on the Chemisorption Process of Diatomic molecule on Solid Surface
تأثير مجال الليزر على عملية الالتصاق الكيميائي لجزيئة ثنائية الذرة على سطح الصلب

Author: Maged A. Nattiq , Jenan M. AL-Mukh ماجد عبد الله ناطق و جنان مجيد المخ
Journal: Journal of Basrah Researches (Sciences) مجلة ابحاث البصرة ( العلميات) ISSN: 18172695 Year: 2011 Volume: 37 Issue: 3B Pages: 19-36
Publisher: Basrah University جامعة البصرة

Loading...
Loading...
Abstract

In this study ,a mathematical model to study the chemisorption of two interacting atoms on solid surface in the presence of laser field is presented . Our study has aim only , the study the effect of laser field on determining the ionization and dissociation states to describe the molecule – surface interaction dynamics . Our mathematical model is based on the occupation numbers formula that depends on the laser field and which is derived according to Anderson model for single atom adsorbed on solid surface. Occupation numbers formula and chemisorption energy formula are derived for two interacting atoms (as a diatomic molecule )as they approach to the surface taking into account the correlation effects on each atom and between atoms as well as the image effect on each one . This model is characterized by the obvious dependence of the relations on the system variables and the laser field characteristics which gives precise description for the molecule – surface interaction dynamics (i.e. the charge and spin on the interacting atoms ) as a function of the normal distance from the surface and the distance between atoms .Our mathematical model is applied to the H2/W(100) system for academic and experimental reasons, where the molecule- surface interaction dynamics is investigated by calculating the occupation numbers and all the chemisorption functions as a function of all variables when the distance between the atoms is parallel to the surface.It is found that the type of interaction between the atoms and surface , whether it is repulsive or attractive , is determined by the laser strength where the repulsion between the two atoms increases with the laser strength increasing . The orientation effects are taken into account throughout the broadening functions due to the coupling with surface energy levels and as well as due to the laser field.Extended calculations for all functions, that describe the system dynamics, are presented as a function of all variables as well as the orientation angle. By comparing the orientation effect and laser field effect, it is concluded that the laser field effect is dominant .It is found that by taking the orientation effects, the interaction is repulsive for both strength values that used (0.1a.u.,0.2a.u.) in this research as compared with the case of incorporating laser field only or orientation effect only. So it makes sure that the laser field as well as the orientation effects can be consider as a tool to control the ionization and dissociation processes that happen on the solid surface .

قدم في هذه الدراسة أنموذج حسابي لدراسة الالتصاق الكيميائي لذرتين متفاعلتين على سطح صلب بوجود مجال الليزر. ولدراستنا هدف أساسي هو دراسة تأثير مجال الليزر في تحديد حالتي التأين والتفكك لغرض وصف ديناميكية تفاعل جزئية – سطح. لقد أستند أنموذجنا الحسابي إلى صيغة أعداد الإشغال المعتمدة على مجال الليزر . إذ اشتقت صيغة لأعداد الإشغال وكذلك طاقة الالتصاق الكيميائي لذرتين متفاعلتين ( باعتبار الجزئية ثنائية الذرة ) قريبتين من السطح أخذين بنظر الاعتبار تأثيرات التبادل على كل ذرة بين الذرتين بالاضافه إلى التأثيرات الصورية لكل ذرة. تميز هذا الأنموذج بوضوح اعتماد العلاقات على كل المتغيرات التي تخص النظام ومواصفات مجال الليزر الذي يعطي وصفاً دقيقاً لديناميكية تفاعل جزئية – سطح ( بمعنى الشحنة والبرم على الذرتين المتفاعلتين ) كدالة للمسافة العمودية من السطح وكذلك للمسافة بين الذرتين . طبق أنموذجنا الحسابي لنظام 100))H2/W , إذ فحصت ديناميكية تفاعل جزئية – سطح من خلال حساب أعداد الإشغال وكل دوال الالتصاق الكيميائي كدالة لكل المتغيرات حينما تكون المسافة بين الذرتين موازية للسطح . ووجد أن لشدة الليزر تأثيراً في تحديد حالة التفاعل بين الذرتين والسطح إذ يزداد التنافر بين الذرتين كلما زادت شدة الليزر. لقد أخذنا تأثير التوجيه بنظر الاعتبار من خلال دوال التعريض بسبب الاقتران مع مستويات السطح وكذلك بسبب مجال الليزر . حسبت لكل الدوال التي تصف دينامكية النظام كدالة للمتغيرات أعلاه بالاضافه إلى زاوية التوجيه . وبمقارنة تأثير مجال الليزر وتأثير التوجيه أتضح أن لشدة مجال الليزر تأثيرا سائدا . وعليه يصبح من المؤكد أن مجال الليزر وكذلك تأثيرات التوجيه تعتبر أداة للتحكم في عمليتي التأين والتفكك التي تحدث على سطح الصلب .


