research centers


Search results: Found 22

Listing 1 - 10 of 22 << page
of 3
>>
Sort by

Article
DESIGN AND ANALYSIS OF SOME PARAMETERS FOR CO2 LASER BEAM EXPANDER

Author: Alwan M. ALwan
Journal: Al-Nahrain Journal of Science مجلة النهرين للعلوم ISSN: (print)26635453,(online)26635461 Year: 2008 Volume: 11 Issue: 1 Pages: 68-73
Publisher: Al-Nahrain University جامعة النهرين

Loading...
Loading...
Abstract

In this paper, design analysis and optimization of beam expander device and by using computer software (Zemax). The laser beam source associated with the suggested designs of the optical system is that of the TEA CO2 laser working at 10.6µm. The optical beam expander is a Galilean design and configured two ZnSe lenses.

في هذا البحث تم تصميم موسع حزمة الليزر والذي يمثل المنظومة البصرية في هذا التصميم والتي تم تحليلها باستخدام نظام Zemax البرمجي للحصول على أفضل تصميم باستخدام حزمة ليزرية ذات شدة عالية.ان النتائج التي تم الحصول عليها من خلال دراسة متغيرات موسع الحزمة أثبتت إمكانية تقليل الزيغ الكروي من خلال إضافة عدسات إلى التلسكوب البصري بالاعتماد على التحليل البرمجي لنظام Zemax


Article
Organic Vapors Sensor Based on Dangling Bonds of Porous Silicon
متحسس الأبخرة العضوية بالاعتماد على الأواصر المتدلية للسليكون المسامي

Author: Alwan M. Alwan
Journal: Engineering and Technology Journal مجلة الهندسة والتكنولوجيا ISSN: 16816900 24120758 Year: 2007 Volume: 25 Issue: 8 Pages: 1023-1027
Publisher: University of Technology الجامعة التكنولوجية

Loading...
Loading...
Abstract

In this paper, a porous silicon (PS) layer is investigated as a sensing materialto detect the organic vapors with low concentration. The structure of theprepared sensor consists of thin Au /PS/n-Si/Au thick where the PS is etchedphoto -chemically. The current response of the sensor is governed by thepartial depletion of silicon located between two adjacent (porousregions).This depletion is due to the charges trapped on dangling bondsassociated with the silicon – porous silicon interface .

في هذا البحث أجريت دراسة على خصائص طبقة السيليكون المسامي التي تعملthin Au /PS/n-Si/Au كمتحسس للأبخرة العضوية. تم تحضير تركيب شرائحي يتكون منوتم تحضير طبقة السيليكون المسامي بطريقة التنميش الضوء كيمياوي. إن أستجابة .thickالمتحسس للتيار الكهربائي يتم السيطرة عليها بواسطة منطقة السيليكون البلوري المستنفذةجزئياً والواقعة بين مناطق السيليكون المسامي المتجاورة، هذا الاستنزاف سببه عملياتإقتناص حاملات الشحن بواسطة الأواصر المتدلية المرافقة للحد الفاصل بين السيليكونوالسيليكون المسامي.

Keywords

gas sensor --- porous silicon


Article
Calculation of Energy Band gap of Porous Silicon Based On The Carrier Transport Mechanisms
حساب فجوة الطاقة للسليكون المسامي بالأعتماد على آلية أنتقال الشحنة

Author: Alwan M.Alwan
Journal: Engineering and Technology Journal مجلة الهندسة والتكنولوجيا ISSN: 16816900 24120758 Year: 2007 Volume: 25 Issue: 10 Pages: 1143-1148
Publisher: University of Technology الجامعة التكنولوجية

Loading...
Loading...
Abstract

The energy bandgap of photoluminescence porous silicon is calculatedbased on the analysis of the current-voltage characteristics and themeasurements of the thermal activation energy of the zero bias and reversebias currents of PS/n-Si porous silicon diodes at different temperatures. The2.1 eV bandgap resulting from these electrical measurements agrees well with2 eV measured in PL spectra.

