research centers


Search results: Found 2

Listing 1 - 2 of 2
Sort by

Article
Study the Mechanical Properties of (Al-Cu-Mg) Matrix Composites Reinforced by Alumina Particles
دراسة الخواص الميكانيكية لمتراكبات ذات أساس (Al-Cu-Mg)المقواة بحبيبات الألومينا

Author: Abdullah M. Ali عبدالله محمود علي
Journal: Tikrit Journal of Pure Science مجلة تكريت للعلوم الصرفة ISSN: 18131662 Year: 2015 Volume: 20 Issue: 3 Pages: 156-161
Publisher: Tikrit University جامعة تكريت

Loading...
Loading...
Abstract

The aim of the present research is studying the mechanical properties of composites matrix fabricated of aluminum (Al-4.5%Cu-1.5%Mg) by cast and to proceeding the heat treatment solution from different temperatures 500oC, 525oC and 550oC for different times 2hr and 4hr, and then proceeding the requil hardness (HBR), Therefore we conducted the optimum value from the alloy basic (A) at the temperature 550oC for 6hr time.Also we prepared the matrix composite reinforced by alumina (Al2O3) with different percentage weight (1.5%-2.5%) and three different particles sizes (75µm≥63µm≥53µm≥0.1µm) which named as (A1, A2, B1, B2, C1, C2) according to their weight and size percentages, and then proceeding the heat treatment solution and official ageing about them at the temperature degree 550oC for 2hr and4hr.Mechanical tests like hardness and Tensile resistance were conducted all of them reached that the composite material (A2) in which there weight and size percentages are 2.5% and ≥0.1µm have upper values of these test's, accordingly we concluded that the reduce particles means increased its rigidity, toughness and solidity.Finally the microstructures tests shows that the prepared composites materials have small size as compared with microstructure of the basic cast alloys and the distribution of alumina particles was fairly homogeneous in the basic allot, also we showed that the heat treatment solutions and official ageing are affected at these composite materials and alloys.

الهدف من البحث الحالي هو دراسة الخواص الميكانيكية للمتراكبات ذات الأساس ((Al-4.5%Cu-1.5%Mg بطريقة الصب وإجراء المعالجة الحرارية المحلولية عليها وبدرجات حرارية مختلفة من 500oC و 525oCو 550oC وبأزمان مختلفة من 2hr و 4hr و 6hr، وأجري اختبار الصلادة روكويل (HBR) عليها، وتبين أن أفضل تلك القيم كانت عند معاملة السبيكة الأساس (A) عند الدرجة الحرارية 550oC وبالزمن6hr.تم تحضير المواد المتراكبة بإضافة دقائق الألومينا (Al2O3) إلى السبيكة الأساس ((Al-Cu-Mg بنسب وزنية مختلفة (1.5%-2.5%) وبثلاث حجوم حبيبية مختلفة تراوحت بين75µm≥63µm≥53µm≥0.1µm)) وتم تسميتها بـالمواد (C2, C1, B2, B1, A2, A1)وحسب نسبها الوزنية والحجمية، وأجريت المعالجة الحرارية عليها عند درجة حرارة 550oC ولمدة 6hr ثم التعتيق الاصطناعي عند الأزمان 2hr و 4hr.أجريت الاختبارات الميكانيكية كالصلادة ومقاومة الشد، وأظهرت جميع تلك الاختبارات حصول المادة المركبة (A2) والتي تبلغ نسبها الوزنية والحجمية 2.5% و≥0.1µm على أعلى القيم في تلك الاختبارات وهذا مما يدل على أن صغر الحجوم الحبيبية يزيد من جساءتها وتقسيتها وصلابتها.وقد أظهرت نتائج فحص البنية المجهرية للمواد المتراكبة بأنها ذات حبيبات أكثر نعومة من السبيكة الأساس، كما أن توزيع دقائق الألومينا المضافة في السبيكة الأساس كان متجانساً في أرضية السبيكة، وقد أظهرت البنية المجهرية تأثير المعالجة الحرارية والتعتيق الاصطناعي في أرضية السبيكة الأساس والمواد المتراكبة.


Article
Photovoltaic Properties of CdO/Porous Si Heterojunction Photodetector.

