research centers


Search results: Found 1

Listing 1 - 1 of 1
Sort by

Article
الخصائص التركيبية والانتقالات الالكترونية لأغشية (SnO2) المشوبة بالنحاس (Cu) والمحضرة بطريقة التحلل الكيميائي الحراري

Authors: خضير عباس مشجل --- محمود موفق عبود
Journal: Journal of College of Education مجلة كلية التربية ISSN: 18120380 Year: 2012 Issue: 3 Pages: 225-237
Publisher: Al-Mustansyriah University الجامعة المستنصرية

Loading...
Loading...
Abstract

Undoped and Cu-doped SnO2 with doping percentage of (1,3,5,7)% have been prepared by chemical spray pyrolysis method on a glass substrate at a temperature of (773K), with spray rate (10 ml/min), and the thickness of the prepared film about (0.4±0.01)µm. XRD analysis showed that all the films were polycrystalline in nature with a tetragonal structure and a preferred orientation along (110) plane, and the doping with (Cu) led to an increase in the intensity of (110) peak, while the average grain size was decreased with increasing (Cu) concentration, and slightly change was observed in lattice constants. The optical band gap for direct transition is decreased as the doping percentage increased.

حضرت أغشية ثنائي أوكسيد القصدير(SnO2) غير المشوبة والمشوبة بالنحاس بنسب التشويب الحجمية %(1, 3, 5, 7) بطريقة التحلل الكيميائي الحراري، على قواعد زجاجية بدرجة حرارة (773K)، وبمعدل رش(10ml/min)، وكان سمك الاغشية المحضرة بحدود (0.4±0.01)µm.أظهرت نتائج فحوصات الأشعة السينية أن الأغشية المحضرة كافة كانت ذات تركيب متعدد التبلور ومن النوع الرباعي وبالاتجاه السائد (110)، وقد أدى التشويب الى زيادة شدة الاتجاه (110) عن قيمته قبل التشويب لنسب التشويب كافة، بينما تناقص معدل الحجم الحبيبي بزيادة نسب التشويب بالنحاس مع تغير قليل في قيم ثوابت الشبيكة.تم حساب فجوة الطاقـة البصرية للانتقالات الالكترونية المباشرة وقد وجد بانها تقل بزيادة نسبة التشويب بالنحاس.

Keywords

Listing 1 - 1 of 1
Sort by
Narrow your search

Resource type

article (1)


Language

Arabic (1)


Year
From To Submit

2012 (1)