في هذا البحث تم حساب فجوة الطاقة للسليكون المسامي المتلالأ بالأعتماد على تحليل خصائص0) وتيار الأنحياز العكسي لديودات V) التيار- الفولطية وقياس طاقة ال تنشيط الحراري عند جهدعند درجات الحرارة المختلفة. (PS/n-Si)2.1 بالأعتماد على القياسات الكهربائية وتتفق مع القيمة المقاسة eV أن فجوة الطاقة المقاسة كانت(2eV) البالغة (PL) بالأعتماد على خصائص

Keywords


Article
A Study On the Structure and Electrical Properties of Pbo.9Sn0.1Se/Si Heterojunction
دراسة الخصائص التركيبية والكهربائية للمفرق ألهجيني Pb0.9Sn0.1Se/Si

Author: Alwan M. Alwan
Journal: Engineering and Technology Journal مجلة الهندسة والتكنولوجيا ISSN: 16816900 24120758 Year: 2007 Volume: 25 Issue: 10 Pages: 1149-1153
Publisher: University of Technology الجامعة التكنولوجية

Loading...
Loading...
Abstract

In this work, as Study on the structural and electrical properties ofPbo.9Sn0.1Se/Si hetrojunction was made by depositing compound of Lead, Tinand Selenide film on Si by thermal evaporation.XRD diffraction analysis of the film, shows the dominant crystalorientation is (200) as well as (Pbo.9Sn0.1Se) film deposited is polycrystallinestructure.Electrical properties of Pbo.9Sn0.1Se/Si heterojunction detector have beeninvestigated. The electrical properties under dark condition show a rectifyingbehavior with low rectification factor, and exhibit soft breakdown reversecurrent. C-V characteristics suggest that the fabricated diode was abrupttype, built in potential determined by extrapolation from 1/C2-V curve to thepoint (V=0) and it was equal to (0.4V).

في هذا البحث تم دراسة الخصائص التركيبية الكهربائية لكاشف المفرق الهجينالمصنع من خلال ترسيب غشاء المركب رصاص قصدير سلينيوم على Pbo.9Sn0.1Se/Siقاعدة سليكونية بطريقة التبخير الحراري.وأوضحت (XRD) في الخصائص التركيبية للغشاء تم اعتماد تقنية حيود الأشعة السينيةالاتجاه البلوري السائد ( 200 ) وان الغشاء المترسب كان متعدد التبلور.حيث تم دراسة خصائص تيار - جهد عند الظلام وتبين إن له خصائص تقويمية وذات معاملتقويم منخفض وكذلك أظهرت فولتية انهيار متدرجة في الانحياز العكسي.ومن قياس سعة – جهد أوضحت أن المفرق من النوع الحاد وتم حساب جهد البناء.(0.4V) حيث بلغ (V= 1 إلى النقطة ( 0 /C2-V الداخلي من خلال اخذ امتداد

Keywords


Article
An Investigation of Multi-Porous Silicon Gas Sensor
تقصي المتحسسات الغازية للسليكون المسامي المتعدد المسامات

Author: Alwan M.Alwan
Journal: Engineering and Technology Journal مجلة الهندسة والتكنولوجيا ISSN: 16816900 24120758 Year: 2014 Volume: 32 Issue: 1 Part (B) Scientific Pages: 183-190
Publisher: University of Technology الجامعة التكنولوجية

Loading...
Loading...
Abstract

Efficient porous silicon organic vapors sensors werefabricated byemploying a multi-porous silicon layer (mPSi) within (Au/mPSi/n-Si/Au) sandwich structures. Based on the morphological nature and the resistivity of resulting (mPSi), the mechanism of current flow in the sensor was analyzed. The SEM images of (mPSi) layer reflect the formation of complex porous and mud-like structures. The mud-like structure consists of connected and non-connected trenches whilethe pore-like structure consists of different pore sizes formed inside this structure. The current response is governed by the silicon channel between the adjacent mud’srather than the silicon nanowires between the adjacent pores.

تم تحضير متحسس كفوء للابخرة العضوية بأستخدام طبقات السليكون المتعدد المسامية ( mpsi ) ضمن تركيب شرائحي من ( Au/mpsi/ n-si/Au ) . الية تدفق التيار ضمن المتحسس تم تحليلها بالاعتماد على الطبيعة الطوبوغرافية و مقاومية طبقة السليكون المسامي المتعدد المسامية . اظهرت صور المجهر الالكتروني الماسح ( SEM ) تكون تركيب مسامي معقد يحوي على تركيب مشابه لكل من الرقع الطينية والفجوات.تفصل بين الرقع مجموعة من الاخاديد المتصلة و غير المتصلة فيما بينها بينما تركيب الفجوات يتكون من مجموعة من الفجوات المختلفة الابعاد و تقع هذه ضمن الرقعة الواحدة . ان استجابة المتحسس للتيار تحكمها قناة السليكون الواقعة بين الرقع بدلا من الاسلاك النانوية الواقعة بين الفجوات المتجاورة.

