In this paper, it is present a model to simulate Four-wave mixing in quantum dot semiconductor optical amplifier, taking into account the influence of carrier heating at reservoir. The numerical calculations show that; the carrier heating relaxation at reservoir demonstrates a significant impact on excited state occupation probability, and opposite occurs with ground state. Also, the conversion efficiency is shown a good match with experiment data.

semiconductor optical amplifier --- quantum dot structure --- carrier heating and four-wave mixing

In this paper, we are introduce a new model to simulate the influence of carrier heating in quantum dot optical amplifiers. depending on density matrix theory, rate equations for two-level and the analytical solution of pulse propagation in quantum dot (QD) the nonlinear gain coefficient due carrier heating has been derive. The effects of energy splitting, detuning, carrier density and time of spectral hole burning versus nonlinear gain coefficient have been investigated.Also, the time recovery of ground state (GS) with carrier heating effects hasbeen calculated, the resultsshows a good agreement with research.

في هذا البحث نقدم نموذج جيد لمحاكاة تأثير حرارة الحاملات في المضخم البصري شبة الموصل النانوي.بالاعتماد على نظرية كثافة المصفوفة و معادلات التغير الزمني لنظام مستويين. و أن نموذج الحل التحليلي لسريان النبضات في النقط الكمية. ان معاملات الربح اللاخطية بسبب حرارة الحاملات مشتق. كذلك زمن الاستعادة بوجود تأثير حرارة الحاملات تم حسابه و النتائج توضح توافق جيد مع البحوث العالمية .

Quantum dot --- semiconductor optical amplifier --- nonlinear gain coefficients --- النقط الكمية --- المضخم البصري لأشباه الموصلات --- معاملات الربح اللاخطية