research centers


Search results: Found 5

Listing 1 - 5 of 5
Sort by

Article
تحضير ودراسة الخواص الكهربائية للثنائي) Cu-Si (

Author: صباح جميل مزهر
Journal: Journal of College of Education مجلة كلية التربية ISSN: 18120380 Year: 2009 Issue: 1 Pages: 666-732
Publisher: Al-Mustansyriah University الجامعة المستنصرية

Loading...
Loading...
Abstract

A rectifying diode has been fabricated as a metal semiconductor contacts from the contact of cupper (Cu) with n-type silicon. after annealing this contact in ( 673K), the electric characteristics for this diode is study to obtain the barrier height (b) and the ideality factor (n) from current density with voltage measurement and to calculate the barrier height (b) and the donor concentration (Nd) from the capacity with voltage measurements to determine the using of this diode in an electronic circuits.

تم تحضير ثنائي مقّوم على نمط اتصال معدن مع شبه موصل من اتصال النحاس (Cu) مع السليكون) Si ( نوع ) (nودراسة الخواص الكهربائية لهذا الثنائي بعد التلدين بدرجة حرارة 673K) (لإيجاد ارتفاع حاجز الجهد (b) وعامل المثالية (n) من قياسات كثافة التيار مع الفولتية ولحساب ارتفاع الحاجز (b) وتركيز المانحات (Nd) من قياسات السعة مع الفولتية لكي يتم تحديد إمكانية استخدام هذا الثنائي في تطبيقات الدوائر الالكترونية.

Keywords


Article
تحضير ودراسة الخواص البصرية لكاشف ( Cu-Si ) الضوئي

Authors: صباح جميل مزهر --- د. أسماء ستار جياد
Journal: journal of the college of basic education مجلة كلية التربية الاساسية ISSN: 18157467(print) 27068536(online) Year: 2013 Volume: 19 Issue: 80 / علمي Pages: 101-110
Publisher: Al-Mustansyriah University الجامعة المستنصرية

Loading...
Loading...
Abstract

In this paper, Photo detector was prepared on the metal – semiconductor contact pattern by using thermal evaporation in vacuum to vaporize pure copper on the smooth face of (n) type silicon wafers and pure aluminum on the rough side of that wafers with (100 Ao ) thickness for both sides after using the chemical etching method for silicon slides. The samples were annealing in presence of nitrogen at (673 K) for (15) minutes. The relation of Photocurrent, Spectral Responsevity, Noise Equivalent Power, Quantum Efficiency and Specific Detectivity were studied with incident wavelength at room temperature to determine which best spectral region that detector can be work and could use in the appropriate electronic applications.

في هذا البحث تم تحضير كاشف ضوئي على نمط اتصال معدن – شبه موصل باستخدام طريقة التبخير الحراري في الفراغ لتبخير معدن النحاس النقي على الوجه الأملس لشرائح السليكون نوع (n) ومعدن الالمنيوم النقي على الوجه الخشن لهذه الشرائح وبسمك (100 Ao) ولكلا الوجهين بعد استخدام طريقة التنميش الكيميائي لتنظيف شرائح السليكون . جرى تلدين النماذج في فرن حراري بوجود النتروجين و بدرجة حرارة(673 K) لمدة (15) دقيقة . تمت دراسة علاقة التيار الضوئي و الاستجابية الطيفية والقدرة المكافئة للضوضاء والكفاءة الكمية والكفاءة الكمية النوعية للكاشف المحضر مع الطول ألموجي الساقط بدرجة حرارة الغرفة لتحديد أفضل منطقة طيفية يمكن ان يعمل فيها هذا الكاشف و إمكانية استخدامه في التطبيقات الالكترونية المناسبة .

Keywords


Article
تحضير ودراسة خواص الامتصاصية لمادة الفيرايت

Authors: محمد عودة داود --- صباح جميل مزهر --- كاظم جواد كاظم
Journal: journal of the college of basic education مجلة كلية التربية الاساسية ISSN: 18157467(print) 27068536(online) Year: 2010 Volume: 15 Issue: 63 Pages: 567-578
Publisher: Al-Mustansyriah University الجامعة المستنصرية

Loading...
Loading...
Abstract

في هذا البحث استخدمت الطريقة السيراميكية لتحضير مادة الفيرايت (Cu1-xZnxFe2O4) ذات تركيب السبينل Spinel حيث تمثل x نسبة الزنك في مادة الفيرايت وتمت دراسة الفيرايت المحضر كمادة ماصة للأشعة الرادارية RAMواستخدمت تقنية الدليل الموجي Waveguide ذو النهاية الواحدة لدراسة امتصاصية هذه المادة للموجات الدقيقة Microwaves عند النطاق السيني X-bandذو المدى الترددي (12-8) GHz من خلال حساب قيمة معامل الانعكاس ومعامل التوهين والانعكاسية والامتصاصية كدالة للتردد ضمن النطاق السيني X-band بزيادة قدرها (0.25) GHz وقياس نسبة فولتية الموجة الواقفة VSWR داخل الدليل الموجي ورسمت العلاقة بين معامل التوهين والامتصاصية كدالة للتردد للعينات المحضرة وعددها (9) عينة وملبدة بثلاث درجات حرارية (°c 1100 ،°c 1200 ،°1300 c).

Keywords


Article
دراسة تركيب الحجيرات المغناطيسية وعلاقتها بمنحني الهسترة المغناطيسية

Authors: نزهت عزيز عبود --- صباح جميل مزهر --- زياد نبيل
Journal: journal of the college of basic education مجلة كلية التربية الاساسية ISSN: 18157467(print) 27068536(online) Year: 2010 Volume: 15 Issue: 64 Pages: 607-614
Publisher: Al-Mustansyriah University الجامعة المستنصرية

Loading...
Loading...
Abstract

تمت دراسة الحجيرات المغناطيسية باستخدام التحليل البسيط و معرفة الشروط الحدودية لتكوين هذه الحجيرات من خلال دراسة الطاقة التي تفقد خلال عملية التمغنط و شرحها وكذلك دراسة علاقة هذه الحقول بمنحني الهسترة المغناطيسية وشرح منحني الهسترة عند تطبيق المجال المغناطيسي الخارجي على العينة

Keywords


Article
دراسة تركيب الحجيرات المغناطيسية وعلاقتها بمنحني الهسترة المغناطيسية

Authors: نزهت عزيز عبود --- صباح جميل مزهر --- زياد نبيل
Journal: journal of the college of basic education مجلة كلية التربية الاساسية ISSN: 18157467(print) 27068536(online) Year: 2010 Volume: 15 Issue: 65 Pages: 667-676
Publisher: Al-Mustansyriah University الجامعة المستنصرية

Loading...
Loading...
Abstract

تمت دراسة الحجيرات المغناطيسية باستخدام التحليل البسيط و معرفة الشروط الحدودية لتكوين هذه الحجيرات من خلال دراسة الطاقة التي تفقد خلال عملية التمغنط و شرحها وكذلك دراسة علاقة هذه الحقول بمنحني الهسترة المغناطيسية وشرح منحني الهسترة عند تطبيق المجال المغناطيسي الخارجي على العينة .

Keywords

Listing 1 - 5 of 5
Sort by
Narrow your search

Resource type

article (5)


Language

Arabic (4)

Arabic and English (1)


Year
From To Submit

2013 (1)

2010 (3)

2009 (1)