Authors: Nadir F. Habubi --- Raid A. Ismail --- Abdullah M. Ali
Journal: Journal of College of Education مجلة كلية التربية ISSN: 18120380 Year: 2012 Issue: 3 Pages: 11-31
Publisher: Al-Mustansyriah University الجامعة المستنصرية

Loading...
Loading...
Abstract

CdO/porous Si heterojunction photodetector have been fabricated by rapid thermal oxidation (RTO) of Cd on porous has been presented. The electrical and photovoltaic properties of this structure have been studied. The electrochemical etching process has been used as a technique to control the porosity of silicon wafer by controlling the time of etching in the range (600s-2400s). The results revealed that all our detector parameters are highly dependant on etching time. The minimum value of ideality factor was 1.28 for the detectors prepared with etching current density of 40mA/cm2 for 600s. The results of quantum efficiency showed that these detectors had two depletion regions, the first one between CdO film and porous silicon layer, the second between the latter and the crystalline silicon. The first peak of quantum efficiency curve was 77% at wavelength 550nm while the second one was 88% at 700nm. The maximum specific detectivity was at wavelength 550nm for the detectors fabricated with etching current density 40mA/cm2 and etching time 2400s. All the detectors are working on the spectrum region 400-700nm. The maximum Isc and Voc were 19A, 0.28mV respectively for the detectors fabricated with etching current density 40mA/cm2 and etching time 1200s.

تم تصنيع كاشف ألمفرق ألهجين نوع (CdO/Porous Si/Si/Al) بطريقة ألأكسدة ألحرارية ألسريعة(Rapid Thermal Oxidation) وذلك من خلال ترسيب أغشية CdO على ألسليكون ألمسامي نوع p- بالطريقة ألمذكورة آنفاً.تم دراسة ألخصائص ألكهربائية وألفولطائية ألضؤئية للكاشف ألمحضر على قواعد سليكونية مسامية. استخدمت عملية ألتنميش ألكهروكيميائية للتحكم بمسامية الشرائح السليكونية من خلال السيطرة على زمن التنميش ضمن المدى الزمني .(600s-2400s) أوضحت ألنتائج أن جميع معلمات ألكواشف ألمصنعة تعتمد بشكل كبير على مقدار زمن ألتنميش (Etching time) للقواعد ألسليكونية ضمن المدى المستخدم. أن أقل عامل مثالية كان 1.28للكواشف ألمصنعة بكثافة تيار تنميش40mA/cm2 وزمن تنميش 600s . لقد أظهرت نتائج ألكفاءة ألكمية أن الكواشف ألمصنعة تمتلك منطقتي نضوب الاولى ما بين غشاء CdO والسليكون ألمسامي والثانية ما بين طبقة السليكون المسامي والسليكون البلوري حيث أن القمة الاولى تقع عند الطول الموجي(550nm ) والثانية عند الطول الموجي (700 nm) حيث مقدار الكفاءة الكمية للقمة الاولى كان ) (88% ومقدارها للقمة الثانية كان ) .(77% أعلى قيمة للكشفية كانت عند الطول الموجي(550nm) . وكان مقدارها 87للكاشف المصنع بكثافة تيار 40mA/cm2 وزمن تنميش 2400s . أوضحت النتائج أن الكواشف المصنعة تعمل للمنطقة الطيفية (400-700nm). جرى قياس كل من تيار دائرة ألقصر وفولتية دائرة ألفتح ووجد بأن أكبر قيمة لهما كانتا 19A و0.28mV على ألتتالي للكاشف ألمصنع بكثافة تيار تنميش40mA/cm2 وزمن تنميش 1200s . أجريت دراسة ألخصائص ألكهربائية والفولتائية ألضوئية والتركيبية لهذا ألكاشف بدرجة حرارة ألمختبر وتبين من خلال خواص (تيار-جهد) بأن ألكاشف غيرمتماثل ألسلوك، وأوجدنا قيمة ألمقاومة ألسطحية RS للكاشف،عامل ألخطية وتم ألحصول على كفاءة كمية بمدى (88%-66%) وبكشفية 76x1011 cm. Hz1/2 W-1 عند ألطول ألموجي nm) 550(.

Listing 1 - 2 of 2
Sort by
Narrow your search

Resource type

article (2)


Language

Arabic (1)

English (1)


Year
From To Submit

2015 (1)

2012 (1)