Article
Calculation of the Tunneling Current for Atom-sized Quantum Dot with Scanning Tunneling Microscope
حساب تيار النفق لنقطة كمية بحجم الذرة باستخدام المجهر النفقي الماسح

Authors: Fouad Nimr Ajeel فؤاد نمر عجيل --- Jenan Majeed AL-Mukh جنان مجيد المخ
Journal: JOURNAL OF THI-QAR SCIENCE مجلة علوم ذي قار ISSN: 19918690 Year: 2013 Volume: 4 Issue: 4 Pages: 192-198
Publisher: Thi-Qar University جامعة ذي قار

Loading...
Loading...
Abstract

In this work, the tunneling current of adsorbed atom-sized quantum dot on metal surface with scanning tunneling microscope (STM) is calculated using nonequilibrium Green’s function method of Keldysh. It is found that the correction to the tunneling current is expressed in terms of the transmission probability, where the correction is negative for the elastic part of the current and positive for the inelastic one. Depending on our calculations, we conclude that the position of electronic state of quantum dot, the vibrational mode energy, the strength of electron-vibration coupling and temperature, which important parameters to determine the physical features responsible for the processes concerned the nanostructure that are performed on the solid surface.

في هذا العمل, حسب تيار النفق لنقطة كمية بحجم الذرة ملتصقة على سطح معدن باستخدام المجهر النفقي الماسح (STM) استناداَ على طريقة دالة كرين غير المتزنة لـ Keldysh. اذ وجد بان التصحيح لتيار النفق يعطى بدلالة احتمالية النفاذ, حيث يكون التصحيح سالب للجزء المرن من التيار وموجب للجزء غير المرن. واعتماداً على حساباتنا تبين بان كلاَ من موقع الحالة الالكترونية للنقطة الكمية, طاقة النمط الاهتزازي, قوة اقتران الكترون-اهتزاز ودرجة الحرارة كلها عوامل مهمة في تحديد المظاهر الفيزيائية المسؤولة عن العمليات المتعلقة بالتراكيب النانوية التي تنجز على السطح الصلب.

Keywords


Article
Theoretical Treatment for the Ion Sputtering Process from Quantum Dot Surface
معالجة نظرية لآيون مقلوع بالسبترة من سطح نقطة كمية

Author: J. M. Al-Mukh and A. R. Ahmed جنان مجيد المخ و أباذر رحمن أحمد
Journal: basrah journal of science البصرة للعلوم ISSN: 18140343 Year: 2015 Volume: 33 Issue: 2A Pages: 1-10
Publisher: Basrah University جامعة البصرة

Loading...
Loading...
Abstract

In this study, simple theoretical treatment is presented to calculate the neutralization and excitation probabilities throughout the ground state channel and the throughout the excited state channel for atom sputtered from quantum dot surface. The system energy levels considered in our treatment are just the levels lying within the energy window. The Hamiltonian that describes the system is written taking into account the ground and the excited states of the sputtered atom as well as the electron scattering process (i.e. the electronic excitation) within the quantum dot energy band levels. We get use of Heisenberg equations of motion to derive the equations of motion that describe the system. The law of charge conservation is investigated. The set of related equations are solved numerically. The effect of electronic excitation within the quantum dot band energy is highlighted and disscused.

