نتائج البحث : يوجد 4

قائمة 1 - 4 من 4
فرز

مقالة
Effect of Rapid Thermal Annealing on CuO Thin Film Prepared by PLD
تأثير التلدين الحراري السريع على غشاء CuO المحضر بطريقة الترسيب النبضي بليزر النديميوم ياك.

المؤلفون: هبة سلام طارق --- مسلم فاضل جواد
ﺎﻠﻤﺠﻟﺓ: Engineering and Technology Journal مجلة الهندسة والتكنولوجيا ISSN: 16816900 24120758 السنة: 2010 المجلد: 28 الاصدار: 10 الصفحات: 495-507
الجامعة: University of Technology الجامعة التكنولوجية - الجامعة التكنولوجية

Loading...
Loading...
الخلاصة

In this study, thin films of CuO were deposited on glass substrates usingthermal laser evaporation technique. The structure characterization of the film wascarried out with XRD. The results of XRD show that all samples have apolycrystalline .The optical measurements on the deposited films were performedto determine the transmission spectrum and the absorption coefficient as afunction of incident wave length. Then from the optical parameters, extinctioncoefficient, dielectric constant with two part real and imaginary part, value andtype of energy gap, type of the dominant absorption processes, real and complexrefractive index as functions of incident photon energy, were determined. Theenergy gap is found to be equal to 1.8 eV for CuO that is direct transfer . Thisresults is agree to the results given by other researchers. Then thin films annealedthermal rapid by using halogen lamp .The annealing influence very much to thinfilm by addition an enhancement to the thin films

على قواعد من الزجاج باس تخدام CuO في هذا البحث تم ترسيب غشاء رقيق من مادةالنبضي . أوضحت النتائج قياسات الأشعة Nd-YAG تقنية التبخير الحراري بواسطة ليزرثم أجريت القياسات البصرية . polycrystalline السينية ان الأغشية المحضرة متعددة التبلورعلى الأغشية لتحديد طيف النفاذية والامتصاصية كدالة للطول الموجي الساقط وم ن تحديدالمعاملات البصرية وجد معامل الامتصاص ومعامل التخميد وثابت العزل الكهربائي بجزأيهالحقيقي والخيالي وقيمة معامل الانكسار وقيمة ونوع فجوة الطاقة فقد وجد ان فجوة الطاقة1.8 ) والأغشية ذات انتقال مباشر وهذه النتائج مقاربة لنتائج التي تم الحصول eV) CuO لمادةعليها مسبقا . وجرى تلدين الاغشية الرقيقة حراريا" سريعا" باستعمال مصباح هالوجيني حيثوجد ان التلدين الحراري السريع يؤثر كثيرا" على الأ غشية المحضرة حيث ادى التلدين الىتحسين خصائص الاغشية .

الكلمات المفتاحية


مقالة
Studying the Optical Properties Cadmium Stunet Cd2SnO4 Thin Films Prepared by Spray Pyrolysis Technique
دراسة الخواص البصرية لاغشية ستانيت كادميوم Cd2SnO4 الرقيقة المحضرة بطريقة الرش الكيميائي الحراري

المؤلفون: زھراء حسین حیاة --- مسلم فاضل جواد الزبیدي --- علاء الدین عبد الله النعیمي
ﺎﻠﻤﺠﻟﺓ: Engineering and Technology Journal مجلة الهندسة والتكنولوجيا ISSN: 16816900 24120758 السنة: 2009 المجلد: 27 الاصدار: 14 الصفحات: 445-456
الجامعة: University of Technology الجامعة التكنولوجية - الجامعة التكنولوجية

Loading...
Loading...
الخلاصة

Cd2SnO4 thin films have been prepared by Spray pyrolysis on glasses slides of ( 0.2 M ) from (CdCl2.2H2O) and (0.2 M,0.1 M)from(SnCl4.5H2O) . Some films are prepared in different temperatures ( 543,583,703) k , also some samples are prepared in two flow rates of gases(24,27) ml/min and other samples are prepared (Cd:Sn) in different volume concentrations(1 : 1,2 : 1). The optical measurements show that thefilms have high transmition in the visible region such that there will be transmition materials if the transmition reached to (97%) at (900 ) nm wave length. In addition , the Absorption coefficient ,Extinction coefficient and energy gap change as a result of the changing the preparation conditions for the films , like ( temperature degree ofdeposition substrate , flow velocity of sputter gas , molarity concentration and volume percentage for contains deposition solution) .