Keywords


Article
The Opto-Electronic Characteristics of Multi-Porosity Silicon System
المميزات الالكترونية الضوئية للاسلاك السيليكونية الكيمة المتعددة المسامية

Author: Alwan M.Alwan
Journal: Engineering and Technology Journal مجلة الهندسة والتكنولوجيا ISSN: 16816900 24120758 Year: 2014 Volume: 32 Issue: 2 Part (B) Scientific Pages: 191-197
Publisher: University of Technology الجامعة التكنولوجية

Loading...
Loading...
Abstract

Photo-electrochemical etching with step- gradient illumination intensity was used to generate multi – porosity silicon quantum wire system (Q.W.Si) on n-type silicon wafer. A nano size photonic device of AL/Q.W.Si /si/AL was fabricated to investigate the electrical properties and the surface morphology with the aid of scanning electron microscopy. The J-V characteristics of (AL/Q.W.Si /AL) show a rectifying behavior with high ideality factor compared for single layer (Q.W.Si) devices with (AL/Q.W.Si /AL). The high value of ideality factor was explained based on the high density of the dangling bonds are found on the internal surface of the multi porosity layer, leading to poor electrical properties

في هذا البحث تم استخدام التنميش الضوئي الكهروكيميائي و بشدات ليزرية متدرجة لانتاج الاسلاك السيليكونية الكمية ذات المسامية المتعددة على شريحة سيليكون نوع n-type . تم تصنيع نبيطة نانوية الاحجام ذي التركيب (AL/Q.W.Si /AL) لاجل دراسة الخصائص الكهربائية للاسلاك النانوية الكمية. اظهرت القياسات الكهربائية وجود سلوك تقويمي و بمعامل تقويم عالي ومما فسرذلك الى الكثافة العالية للاواصر المتدلية و التي تؤدي الى اضعاف الخصائص الكهربائية

Keywords


Article
THE INFLUENCE OF HEATING TREATMENT ON PHYSICALPROPERTIES OF POROUS SILICON

Authors: Narges Z.Abd alzahra --- Alwan M.Alwan
Journal: Al-Nahrain Journal of Science مجلة النهرين للعلوم ISSN: (print)26635453,(online)26635461 Year: 2009 Volume: 12 Issue: 2 Pages: 76-81
Publisher: Al-Nahrain University جامعة النهرين

Loading...
Loading...
Abstract

In this work we studying the effect of thermal treatment on the electrical and conduction properties of metal /porous silica /n-si /metal prepared by photo electro chemical etching for etching time (15 min. Oxidation occur in oxidation time (15-150)sec at 750Ċ.After investigated current–voltage (J-V)measurement we found increase in rectification ratio ,barrier height increase with oxidation time, the rectification ration was 5 before oxidation will be 21 after 30 s oxidation time, barrier height value was (0.756eV) will be( 0.85eV) at oxidation time 30 s ,the ideality factor after oxidation was 15 will be 2.75 at 30 sec of oxidation time mean that the device approach from the ideality characteristics.

في هذا البحث تم دراسة تأثير المعالجة الحرارية السريعة على الخصائص الكهربائية وميكانيكية التوصيل للسليكون المسامي المحضر بطريقة تشعيع الليزر أثناء عملية القشط الكهروكيميائي بزمن ( 15 دقيقة ) عملية الأكسدة جرت بزمن ( 15-150 ثانية ) عند درجة حرارة (Ċ750) من خلال دراسة الخصائص الكهربائية أن نسبة التقويم و حاجز الجهد تزداد بزيادة زمن الأكسدة الحرارية الأكسدة الحرارية . قيمة حاجز الجهد كانت eV) 0.756 ( أصبحت eV) 0.85 (عند زمن أكسدة 30 ثانية,عامل المثالية وجد انه قبل عملية الأكسدة 15اصبحت قيمته 2.75 عند زمن الأكسدة 30 ثانية مما يعني اقتراب الجهاز من الخصائص المثالية.