في هذه الدراسة تم تقديم معالجة نظرية لحساب احتمالية التعادل والتهيج خلال قناتي الحالة الأرضية والمثارة لذرة مقلوعة (خلال عملية السبترة) من سطح نقطة كمية. في معالجتنا تم الأخذ بنظر الاعتبار مستويات النظام التي تقع ضمن نافذة الطاقة. كتب الهاملتونين الذي يصف النظام بحيث أخذ بنظر الاعتبار المستويين الأرضي والمثار للذرة المقلوعة بالإضافة إلى عملية استطارة الالكترون (بمعنى الإثارة الالكترونية) في مستويات حزمة الطاقة لسطح النقطة الكمية. تم الاستفادة من معادلات هايزنبرك للحركة لإشتقاق معادلة الحركة التي تصف النظام، حيث تم فحص قانون حفظ الشحنة. كما تم حل معادلات الحركة عددياً. كذلك ناقشنا وسلطنا الضوء على تأثير الإثارة الالكترونية خلال حزمة الطاقة لسطح النقطة الكمية.

Keywords


Article
Time-dependent Electron Transport throughoutQuantum Dot in the Absence ofNonresonanceChannel
نقل الكترون المعتمد على الزمن خلال نقطة كمية بغياب القناة الغير رنينية

Author: Haider Mushina Obeed and Jenan M. AL-Mukh حيدر موشنه عبيد جنان مجيد المخ
Journal: basrah journal of science البصرة للعلوم ISSN: 18140343 Year: 2015 Volume: 33 Issue: 2A Pages: 110-124
Publisher: Basrah University جامعة البصرة

Loading...
Loading...
Abstract

In this work , we study the transport properties of a quantum dot in the presence of electromagnetic fields , in the absence ofnonresonance channel , by using the time-evolution operator technique . The frequency and amplitude of the electromagnetic fields ,that applied to leads and the quantum dot , are taken into consideration . The equations of motion for this system are derived and solved numerically in the wide-band limit approximation . The quantum dot charge , the total number of electrons on the left lead and the curretnt flowing from the lift lead are calculated and investigated for wide range of parameters .

في هذا العمل , درسنا خصائص نقل الإلكترون في نقطة كمية بوجود المجالات الكهرومغناطيسية و بغياب القناة غير الرنينية , بأستخدام تقنية مؤثر زمن-نمو . تم أخذ بنظر الإعتبار تأثير كل من التردد والسعة للمجال الكهرومغناطيسي على الأقطاب والنقطة الكمية. كذلك تم اشتقاق معادلات الحركة للنظام وحلها عدديا باستخدام تقريب الحزمة العريضة . وتم حساب شحنه النقطة الكمية وعدد الاشغال الكلي للإلكترونات على القطب الأيسر والتيار المنبعث من القطب الأيسر , كذلك تم حساب ذلك لمدى واسع من البارامترات .

Keywords


Article
خصائص نقل الإلكترون لكيوبت مقترن بترانزستور الإلكترون المفرد: حساب أعداد إشغال النقاط الكمية والتيار في حالتي الإتزان واللاإتزان

Authors: م. باحث آيات طاهر أبراهيم --- أ. م. د. جنان مجيد المخ
Journal: Journal of Univesity of Thi-Qar مجلة جامعة ذي قار العلمية ISSN: 66291818 Year: 2016 Volume: 11 Issue: 3 Pages: 1-20
Publisher: Thi-Qar University جامعة ذي قار

Loading...
Loading...
Abstract

In this study, theoretical treatment is presented to study the electron transport for a system consists of two principle coupled parts, these are the key element of quantum computer which is represented by the qubit and the detector which is represented by the single electron transistor. Model calculation that includes the derivatives of the time dependent equations of motion for the system under consideration is presented. We find particular relations for the time variation for of the occupation numbers of the qubit quantum dots and the single electron transistor dot as well as the current that flows from the left lead. We investigated the electron transport dynamical properties in the system at equilibrium and nonequilibrium. We conclude that the charge accumulation increases on the far-removed qubit quantum dot from the single electron transistor as the bias voltage decreases and vice versa.

