research centers


Search results: Found 2

Listing 1 - 2 of 2
Sort by

Article
Modeling and simulation of mechanical and physical properties of Barium orthotitanate (Ba2TiO4) composite by Materials Studio ( MS
نمذجة ومحاكاة الخواص الميكانيكية والفيزيائية لمركب اورثوتيتانات الباريوم Materials Studio بأستخدام برنامج (Ba2TiO4)

Loading...
Loading...
Abstract

This research including a study of mechanical ,physical properties (band structure, density of states) and the elasticity constants of the Barium Ortho titanate by using Materials studio software. The calculations were based on the generalized gradient approximation (GGA) by linear method. The calculated equilibrium lattice constants of monoclinic barium orthotitanate were: a = 0.612nm, b = 0.77nm, c = 1.05nm,calculated bulk modulus =42.3021 GPa, young modulus= 40.29 GPa, share modulus = 15.97 GPa, lame constant (λ)= 142.56 GPa ,and energy band gap=3.435eV which is indirect band gap and the composite is insulator and the electronic properties where be calculated in first Brillion zone. According the mechanical stability conditions the composite is stable mechanically. These results were calculated by Materials studio software.

تضمن هذا البحث دراسة الخواص الميكانيكية والخواص الفيزيائية (تركيب حزمة الطاقة, كثافة الحالات) وخواص المرونة لمركب اورثوتيتانات الباريوم (Ba2TiO4) , بأستخدام برنامجMaterials studio . تمت هذه الحسابات استنادا الى نظرية تقريب التدرج المعمم (GGA), باستخدام حسابات المبادئ الاولى وبطريقة خطية, وكانت قيم ثوابت الشبيكة المحسوبة للنوع احادي الميل كالاتي b = 0.77 nm ,a = 0.612 nm , c = 1.05 nm, وثوابت المرونة المحسوبة للمركب, معامل القصG = 15.97 GP , معامل يونك, فجوة ,λ= 142.56 GPa معامل لايم , B = 42.3021 GPa معامل بلوك ,Y= 40.29 GPa الطاقة Eg = 3.435 eV , ومن خلال هذه القيمة لفجوة الطاقة يكون المركب ضمن المواد العازلة, وتمت هذه الحسابات ضمن مناطق بريليون الاولى, وطبقا لشروط الاستقرارية الميكانيكية Mechanical stabilityفأن المركب مستقر ميكانيكيا اذ انه يحقق شرط الاستقرارية, وهذه النتائج التي تم الحصول عليها اجريت بأستخدام برنامج .Materials studio


Article
Effect of wafer resistivity and light intensity on the topography of porous silicon surfaces produced by photo chemical method
تأثير مقاومية الشريحة وشدة الاضاءة على طبوغرافية سطوح شرائح السليكون المسامي المنتجة بالطريقة الكيميائية الضوئية

Loading...
Loading...
Abstract

This study includes the effect of wafer resistivity and intensity of light on topography of porous silicon surfaces which produced by photo chemical etching method, the results showed that changing of the resistivity led to change the porosity, where it found the porous silicon layer be less of high value resistivity. Once all the wafers have same resistivity's value that’s found the light intensity effect on porosity, the less value of porosity produced by the less value of intensity light focused.The production of Nano crystalline silicon structures and control of their production conditions is the first step to control the properties of the devices (detectors, diodes, solar cells, sensors) and their appropriate applications. Ultimately, this is important in promoting research and development of renewable energy.

شملت هذه الدراسة تأثير مقاومية الشريحة وشدة الاضاءة على طبوغرافية سطوح السليكون المسامي المنتجة بطريقة التنميش الكيميائي الضوئي، وقد اظهرت النتائج ان تغيير المقاومية ادى الى تغيير في المسامية ، حيث وجد ان اقل سمك للطبقة المسامية كان عند اعلى قيمة للمقاومية.عندما تكون قيمة المقاومية نفسها لجميع الشرائح وجد ان شدة الاضاءة تؤثر على المسامية ، فاقل قيمة للمسامية تنتج عند اقل قيمة للشدة الضوئية المسلطة.ان انتاج تراكيب السليكون النانوي والتحكم في ظروف انتاجها تعتبر الخطوة الاولى للتحكم في خواص النبائط (كواشف، مفارق (Diods)، خلايا شمسية ، متحسسات) وتطبيقاتها المناسبة وفي النهاية كل هذا مهم في تعزيز عمليات البحث والتطوير للطاقة المتجددة.

Listing 1 - 2 of 2
Sort by
Narrow your search

Resource type

article (2)


Language

English (2)


Year
From To Submit

2018 (1)

2017 (1)