Article
Light-Induced Etching of Silicon
القشط المحتث بالضوء للسليكون

Authors: Alwan. M. Alwan --- A.M. Ahmed
Journal: Engineering and Technology Journal مجلة الهندسة والتكنولوجيا ISSN: 16816900 24120758 Year: 2007 Volume: 25 Issue: suppl.of No.3 Pages: 467-474
Publisher: University of Technology الجامعة التكنولوجية

Loading...
Loading...
Abstract

In this work, an ordinary light is used for photo-chemical etching of n-typesilicon wafer in HF solution. Scanning electron microscopy is used to monitorchanges in surface morphology produced during the etching process. Uniformporous layer has been observed for various irradiation time. Our techniqueoffers a great controlling parameter on the porous layer uniformity comparedwith the porous layer achieved by using a laser beam. Electrical propertiesand porous layer thickness of the photo produced layer have been studied.

في هذا العمل تم إستخدام الضوء الاعتيادي في عملية القشط الضوء -الكيمياوي للسليكون فيحامض الهيدروفلوريك . تم إستخدام المجهر الالكتروني الماسح لمراقبة التغيراتالطوبوغرافية الناتجة على سطح السليكون . تم الحصول على طبقة سليكون مسامي منتظمبإستخدام الضوء الاعتيادي بالمقارنة مع الليزر المستخدم في بحوث أخرى.


Article
The Effect Of Thermal Oxidation Time On The Structure And Influence On Optical Properties For Porous Silicon Prepared By Photo Electrochemical Etching
تاثير زمن الاكسدة الحرارية على الخصائص التركيبية وتاثيرها على الخصائص البصرية للسيلكيون المسامي المحضر بطريقة الكهروكيميائية

Authors: Narges Z.Abd alzahra --- Alwan M.Alwan
Journal: Engineering and Technology Journal مجلة الهندسة والتكنولوجيا ISSN: 16816900 24120758 Year: 2009 Volume: 27 Issue: 4 Pages: 727-735
Publisher: University of Technology الجامعة التكنولوجية

Loading...
Loading...
Abstract

The morphological properties of the freshly and oxidized porous silicon atoxidation time (60, 90) sec were studied. A blue emission from PSi can be seen witheyes after thermal oxidation because the increasing of energy gab due to decreasedsilicon column (nano particles).Pore size and shape of n-type wafers are estimate andcorrelated with optical properties before and after rapid thermal oxidation (RTO).

في هذا البحث تم دراسة تأثير الأكسدة الحرارية السريعة على السليكون المسامي المحضر بطريقة القشط الكهروضوئيكيميائي على طبوغرافية السليكون المسامي . وقد تم من خلال صور الماسح الالكتروني حساب قطر وتوزيع المسامات وحسابحجم العمود الفاصل بين المسامات قبل وبعد عملية الأكسدة الحرارية كما تم قياس الخصائص البصرية والكهربائية قبل وبعدالمعالجة الحرارية


Article
The Effects of Rapid Thermal Annealing on Photoluminescence Properties of Nanostructures Silicon

Authors: Alwan M. Alwan --- Mehdi Q. Zayer
Journal: Al-Nahrain Journal of Science مجلة النهرين للعلوم ISSN: (print)26635453,(online)26635461 Year: 2012 Volume: 15 Issue: 2 Pages: 88-92
Publisher: Al-Nahrain University جامعة النهرين

Loading...
Loading...
Abstract

The photoluminescence spectrums (PL) of as-prepared and rapid thermal annealing RTA of nanostructures silicon have been investigated. p-Type porous silicon (psi) fabricated by electrochemical etching method .The (PL) of as-prepared sample, showed top of photoluminescence (PL) peak centered at about 540.9 nm. After the annealing process of nanostructures silicon in temperature 450°c, 600°c and 750°c at annealing time 15 sec, the (PL) peaks shifted,to 743.99nm, 747.49nm and 757.37 nm rspectively . The intensity of( PL) of annealed samples also shown a conspicuous decrease in intensity Compare with as-prepared sample .The intensity reach to (50%),(39%) and (29%)from its intial value whenthe temperature increase 450, 600°c and 750°c rspectively. This behavour is due to the increase in the average skeleton size

Keywords

Listing 1 - 10 of 22 << page
of 3
>>
Sort by
Narrow your search

Resource type

article (22)


Language

English (22)


Year
From To Submit

2018 (1)

2017 (1)

2015 (3)

2014 (2)

2013 (2)

More...