في هذا البحث تم تقديم معالجة نظرية لدراسة نقل الإلكترون لنظام مكون من جزئين أساسيين مقترنين هما مفتاح عنصر الحاسبة الكمية المتمثل بالكيوبت والكاشف المتمثل بترانزستور الإلكترون المفرد. الأنموذج الحسابي تضمن اشتقاق لمعادلات الحركة المعتمدة على الزمن للنظام قيد الدراسة. وجدنا علاقات خاصة بتغير اعداد الإشغال لنقطتي الكيوبت والنقطة الكمية التابعة لترانزستور الإلكترون المفرد مع الزمن بالإضافة الى التيار الذي يسري من القطب الايسر. فحصنا الخصائص الديناميكية لنقل الإلكترون في النظام عند الإتزان واللاإتزان. استنتجنا إن تراكم الشحنة يزداد على نقطة الكيوبت الكمية البعيدة عن ترانزستور الإلكترون المفرد كلما قلت فولتية الانحياز والعكس صحيح.


Article
Theoretical Study in the Molecular Chemisorption on Solid Surfaces:
دراسة نظرية في الالتصاق الكيميائي الجزيئي على سطوح الصلب:I . حساب عدد الاشغال

Author: Dr. J.M.Al-Mukh And Musa Kadhim Shamer د. جنان مجيد المخ و موسى كاظم شامر
Journal: Journal of Basrah Researches (Sciences) مجلة ابحاث البصرة ( العلميات) ISSN: 18172695 Year: 2008 Volume: 34 Issue: 4B Pages: 1-16
Publisher: Basrah University جامعة البصرة

Loading...
Loading...
Abstract

In this work, extended theoretical study for the molecular chemisorption for diatomic molecule on metals surfaces is presented.Our treatment is based on Anderson model for the atomic chemisorption , since the molecule is considered as two atoms interacted between each other and with the surface. And by getting use of incorporating the surface temperature effect , analytic expressions are derived for the occupation numbers of the virtual atomic energy states. The direct and indirect interactions and also the image, and correlation effects are all taken into account . Our treatment is applied for the system H2/W, since the occupation numbers and all the related chemisorption functions are calculated as a functiona of the normal distance between the surface and molecule as well as the distance between the atoms . The results explain the well known physical general feathures for the system .

قدّمت في هذا العمل دراسة نظرية للالتصاق الكيميائي الجزيئي لجزيئة ثنائية الذرةعلى سطوح المعادن . إذ اعتمد نموذج أندرسون للالتصاق الكيميائي الذري حيث اعتبرنا الجزيئة كذرتين متفاعلتين فيما بينهما ومع السطح . وبالاستفادة من ادخال تأثير درجة حرارة السطح, تم اشتقاق صيغ تحليلية خاصة باعداد الاشغال للمستويات الذرية الخيالية,علماً أن التفاعلات المباشرة وغير المباشرة وكذلك التأثيرات الصورية وتأثيرات التبادل أخذت جميعها بنظر الاعتبار .لقد تم تطبيق معالجتنا للنظام تفاعل جزئية الهيدروجين ثنائية الذرة على سطح المعدن الانتقالي التنكستن حيث حُسبت اعداد الاشغال وكل دوال الالتصاق الكيميائي المتعلقة كدالة للمسافة العمودية بين الجزيئة والسطح وكذلك المسافة بين الذرتين . واوضحت هذه النتائج المظاهر العامة الفيزيائية المعروفة للنظام

Listing 1 - 10 of 15 << page
of 2
>>
Sort by
Narrow your search

Resource type

article (15)


Language

English (8)

Arabic (5)


Year
From To Submit

2016 (1)

2015 (3)

2014 (4)

2013 (2)

2012 (1)

More...