المحضرة بطريقة الرش الكيميائي – الحراري (Cd2SnO تم تحضيراغشية الستانيت كادميوم ( 4 ( SnCl4.5H2O ) 0.2 ) ومحلول M ) بتركيز ( CdCl.2H2O ) على شرائح زجاجية من محلول 0.1 ) ، حضرت بعض الاغشية بدرجات M 0.2 و M ) بتركيزين 543 ، 583 ، 703 ) ، وتم تحضير نماذج بمعدلي انسياب للغاز مختلفين ) k حرارة مختلفة ، 2 : مختلفة ( 1 ( Cd : Sn ) 24 ، 27 ) وحضرت نماذج اخرى من تراكيز حجمية )ml/min 1 ) . وقد اوضحت القياسات البصرية بأن الاغشية تمتلك نفاذية عالية عند المنطقة المرئية مما : 1 900 ) . كما )nm يجعلها مواد شفافة لتلك المنطقة أذ وصلت النفاذية الى ( % 97 ) للطول الموجي ان معامل الامتصاص ومعامل الخمود وفجوة الطاقة تغير تبعا لتغير ظروف تحضير الاغشية من سرعة جريان غاز التذرية والتركيز المولاري والنسب الحجمية لمكونات محلول الترسيب .

الكلمات المفتاحية


مقالة
RAPID THERMAL ANNEALING OF SILICON SOLAR CELL USING INCOHERENT LIGHT SOURCE
التلدين الحراري السريع لخلية شمسية سليكونية بواسطة مصدر ضوئي غير متشاكه

المؤلفون: Suad K. Kalil سعاد غفوري خليل --- Mouslm F. Jawod مسلم فاضل جواد --- Raid A. Ismail رائد عبدالوهاب اسماعيل
ﺎﻠﻤﺠﻟﺓ: Iraqi Journal of Science المجلة العراقية للعلوم ISSN: 00672904/23121637 السنة: 2009 المجلد: 50 الاصدار: Supplement الصفحات: 23-26
الجامعة: Baghdad University جامعة بغداد - جامعة بغداد

Loading...
Loading...
الخلاصة

The rapid thermal annealing (RTA) of single crystal silicon solar cell using the radiation from a halogen lamp has been demonstrated. The electrical properties under dark and illumination conditions followed by RTA are presented. The maximum conversion efficiency and filling factor obtained after 600oC/20S RTA were 13% and 0.7 respectively.

في هذا البحث تم اجراء عملية التلدين الحراري السريع لخلية شمسية سيليكونية احادي البلورة من خلال استخدام مصباح هالوجيني، وقد تم تسجيل نتائج الخصائص الكهربائية في حالة الظلام والاضاءة بعد عملية التلدين الحراري السريع لظروف مختلفة. لقد اوضحت النتائج بأن اعلى مقدار لكفاءة التحويل ولعامل الملئ لخلية شمسية 13% و0.7% على التوالي عند اجراء التلدين بدرجة حرارة 600 م° وزمن 20 ثانية.

الكلمات المفتاحية


مقالة
Evaluation of Laser Doping of Si from MCLT Measurement
تقييم عملية اشابة السليكون بالليزر من خلال قياسات فترة حياة حاملات الشحن الالية

المؤلفون: Raid A. Ismail رائد عبد الوهاب اسماعيل --- Mouslm F. Jawad مسلم فاضل جواد --- Omar A. A. Sultan عمر عبد الستار عبد الرزاق --- S. Yaseen. سعد ياسين
ﺎﻠﻤﺠﻟﺓ: Baghdad Science Journal مجلة بغداد للعلوم ISSN: 20788665 24117986 السنة: 2004 المجلد: 1 الاصدار: 2 الصفحات: 321-325
الجامعة: Baghdad University جامعة بغداد - جامعة بغداد

Loading...
Loading...
الخلاصة

The measurement of minority carrier lifetime (MCLT) ofp-n Si fabricated with aid of laser doping technique was reported. The measurement is achieved by using open circuit voltage decay (OCVD) technique. The experiment data confirms that the value of MCLT and proftle of Voc decay were very sensitive to the doping laser energy.

في هذا البحث تم قياس فترة حياة حاملات الشحن الاقلية للسليكون المشاب بالليزر

الكلمات المفتاحية

قائمة 1 - 4 من 4
فرز
تضييق نطاق البحث

نوع المصادر

مقالة (4)


اللغة

Arabic (2)

English (2)


السنة
من الى Submit

2010 (1)

2009 (2)

2004 (1)